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[发明专利]一种Micro-LED全彩显示模组及制备方法-CN202310803186.3在审
发明人：王立;王伟;吴小明;刘志华;郑畅达;李璠;莫春兰;蒋恺 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法，在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列，每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组，其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜，第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜，第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色，作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列，使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素，从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度，提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。
一种 micro led 全彩显示模组制备方法

[发明专利]一种GaN基Micro-LED低损伤刻蚀方法-CN202211084815.3在审
发明人： 莫春兰;胡民伟;王立;李新华;陈芳;郑畅达;彭如意;陈湘婷 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀方法，包括：在GaN基Micro‑LED上形成刻蚀掩膜，以及对GaN基Micro‑LED进行刻蚀，特征是：对GaN基Micro‑LED刻蚀分为四个步骤，①钝化：通入钝化气体在刻蚀掩膜和GaN基Micro‑LED的表面生成一层聚合物作为钝化膜；②刻蚀：使用主刻蚀气体对钝化膜进行刻蚀，完成对钝化膜刻蚀后，继续对GaN基Micro‑LED进行刻蚀；③清扫：通入惰性气体对表面进行清扫；④以钝化‑刻蚀‑清扫的方式循环进行，最终完成刻蚀；所述刻蚀方式为Cl基气体对钝化层和需刻蚀层一同刻蚀，利用刻蚀的各向异性，完成对GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀。本发明在刻蚀GaN的过程引入能产生聚合物的钝化气体，最大可能地保护刻蚀侧壁，降低了刻蚀损伤对侧壁的影响，最终达到低损伤刻蚀GaN的目的。
一种 gan micro led 损伤刻蚀方法

[发明专利]一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法-CN202111628138.2有效
发明人：王小兰;吴海锋;张建立;高江东;潘拴;郑畅达;莫春兰 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，本发明通过在n型层和多量子阱层之间生长应力调控层和电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的V形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层V形坑平台和侧壁电导率不同，调控电子在V形坑附近的输运途径。本发明通过调整V形坑平台和侧壁的厚度或掺杂浓度来调控其电导率，不引入新的制造工序，不增加LED的制造成本且不影响制造的合格率来调控载流子在有源区的输运途径，从而提高GaN基LED的发光效率和可靠性。
一种提高 gan 发光器件光电转化效率生长方法

[发明专利]一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法-CN202310235069.1在审
发明人：吴小明;陈湘婷;王立;莫春兰;刘志华;胡民伟;林前英;王伟 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法，对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片，在制备方法上，在衬底上先生长过渡层，进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层，这样能提升材料质量和器件的内量子效率；另外，在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后，去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果，一是在外延被减薄后，LED芯片的纵向尺寸减小，横向尺寸不变，增大了LED芯片正向的出光角，而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层，在侧壁出光占比减小的情况下，LED芯片的正向出光性得到了提升，二是减少了这些部分对发射光的吸收；最终，结合粗化表面，能大幅度提升LED芯片的光提取效率。
一种高光效单面面积比例微型 led 芯片制备方法

[发明专利]一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构-CN202310083226.1在审
发明人：王小兰;刘梦宇;张建立;高江东;郑畅达;莫春兰;潘拴;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。
一种兼具响应速度 ingan 可见光探测器外延结构

[发明专利]一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板-CN202310130572.0在审
发明人：郑畅达;曹雷;王立;吴小明;莫春兰;陈芳;蒋恺;李璠;刘志华 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
一种 rgb 三色集成 mini led 芯片及其制造方法显示面板

[发明专利]一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法-CN202310203891.X在审
发明人：吴小明;林前英;江风益;陈芳;莫春兰;王立;黄超;夏邦美 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法，所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体层的表面；所述第二电极形成于电流阻挡层的表面；所述第二电极包括焊盘、传输电极和传输注入电极，焊盘和传输电极的宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度，通过对第二电极与电流阻挡层的宽度设计，减小电极下方电流拥挤，提高了大功率LED电流扩展均匀性，提高了大电流下芯片的亮度。
一种大功率垂直结构 led 芯片及其电流阻挡制备方法

