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[发明专利]晶圆的承载方法及相关装置-CN202310900083.9在审
发明人：蔡德敏;李朝军 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供晶圆的承载方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，所述方法包括：获取所述晶圆的形貌信息；根据所述形貌信息，获取晶圆检测设备上的载物台所需的载物信息，所述载物信息包括以下至少一种：载物台尺寸、真空环的数量、真空环在所述载物台上的位置和大小、气孔的数量、气孔的排布方式；根据所述载物信息，设置所述晶圆检测设备的载物台，并将所述晶圆装载于所述载物台。本申请根据需要调整载物台的载物信息，以适应不同尺寸、厚度和形态的晶圆的检测需求。
承载方法相关装置

[发明专利]氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质-CN202310933061.2在审
发明人：蔡德敏;徐锦海 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀，第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液；基于初始状态信息和/或第一参数信息，检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；当满足第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的氮化镓单晶。腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀，具有废品率低等优点。
氮化镓单晶腐蚀方法电子设备存储介质

[发明专利]缺陷诊断方法及相关装置-CN202310900092.8在审
发明人：蔡德敏;李朝军 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供缺陷诊断方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，应用于多个衬底，所述方法包括：针对每个所述衬底，执行以下处理：对所述衬底进行缺陷检测，获取所述衬底的衬底缺陷检测结果；对所述衬底进行气相外延，生成所述衬底对应的外延片；对所述外延片进行缺陷检测，获取所述外延片的外延缺陷检测结果；根据所述衬底缺陷检测结果和所述外延缺陷检测结果，获取所述衬底的缺陷影响类别，所述衬底的缺陷影响类别用于表征所述衬底的缺陷对外延片的影响程度。本申请通过分别对衬底和外延片进行缺陷检测，确定衬底缺陷对外延片的缺陷影响类别。
缺陷诊断方法相关装置

[发明专利]一种自补给液镓的方法-CN202210780215.4有效
发明人：蔡德敏 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种自补给液镓的方法。本发明在反应腔体资源区内设置一液镓自补给装置，为镓舟提供稳定镓液流量。在液镓自补给装置中设计高温区、低温区以及介于两者之间的填充有惰性气体的中间区，通过高温区提供热量，惰性气体受热膨胀，由于气体膨胀后产生压强差，低温区向下匀速移动，从而推动液镓稳定流出。避免了现有技术采用HVPE的方法制备单晶GaN厚膜衬底时，由于镓舟中的镓液与HCl的化学反应导致镓液液面下降，从而影响了单晶GaN厚膜衬底的良率的情况。
一种补给方法

[发明专利]尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及HVPE反应器-CN202110823107.6有效
发明人：徐琳;蔡德敏;金超 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域。本发明公开了一种尾气中镓源回收装置，回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器；腔体内壁顶面为弧形；回收装置内部的温度为300‑800℃；本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE反应后尾气经过本发明中的尾气中镓源回收装置处理后，能够富集尾气中的镓源，并进行回收，同时回收后的镓源中不含有氯化铵等杂质或含有极少杂质。本发明中的尾气处理装置能够很好的分离尾气中的镓源和氯化铵等杂质，实现尾气中高纯镓源的回收。本发明中的HVPE反应器具有镓源回收装置，能够很好的回收HVPE反应中进入尾气中的镓源，提高原料的使用率，降低生产成本。
尾气中镓源回收装置处理 hvpe 反应器

[实用新型]外延工艺用托盘-CN202221612965.2有效
发明人：蔡德敏 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种外延工艺用托盘，能够改善外延边缘过度生长的问题。所述托盘包括托盘本体和侧壁，所述托盘本体用于承托衬底，侧壁包括凸出设置于朝向所述衬底一侧表面的凸块，所述凸块的比热容低于所述托盘本体的比热容。上述技术方案通过优化传统托盘结构，通过高比热容材质，实施温度控制技术，实现外延生长过程中抑制边缘生长突起的缺陷。
外延工艺托盘

[发明专利]一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法-CN202211679099.3在审
发明人：徐琳;孙璐;杜强强 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法，该装置和生长方法能够对晶体生长过程中或生长结束之后的降温过程中产生的裂纹进行检测；装置可以使用传统的HVPE法的高温反应炉，对传统的高温反应炉的石英托盘下方通过双层连杆连接，在双层连杆内部具有谐振腔和压电换能器，能够将托盘上的晶体在生长过程中或降温过程中产生裂纹时振动的声波信号进行采集并放大，并将采集的信号转化成电信号，以检测晶体是否有裂纹产生；通过该装置和方法能够确定裂纹是在哪个阶段产生，并改进相应的工序，可以降低不必要的原材料及时间成本浪费。
一种半导体晶体材料生长装置及其方法

[实用新型]一种气相沉积设备的气体组件及气相沉积设备-CN202222776884.2有效
发明人：李增林;王国斌;徐琳;蔡德敏 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相沉积设备的气体组件及气相沉积设备。本实用新型的气相沉积设备的气体组件包括：第一腔室、载气腔室和第二腔室。第一进气口设置于所述第一腔室顶部，且在第一腔室中设置筛子板，可有助于不易扩散的二族和/或三族源气体在第一腔室中均匀分布，同时，使得筛子板边缘筛子孔孔径大于中心筛子孔孔径，可进一步有助于二族和/或三族源气体的均匀扩散；载气进气口和第二进气口分别为设置于载气腔室和第二腔室侧壁上部的环形开口，可使得载气和进入第二腔室的四族、五族、六族源气体由各自气体腔室的四周均匀地进入腔室，从而提高腔室内气体的均匀性。
一种沉积设备气体组件

