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[发明专利]一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用-CN202210929600.0在审
发明人：马垒;李志坤;饶光辉;何木芬;袁昌来;王治群;李林;赵景泰 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01F1/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2 T时，矫顽力为1.37‑12.88 kOe；交换偏置场为0.2‑5.38 kOe；在10 K条件下，当外磁场为5 T时，矫顽力为16.47‑36.23 kOe；交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。
一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法应用

[发明专利]一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用-CN202210935793.0在审
发明人：马垒;朱伟豪;饶光辉;何木芬;袁昌来;王治群;程帅;赵景泰 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。
一种 tbdyhoer 及其制备方法应用

[发明专利]一种防水解硼酸基微波介质聚合物陶瓷材料及其制备方法-CN202110437007.X有效
发明人：刘飞;丁国安;屈婧婧;袁昌来;苏琪;李海林 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种防水解硼酸基微波介质聚合物陶瓷材料及其制备方法，按照质量比称量H3BO3和PE，并将得到的粗粉、镐球和无水乙醇按照预设的质量比置于行星球磨机进行湿法球磨，得浆料；将所述浆料置于预设恒温烘箱中进行烘干，并将得到的混合料通过设定规格的网筛进行分离，得到(1‑x)H3BO3‑xPE粉体；将所述粉体放置玛瑙研钵中细磨，并将研磨后的粉体置于模具中，在设定的加压环境下压制成型，随后，将得到的圆柱体胚体置于马弗炉中进行烧结，得到硼酸基微波介质聚合物陶瓷，有效的提升了纯硼酸陶瓷材料的综合性能。
一种水解硼酸微波介质聚合物陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种表面喷涂纳米BN型H3-CN202210503855.0在审
发明人： 袁昌来;张峻豪;覃浩;蒙柳方;刘飞;丁国安;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷及其制备方法，先按照一定质量比称量PPO和H3BO3后，将PPO、H3BO3粉体与无水乙醇、锆球按照预设的质量比放置于球磨机中湿法球磨，制备出浆料；将所得浆料烘干，并通过网筛将混合粉体与锆球分离，从而得到H3BO3/PPO粉体；在H3BO3/PPO混合粉体中喷涂纳米BN，将喷涂纳米BN的H3BO3/PPO粉体放置于模具中压制成型后，将得到的圆柱体制品放入热处理设备中致密化烧结，得到具有近室温致密化温度、防潮解、导热的表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷。在(0.6H3BO3‑0.4PPO)+2%BN含量中获得最佳的微波介电性能：εr=2.51，Q×ƒ=12556 GHz，τƒ=‑3 ppm/℃，并获得导热系数~1.21 w/(m·k)，所得复合微波介质陶瓷有效的提高了近室温致密化硼酸陶瓷的防潮性能、导热效能和微波介电特性。
一种表面喷涂纳米 bn base sub

[发明专利]氧化物(Na0.5-CN201911336342.X有效
发明人： 袁昌来;陈泽星;蒙柳方;刘笑;朱保华;周昌荣;许积文;程帅;王江;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1‑x)/2：(1‑x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。
氧化物 na base sub 0.5

[实用新型]一种压电陶瓷浆料3D打印机-CN202120220228.7有效
发明人：黎清宁;周昌荣;谢晓宇;袁昌来;许积文;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B28B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压电陶瓷浆料3D打印机，包括底座和龙门架，所述龙门架的底部固定连接有Y向移动座，所述龙门架的顶部固定连接有横梁，所述横梁内部沿X方向开设有条形槽，所述横梁的条形槽内部滑动连接有X向移动座，所述X向移动座的正面固定设置有Z向固定架，所述Z向固定架的内部设置有Z向移动座，所述Z向移动座的正面上设置有固定基座，所述固定基座的正面通过L型板固定设置有打印机头，所述底座的表面上经锁紧螺钉并排设置有若干个支撑框架，所述支撑框架的表面上经卡槽滑动连接有工件固定架，且通过工件固定架对打印玻璃板进行锁紧固定，本案中的工件固定架对打印玻璃板固定的灵活性高，实用性强，应用范围广。
一种压电陶瓷浆料打印机

[发明专利]兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201910025697.0有效
发明人：杨玲;许积文;窦闰镨;周昌荣;王华;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3‑yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。
兼具压电性能陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN201810756510.X有效
发明人：杨玲;许积文;王华;刘国保;周昌荣;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。
一种温度稳定陶瓷电容器介质材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅压电微-纳米线及其制备方法-CN201810669000.9有效
发明人：周昌荣;黎清宁;许积文;杨玲;曾卫东;袁昌来;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种压电纳米及其制备方法

[发明专利]一种CuInSe2-CN202011062060.8在审
发明人：薛小刚;瞿森林;袁欣;李钰;张小文;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：S1：制备三聚硫氰酸或巯基配位的Cu和In离子前驱体溶液以及硒前驱体溶液；制备CuInSe2量子点前驱体溶液；制备小分子硫氰酸根或巯基包裹的超小CuInSe2量子点水溶液，采用水相一锅法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得CuInSe2量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子硫氰酸根或巯基包裹，近红外发光，本发明的量子点墨水经印制后能够得到稳定的量子点发光层，具有较长的寿命，且具有较好的发光性能。将所述量子点墨水用于印刷制备太阳能电池能够有效提升电池的光学性能和电学性能，量子点具有优异的光催化性能。
一种 cuinse base sub

[发明专利]一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201810670093.7有效
发明人：周昌荣;曾卫东;许积文;黎清宁;杨玲;袁昌来;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种具有压电应变记忆特性铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅压电纳米阵列及其制备方法-CN201810670156.9有效
发明人：周昌荣;许积文;曾卫东;黎清宁;杨玲;袁昌来;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3‑0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2‑10μm，直径为60‑800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种压电纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201810668019.1有效
发明人：周昌荣;许积文;曾卫东;黎清宁;杨玲;袁昌来;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：(1‑x)BaTi0.90Sn0.10O3‑xCa2LaMn2O7；其中x表示摩尔分数，0.01x0.2。其中BaTi0.90Sn0.10O3和Ca2LaMn2O7通过固相合成反应法分开合成，然后通过混合及一次微波烧结形成特殊的小尺度杂化复杂结构，产生巨介电常数及介电常数外场可调特性，这些性能目前超过了所有报道的无铅铁电陶瓷。产品经实验测量，具有巨介电常数及电调特性，介电常数εr~105，介电可调度~98%，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种具有介电常数特性铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低介低烧基板材料及其制备方法-CN201810151932.4有效
发明人：陈国华;习娟;陈菁菁;姜登辉;周昌荣;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15‑16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02‑3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57‑70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500‑14000GHz。
一种低烧板材料及制备方法

[发明专利]一种高极性无铅铁电半导体陶瓷及制备方法-CN201710331201.3有效
发明人：周昌荣;许积文;黎清宁;袁昌来;曾卫东;杨玲;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。
一种极性铅铁半导体陶瓷制备方法

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