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[发明专利]一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201810668020.4有效
发明人：周昌荣;曾卫东;许积文;黎清宁;杨玲;袁昌来;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种具有压电响应陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201810668010.0有效
发明人：周昌荣;黎清宁;曾卫东;许积文;杨玲;袁昌来;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3‑0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数=353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种具有压电应变压光性能铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710302248.7有效
发明人：周昌荣;曾卫东;黎清宁;许积文;杨玲;袁昌来;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3)13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种具有巨电致阻变铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710302249.1有效
发明人：周昌荣;黎清宁;许积文;杨玲;袁昌来;曾卫东;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。
具有临界突变开关效应铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201710330694.9有效
发明人：周昌荣;杨玲;许积文;黎清宁;曾卫东;袁昌来;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0x0.12，0y0.1，0z0.1。这种陶瓷用常规陶瓷制备方法制备而成，该系列产品具有优良的压电性能，高机械品质因数，低介电损耗，低烧结温度，适合在大功率换能器领域应用。
一种同时具有高压电性能机械品质因数低烧压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法-CN201710301046.0有效
发明人：周昌荣;李子静;彭文;蔡世劲;黎清宁;许积文;杨玲;袁昌来;曾卫东;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
损耗超高压电性能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法-CN201611201094.4有效
发明人：刘国保;王华;许积文;周昌荣;杨玲;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。
一种可见光透明陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种窄带隙高极性的无铅铁电陶瓷及其制备方法-CN201710330701.5有效
发明人：周昌荣;黎清宁;许积文;曾卫东;杨玲;袁昌来;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TiO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。
一种窄带极性铅铁陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201710330695.3有效
发明人：周昌荣;曾卫东;黎清宁;许积文;袁昌来;杨玲;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05<x<0.4。这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成，该系列产品环境友好型、稳定性好，具有优良的压电性能，高的温度稳定性，退极化温度超过500℃，适合在高温领域应用。
一种高温压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]具有光伏效应的K1-x-CN201911336343.4在审
发明人： 袁昌来;韩飞;刘笑;刘飞;朱保华;周昌荣;许积文;程帅;王江;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光伏效应的K1‑xLnxNb1‑xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1‑xLnxNb1‑xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5‑0.5x)：(0.5‑0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1‑xLnxNb1‑xFexO3粉体；2）将K1‑xLnxNb1‑xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1‑xLnxNb1‑xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1‑xLnxNb1‑xFexO3稀磁铁电
有光效应 base sub

[发明专利]一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法-CN201810151957.4有效
发明人：陈国华;习娟;陈菁菁;姜登辉;周昌荣;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B₂O₃，5.0wt%的Li₂O，0.5wt%CeO₂和0.5wt%Ga₂O₃。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60‑3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/^oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100‑9145 GHz。
介质材料微晶玻璃谐振频率温度系数低介制备超低介电常数相对介电常数高品质因数测试频率品质因数

[发明专利]具备储能、应变与宽介电温区的多功能无铅陶瓷及制备方法-CN201611201458.9有效
发明人：刘国保;许积文;王华;周昌荣;袁昌来;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时具备储能、应变及宽介电温区多功能共存的三元体系无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份的化学通式可以用(1‑x)[(1‑y)BiAO₃‑yMeTiO₃]‑x(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃所表示。其中：A为Sc、Y、In中的一种或两种；Me为Ca、Sr、Ba中的一种或两种；x、y表示摩尔分数；0.05≤x≤0.30；0.50≤y≤0.80。这种多功能无铅陶瓷除了低污染外，还具备储能、应变及宽介电温区等多功能特性，相比于传统的多组分集成方式具有更好的质量和体积效率，是一种新型的智能性材料。
具备应变宽介电温区多功能陶瓷制备方法

[发明专利]一种石榴石结构低介电透明Re_xGd_3-xAl₃Ga₂O₁₂微波陶瓷及其制备方法-CN201810908551.6在审
发明人： 袁昌来;蒙柳方;廖燕君;刘笑;朱保华;刘飞;许积文;周昌荣;陈国华;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种石榴石结构低介电透明Re_xGd_3‑xAl₃Ga₂O₁₂微波陶瓷及其制备方法，该微波陶瓷组成通式为Re_xGd_3‑xAl₃Ga₂O₁₂，其中0≤x≤0.065，Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成Re_xGd_3‑xAl₃Ga₂O₁₂粉体，再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合，烘干，研磨成粉末；最后将粉末压制成陶瓷坯体，在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷，其介电常数（ε_r）介于9.7~10.3，品质因子与谐振频率乘积（Q.f）介于1600~5100GHz，谐振频率温度系数（T_cf）介于‑25~‑80ppm/℃，表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等，特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。
微波陶瓷制备石榴石结构低介透明粉体谐振频率温度系数合成滤波器固相合成法粉末压制介电常数介质基板聚乙烯醇品质因子陶瓷坯体透明窗口微波介质谐振频率信息通讯研磨可视化谐振器烘干可用元器件集成电路保温制造成功

[发明专利]Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法-CN201510301889.1有效
发明人：冯琴;袁昌来;周星星;杨涛;周昌荣;许积文;黎清宁;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6 J/cm3之间。
re sub ba 0.06 bi 0.47 na me ti 无铅反铁电高储能密度陶瓷及其

[发明专利]一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法-CN201510301633.0有效
发明人： 袁昌来;周星星;冯琴;杨涛;周昌荣;许积文;黎清宁;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。
一种具有高储能密度 rex ba0 06 bi0 47 na0 xti1 xrxo3