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[发明专利]一种像素驱动电路-CN202211721143.2在审
发明人：李晴;翟世奇;王文强;吴勇;王东;严琴;何滇;张野;金京;葛林男 -专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素驱动电路，包括：像素驱动单元电路，包括第一晶体管、第一控制开关、第二控制开关、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和发光元件；第一晶体管的源极分别通过第一控制开关和第二控制开关与第一控制电压和第二控制电压相连接，栅极与第二晶体管的漏极以及第四晶体管的栅极相连接，漏极与第三晶体管的源极相连接；第二晶体管的源极接入像素驱动电流；第四晶体管的源极和漏极均连接至驱动电源；第三晶体管的漏极与发光元件相连接。本发明中的电路，电路结构较为简单且线性度较高。
一种像素驱动电路

[发明专利]一种多电池模块电动汽车电源管理系统-CN202211730239.5在审
发明人：吴勇;王东;严琴;金京;葛林男;何振伟;何滇;檀生辉;宋小龙;刘恒;王凯;孙鸿健 -专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B60L58/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多电池模块电动汽车电源管理系统，涉及电源管理技术领域，包括电池管理模块和电池模组，所述电池模组设置有两组，两组电池模组的能量密度不同且能够相互独立工作，所述电源管理模块根据电池模组的状态切换使用两组能量密度不同的锂电池模组，本发明的电池模组采用能量密度较高和能量密度较低的电池模组组合的方式设计，并通过电源管理模块根据电池模组的状态切换使用两组能量密度不同的锂电池模组对电动汽车进行供电，从而提升了电池模组在低温环境下的能量利用率，并在一定程度上解决电动汽车在冬季续航短的问题。
一种电池模块电动汽车电源管理系统

[发明专利]一种GaN外延低位错薄膜及其制备方法-CN202211675880.3在审
发明人：陈兴;王东;吴勇;陆俊;严琴;金京;葛林男;何振伟;何滇;檀生辉 -专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN外延低位错薄膜，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、BN成核层、AlN/GaN SL缓冲层一、AlGaN缓冲层二、GaN沟道层、AlN阻挡层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用磁控溅射法‑BN成核层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
一种 gan 外延低位薄膜及其制备方法

[发明专利]一种增强型HEMT器件结构及其制备方法-CN202010465629.9有效
发明人：王东;汪琼;吴勇;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P‑型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P‑型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
一种增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种HEMT器件的外延结构-CN201911323134.6有效
发明人：汪琼;王东;吴勇;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
一种 hemt 器件外延结构

[发明专利]一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法-CN202010465882.4有效
发明人：吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
一种 gan 增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法-CN202010964120.9在审
发明人：王东;严伟伟;汪琼;吴勇;陈兴;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底L1、纳米柱层L2、成核层L3、快速合并层L4、高阻层L5、沟道层L6以及势垒层L7，本发明提供了一种新的结构及长法，实现硅衬底上氮化镓外延薄膜的高晶格质量，提高器件的性能。
一种尺寸 si 衬底 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法-CN202010964501.7在审
发明人：吴勇;葛林男;汪琼;王东;陈兴;严伟伟;陆俊;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。
一种型帽层增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种提高碳化硅功率器件散热性能的制备方法-CN202010465615.7在审
发明人：王东;严伟伟;吴勇;陈兴;严琴;何滇;汪琼;陆俊;葛林男;王俊杰;穆潘潘 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高碳化硅功率器件散热性能的制备方法，属于微电子技术领域，该器件包括从下至上依次层叠设置的高掺杂金刚石衬底层、SiC材料层、SiO2掩膜层、金属层和Si3N4绝缘层，同时还公开了上述器件的制备方法，本发明在SiC材料层的C面生长高掺杂金刚石层衬底，利用金刚石高的热导率，散热性能好，器件导通电阻低、较好的热稳定性，进而增加散热效率，可以有效增加碳化硅功率器件的散热速度，降低碳化硅功率器件的导通电阻，从而增强器件工作性能。
一种提高碳化硅功率器件散热性能制备方法

[发明专利]一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法-CN202010465628.4在审
发明人：吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
一种降低 mosfet 漏电接触电阻制备方法

[发明专利]一种近似同质外延HEMT器件结构及其制备方法-CN202010465630.1在审
发明人：吴勇;汪琼;王东;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种近似同质外延HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、石墨烯层一、缓冲层一、恢复层、石墨烯层二、缓冲层二、高阻层、沟道层以及势垒层，本发明可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性，适用于高压大功率电子器件应用，通过插入石墨烯层易于剥离，可以有效的缓解蓝宝石于氮化镓层的热失配以及可以提高蓝宝石衬底和氮化镓薄膜衬底的利用率，有效降低成本。
一种近似同质外延 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法-CN201911365345.6在审
发明人：陆俊;王东;吴勇;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种Si基GaN外延低位错薄膜，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
一种 si gan 外延低位薄膜及其制备方法

[发明专利]一种Si基氮化镓器件的外延结构-CN201911322780.0在审
发明人：汪琼;王东;吴勇;陈兴;陆俊;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种Si基氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由ALN/GaN循环生长组成，缓冲层是由InN/SiN/GaN循环生长组成，包括InN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过循环生长ALN/GaN成核层主要作用是缓解衬底与外延层的晶格失配和热失配，InN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
一种 si 氮化器件外延结构

[发明专利]一种高质量的HEMT器件外延结构-CN201911323108.3在审
发明人：吴勇;王东;陈兴;汪琼;葛林男;陆俊;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高质量的HEMT器件外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由PECVD生长的ALN层，其他层的都由MOCVD生长完成，主要的缓冲层是由ALN/SiN/GaN三个子层的复合循环生长组成，包括ALN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过PECVD的方法生长高晶格质量的ALN成核层，为后面的缓冲层做承接作用，再通过循环生长ALN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
一种质量 hemt 器件外延结构

[发明专利]一种氮化镓器件的外延结构-CN201911322814.6在审
发明人：王东;吴勇;汪琼;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;王俊杰;曾文秀;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
一种氮化器件外延结构

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