[发明专利]一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法-CN202310217081.X在审
发明人：王立;王伟;莫春兰;吴小明;陈芳;李新华;蒋恺 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法，在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。本发明可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。
一种垂直结构隧道氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种窄发光峰LED芯片及其制备方法-CN202211546929.5在审
发明人：王立;王伟;莫春兰;吴小明;蒋恺;李新华;刘志华 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法，所述LED芯片至少包括：P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层，介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率，对其余波长的光具有高反射率，从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜，将侧壁出射的光反射回LED芯片，减少侧壁出光的光串扰效应，同时提高正面出光效率。本发明的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽，提高了发光方向性，减小了光串扰。
一种发光 led 芯片及其制备方法

[发明专利]基于北斗系统的隐蔽工程位移测量方法-CN202310436084.2在审
发明人：周智;莫春兰;王冠军;向冠男 -专利权人：海南大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01S19/42 文献下载
摘要：本发明提供基于北斗系统的隐蔽工程位移测量方法，所述方法应用于基于北斗系统的隐蔽工程位移测量装置，所述装置包括北斗表面测量部分、中间固定连接装置、结合三轴倾角传感器的隐蔽测量部分，所述北斗表面测量部分和结合三轴倾角传感器的隐蔽测量部分之间通过中间固定连接装置进行连接，本发明中的测量计算步骤包括建立坐标系，确定精度；解算北斗表面测量子系统的位置坐标；解算倾角传感器的倾斜角度，使用解算得到的信息结合连接杆杆长通过坐标传递方法计算得到中间点和隐蔽测点的位置信息，通过与初始位置做差获得隐蔽工程的位移时间序列，实现隐蔽工程的位移监测。
基于北斗系统隐蔽工程位移测量方法

[发明专利]一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法-CN202010661636.6有效
发明人： 莫春兰;朱凯;陈芳;吴小明;李新华;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。
一种极性氮化物方法

[发明专利]一种多色Micro LED发光模组制备方法-CN202010601783.4有效
发明人：王立;吴小明;刘虎;李璠;赵婕;田婷芳;饶郑刚;莫春兰;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
一种多色 micro led 发光模组制备方法

[外观设计]加湿器-CN202230617642.1有效
发明人： 莫春兰 -专利权人： 莫春兰
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：加湿器。2.本外观设计产品的用途：用于增加空气湿度。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
加湿器

[外观设计]驱蚊器-CN202230635869.9有效
发明人： 莫春兰 -专利权人： 莫春兰
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： 22-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：驱蚊器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于驱赶蚊虫的电器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
驱蚊器

[发明专利]一种具有P面钝化层的AlGaInN基LED制备方法-CN202010798818.8有效
发明人：吴小明;陈芳;莫春兰;王光绪;郭醒;罗昕;陶喜霞;李树强;丁杰;胡武民 -专利权人：吴小明;陈芳;莫春兰;王光绪;郭醒;罗昕;陶喜霞;李树强;丁杰;胡武民
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P面钝化层的AlGaInN基LED制备方法，在暂时衬底上依次外延生长N型AlxGayIn1‑x‑yN层，有源区和P型AlxGayIn1‑x‑yN层；在P型AlxGayIn1‑x‑yN层上制备P面钝化层；采用湿法蚀刻图案化P面钝化层，暴露出其下的AlxGayIn1‑x‑yN层，高温退火，使外延层中的H溢出至表面，并将表面还原，去除因生长P面钝化层在P型AlxGayIn1‑x‑yN层表面生成的产物，从而提高P型AlxGayIn1‑x‑yN层的导电性能；利用高浓度HCl水溶液清洗，彻底去除P型AlxGayIn1‑x‑yN层表面产物，然后在暴露的P型AlxGayIn1‑x‑yN层上制备P侧电极；制备邦定金属层，并与永久基板键合，去除暂时衬底；在N型AlxGayIn1‑x‑yN层上制备N侧电极；制备N面钝化层。本发明解决了制备P面钝化层时，P型AlxGayIn1‑x‑yN层表面发生变化，导电性变差的问题，提高了AlxGayIn1‑x‑yN基LED的可靠性。
一种具有钝化 algainn led 制备方法

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