[发明专利]III-V族氮化物晶片N极性面单面抛光方法及III-V族氮化物晶片-CN202211604892.7在审
发明人：陈吉湖;吉玉宁;尚娟 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种III‑V族氮化物晶片N极性面单面抛光方法及III‑V族氮化物晶片，该III‑V族氮化物晶片N极性面单面抛光方法，包括：提供一III‑V族氮化物晶片，III‑V族氮化物晶片为(0001)面晶片取向，(0001)面朝向M面方向的斜切角为0.2‑10°；采用pH值为7‑8的纳米级抛光液对所述III‑V族氮化物晶片的N极性面进行抛光，其中，抛光的工艺参数为：抛光压力为140‑220g/cm2，抛光盘转速为25‑35rpm，以使所述III‑V族氮化物晶片的N极性面的表面粗糙度均方根小于第一预设阈值。本发明具有最终制得的III‑V族氮化物晶片具有表面粗糙度低、晶格缺陷少的优点。
iii 氮化物晶片极性单面抛光方法

[发明专利]氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法及设备-CN202110862495.9在审
发明人：蔡德敏;徐琳;张波;沈振华 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化物气相外延法生长III‑V族化合物单晶的方法及设备。所述方法包括：将III元素源、氮源与载气输入HVPE反应腔室内，并依次经过所述反应腔室内的第一区域、第二区域、第三区域，分别将所述反应腔室第一区域、第二区域和第三区域的调节至第一温度、第二温度和第三温度，使所述III元素源与氮源于所述第一区域发生反应而形成III氮化物单晶，使III元素源与氢气于第二区域发生反应而形成III元素单质，使氮源与卤素氢化物于第三区域发生反应而形成铵盐。本发明实施例提供的一种氢化物气相外延法生长III族氮化物单晶的方法，提高了III族氮化物单晶的产量和纯度，并能回收III族元素单质，降低了III族氮化物单晶的制备成本。
氢化物外延生长 iii 化合物方法设备

[发明专利]外延工艺用托盘-CN202210722466.7在审
发明人：蔡德敏 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题是，提供一种外延工艺用托盘，能够改善外延边缘过度生长的问题。所述托盘包括托盘本体和侧壁，所述托盘本体用于承托衬底，侧壁包括凸出设置于朝向所述衬底一侧表面的凸块，所述凸块的比热容低于所述托盘本体的比热容。上述技术方案通过优化传统托盘结构，通过高比热容材质，实施温度控制技术，实现外延生长过程中抑制边缘生长突起的缺陷。
外延工艺托盘

[实用新型]一种定位装置-CN202221628128.9有效
发明人：陈吉湖;吉玉宁;尚娟 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种定位装置，用于校准磨头与晶片装载治具呈同心圆布置，该定位装置包括：轴向设置的上定位组件与下定位组件，以及连接上定位组件与下定位组件的连接件；上定位组件包括与磨头的侧壁部分贴合的上贴合面，下定位组件包括与晶片装载治具的侧壁部分贴合的下贴合面，以通过连接件推动上贴合面与下贴合面分别贴合磨头的侧壁与晶片装载治具的侧壁，以带动晶片装载治具移动至预设位置。通过本实用新型，实现了磨头与晶片装载治具呈同心圆布置的校准目的。
一种定位装置

[发明专利]一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构-CN201910951222.4有效
发明人：徐俞;王建峰;徐科 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，包括以下步骤：提供二维材料基板；在二维材料基板表面生长AlN柱，形成位于二维材料基板上的AlN柱层；在AlN柱层上生长GaN厚膜；通过机械剥离的方式去除二维材料基板；通过研磨抛光处理的方法去除AlN柱层，并获得平整的GaN厚膜，该GaN厚膜即为自支撑GaN衬底。该方法可以利用在二维材料基板上进行外延生长时较低的成核密度，先在二维材料基板上高温生长AlN柱，再利用GaN侧向合并能力强的特点，以降低缺陷密度，在AlN柱上再生长GaN厚膜，以提高最终获得的自支撑氮化物衬底的晶体质量。
一种质量支撑 gan 衬底制备方法生长结构

[实用新型]一种共用金属源的HVPE装置-CN202122845238.2有效
发明人：赵毛毛;徐琳;金超 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种共用金属源的HVPE装置，包括气源室和若干个生长室，气源室和生长室之间设置可加热的第一输运管道；气源室包括第一加热装置、进气管道、以及金属承载舟；生长室包括第二加热装置，用于承载衬底的可旋转支撑件，以及第二输运管道；气源室内生成的金属前驱物气体经第一输运管道输送至生长室。通过将气源室与生长室分离，实现一个气源室同时连若干个生长室，提高生产效率；另外，将输送源气体的第二输运管道设置在生长室而不经过气源室，避免金属前驱物气体与源气体的反应生成物在气源室内壁沉积的不良效果，提高生长室内的源气体浓度，从而获得高质量的半导体外延层。
一种共用金属 hvpe 装置

[实用新型]氮化镓外延结构-CN202122942896.3有效
发明人：徐琳 -专利权人： 苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓外延结构，其包括：氮化镓衬底、设置在氮化镓衬底上的氮化镓成核层、覆盖在氮化镓成核层上的致密氮化镓层以及设置在致密氮化镓层上的氮化镓外延层；其中，所述氮化镓衬底表面分布有多个凹陷部，多个所述凹陷部在氮化镓衬底表面的分布位置与所述氮化镓衬底的表面缺陷分布位置相对应。较之现有技术，本实用新型提供的氮化镓外延结构易于制作，生产效率高，其中氮化镓外延层的质量有明显提升，利于大规模生产和应用。
氮化外延结构

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