“薛玉雄”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果95个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多维度的软件数据可靠性验证方法-CN202211706527.7在审
发明人：吕贺;梅博;张洪伟;张延伟;孙毅;魏志超;薛玉雄;曹荣幸;于庆奎 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种多维度的软件数据可靠性验证方法，包括：选取对标软件对应功能，比较其输入输出参数是否一致；测试样本选取；数据存储；数据类型判断；确定评估方案：根据应用目的以及数据特性确定评估方案，具体包括功能的一致性、数据一致性、趋势一致性三个方面，获取所述数据之间的差异，并生成相应的差异性报告；基于数据之间的差异，调整软件的相关参数。本发明解决了针对某特定的数据类型，单一的模型验证方法并不能准确的进行可靠性评估的问题。通过合理的可信度评估流程，人们可以及时修正仿真系统建设和运行过程中的不合理和错误之处，降低仿真应用风险，提高可靠性验证精度。
一种多维软件数据可靠性验证方法

[发明专利]一种P型栅GaN HEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法-CN202110837558.5有效
发明人：李林欢;曹荣幸;黄鑫;孟洋;薛玉雄;刘洋;周敏;韩丹;李红霞;郑澍 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。
一种型栅 gan hemt 器件内部粒子烧毁敏感区域确定方法

[发明专利]一种SRAM型FPGA的辐射效应仿真方法-CN202310283439.9在审
发明人：曹荣幸;刘艳;薛玉雄;田佳玉;翟建青;蒋煜琪;曾祥华;刘洋;李红霞;韩丹;郑澍 -专利权人：扬州大学;扬州扬福科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM型FPGA的辐射效应仿真方法，采用器件级建模仿真和电路级建模仿真相结合的方式，可以实现FPGA总剂量效应和单粒子效应协合作用的模拟仿真，分析多种辐射效应对FPGA工作状态的影响，解决了加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高的问题，有助于掌握器件内部微观参数变化和揭示损伤机理，可以实现对器件辐射损伤敏感性评价，为开展FPGA抗辐射评价和加固设计提供技术支撑，具有经济、便捷等特点，可以用于器件抗辐照能力的评价中，有助于提高器件在航天工程应用中可靠性。
一种 sram fpga 辐射效应仿真方法

[实用新型]一种直流PNP型单驱分体式分拣机转向轮装置及控制系统-CN202221199432.6有效
发明人：刘艳;蒋煜琪;张博文;王玉才;曹荣幸;薛玉雄;曾祥华;刘洋;韩丹;郑澍;李红霞 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B65G47/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流PNP型单驱分体式分拣机转向轮装置及控制系统，其包括：机架以及转向轮组件，所述机架上设有传输带，所述转向轮组件设于所述传输带一侧，还公开了一种流PNP型单驱分体式分拣机转向轮控制系统，其包括转向电机控制回路，所述转向电机控制回路包括驱动器芯片，所述驱动器芯片与第一电机M连接，所述驱动器芯片的第一引脚与第三插座的第五接线端连接，所述驱动器芯片的第二引脚与第三插座的第六接线端连接。本实用新型通过转向电机控制回路以及转向位置回路可以达到精准控制第一电机的效果，具有良好的线性调节以及快速的相应时间，极大地降低了用户的困扰，减少了转向轮的控制回路。
一种直流 pnp 型单驱分体式分拣转向装置控制系统

[发明专利]一种高导热堆叠芯片结构及制备方法-CN202310196813.1在审
发明人：刘洋;苏亚慧;吴晨成;鞠莉娜;薛玉雄;曹荣幸;翟建青 -专利权人：扬州大学;华东光电集成器件研究所;扬州扬福科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热堆叠芯片结构及制备方法，堆叠结构将硅片直立起来，利用硅片侧面焊盘以及侧面焊球与基板相连，硅片与硅片之间通过正面与背面的焊盘以及焊球进行连接，如此形成一种硅片直立排列的结构。芯片直立排列结构相较于传统的三维堆叠结构，散热效果明显更好，各芯片的温度更均匀，没有出现传统三维堆叠结构中自下而上芯片温度逐渐升高的情况。
一种导热堆叠芯片结构制备方法

[发明专利]一种小型化全向空间粒子探测器-CN201910099396.2有效
发明人：王鹢;王光毅;薛玉雄;黄乐程;张晨光;安恒;乔佳 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种小型化全向空间粒子探测器，正立方体结构六个面的每一面上均布置一套望远镜探测单元，六个面的望远镜探测单元组合，对空间粒子进行近似4π全向探测；所述每一面的望远镜探测单元由一块或多块较薄的半导体探测器和正立方体闪烁晶体探测器组成：所述正立方体闪烁晶体探测器位于正立方体全向粒子探测器中心，被全向探测器六个面的望远镜探测单元所共享。该发明可对空间粒子进行全向探测，能够测量粒子能谱，辨别带电粒子种类，适用于地球空间以及深空、小行星等辐射环境监测，安装于航天器内部可实时获取航天器受到的空间各方向的辐射信息。
一种小型化全向空间粒子探测器

[发明专利]单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法-CN201811156912.2有效
发明人：杨生胜;薛玉雄;黄文超;王小军;黄一凡;张晨光;苗育君;王光毅 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法。使用本发明能够计算出完美石墨烯晶胞结构出现本征缺陷之后的结构与电子特性的改变，进而得到其电导率的变化情况。本发明首先建立单层石墨烯各类型本征缺陷的晶胞构型模型；然后利用第一性原理得到缺陷结构最为稳定的晶胞常数；通过对比完备完美晶胞和完备缺陷晶胞的晶胞结构、静态情形以及能态密度，理论分析并推导出石墨烯出现本征缺陷之后的电导率变化情况。本发明基于严谨理论分析手段拓展了实验测量，适用于石墨烯缺陷对其电导率的极为敏感的影响分析。
单层石墨缺陷电导率计算方法

[发明专利]基于多因素协同作用的在轨航天器内带电风险评估方法-CN201810737316.7有效
发明人：全林;蒋锴;薛玉雄;史亮;石晟纬;王斌;杨生胜;秦晓刚;汤道坦 -专利权人：中国人民解放军63921部队
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多因素协同作用的在轨航天器内带电风险评估方法。使用本发明能够实现对航天器在轨内带电效应风险的量化评估。本发明是根据航天器在轨过程中空间高能电子环境实时变化引起的内带电效应的真实统计分析而制定的内带电效应风险评估方法，充分考虑了高能电子累积量、运行轨道环境、以及航天器恢复程度对内带电效应风险的影响，并对内带电效应风险值进行量化，可对航天器造成的内带电效应风险进行实时干预和制定相应的应急预案，避免空间内带电效应引起航天器不可恢复的故障，对提高航天器在轨安全稳定运行具有重要作用。
基于因素协同作用航天器带电风险评估方法

[发明专利]一种晶振表面分子筛膜材料及其制备方法和应用-CN201810832274.5有效
发明人：张劲松;矫义来;郭兴;杨生胜;薛玉雄;庄建宏 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C01B37/02 文献下载
摘要：本发明属于传感器探头材料领域，具体的是涉及一种晶振表面分子筛膜材料及其制备方法和应用。在晶振表面特定位置制备分子筛膜，首先制备分子筛前驱体溶胶，采用旋转涂覆法将分子筛前驱体溶胶或分子筛前驱体溶胶与纳米分子筛粉末的混合浆料涂覆到晶振表面特定位置。经低温干燥处理后，将涂覆分子筛前驱体的晶振放置于反应釜中，利用水产生的蒸汽压促使分子筛前驱体发生晶化。该方法结合涂覆法和原位合成法的优点，可以在晶振表面特定位置制备高界面结合强度分子筛膜，且分子筛膜厚度与分子筛类型可调控。负载分子筛膜的晶振具有良好的信号相应性能，可用于各种有机、无机气体检测。
一种表面分子筛材料及其制备方法应用

[发明专利]一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法-CN202210484943.0在审
发明人：张有鑫;薛玉雄;单光宝;刘洋;王新淦;曹荣幸;郑澍;李红霞;韩丹;曾祥华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01R27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
一种剂量效应 tsv 结构材料性能变化分析方法

[发明专利]一种航天器在轨空间风险管理系统-CN202210397578.X在审
发明人：张之谦;薛玉雄;蒋煜琪;曹荣幸;王煜泽;李光耀;刘洋;李红霞;曾祥华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F16/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种航天器在轨空间风险管理系统，包括数据处理模块、载荷状态监视模块和环境态势显示模块，数据处理模块对航天器回传的数据进行预处理，包括三个子模块：数据解包、滤波处理和数据存储，以还原物理量、对缺失的数据进行卡尔曼滤波处理计算获得缺失数据的预估值、管理数据并存储；载荷状态监视模块读取所述数据处理模块处理后的载荷状态数据，按照选择的时间点或时间范围调用数据库相应的载荷数据，基于该载荷数据计算该时间范围内航天器所处空间环境的载荷数据平均值并显示，将该计算结果生成报表保存；环境态势显示模块按照选择的时间点或时间范围读取航天器的环境态势，并计算该时间点前后一段时间内环境态势的平均值并显示。
一种航天器空间风险管理系统

[发明专利]一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法-CN202210422028.9在审
发明人：黄鑫;吕贺;曹荣幸;梅博;薛玉雄;李兴冀;杨剑群;孟洋;李林欢;汪柯佳;刘洋;曾祥华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。
一种肖特基二极管电学特性曲线拟合优化方法

[发明专利]一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法-CN202210401979.8在审
发明人：孟洋;吕贺;曹荣幸;薛玉雄;梅博;张洪伟;刘洋;郑澍;李红霞;韩丹;曾祥华;李兴冀;杨剑群 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
一种 cmos 反相器单粒子效应仿真方法

[发明专利]一种基于STK与QT交互的卫星危险性评估可视化方法-CN202210402325.7在审
发明人：王煜泽;薛玉雄;李光耀;曹荣幸;刘洋;韩丹;郑澍;李红霞;周敏;曾祥华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F16/242 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于STK与QT交互的卫星危险性评估可视化方法，通过QT，将STKX组件以ActiveX控件的形式集成显示在GUI上，所述卫星危险性评估所需的数据以及模型预存在MySQL数据库中，所述MySQL数据库与QT预设的数据接口进行数据的输入和输出；所述卫星危险性评估所针对的卫星运行场景预存在所述MySQL数据库中，并经选择读取后载入所述ActiveX控件中，或者根据需要通过GUI建立新的卫星运行场景；所述卫星危险性评估包括在所述卫星运行场景下的单粒子风险评估，并将评估结果显示在GUI上。
一种基于 stk qt 交互卫星危险性评估可视化方法

[发明专利]一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法-CN202210305326.X在审
发明人：汪柯佳;曹荣幸;薛玉雄;李林欢;孟洋;黄鑫;曾祥华;刘洋;韩丹;李红霞;郑澍 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。
一种功率器件粒子错误鉴别方法

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 95 条