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[实用新型]一种双感应钼坩埚提拉法晶体生长装置-CN201821117946.6有效
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长装置，坩埚底部分别放氧化锆坩埚托和锆托的坩埚托，氧化锆坩埚托上放置钼坩埚，钼坩埚周围套一个同心的钼保温环作为主要的感应发热体；钼桶外放置同心的下氧化锆保温桶，上保温采用硬质上碳毡保温桶和上保温碳毡盖作为上保温材料，保证钼坩埚、钼桶、保温材料和铜线圈中心轴线在一条直线上。本实用新型的装置，使得晶体生长成本大大降低，可极大促进高温晶体在光电科技领域的应用。
钼坩埚提拉法晶体生长保温材料本实用新型氧化锆坩埚保温桶同心的感应发热体保温碳毡高温晶体光电科技还原气氛晶体生长中心轴线保温环铜线圈氧化锆坩埚托碳毡硬质坩埚保温应用保证

[发明专利]一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长装置及方法-CN201810781626.9在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长方法，其特点是：将需要生长的晶体原料放入钼坩埚中，钼坩埚外放置一个比钼坩埚长约20％的钼桶，下保温采用氧化锆，上保温采用硬质碳毡保温，用扩散泵抽高真空，冲入Ar(N₂)+H₂的混合气体，铜线圈感应加热钼环和钼桶发热使钼坩埚中的原料融化采用提拉法生长晶体。采用全自动控制系统实现全自动无人值守晶体生长。
钼坩埚保温提拉法晶体生长还原气氛全自动控制系统提拉法生长晶体抽高真空感应加热混合气体晶体生长晶体原料无人值守扩散泵铜线圈氧化锆硬质碳放入钼环发热融化生长

[发明专利]一种采用布儒斯特角加工Nd:YAP激光晶体的方法-CN201810775594.1在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用布儒斯特角加工Nd:YAP激光晶体的方法，包括：晶体的选料、定向、切割和抛光；所述选料，采用He‑Ne激光照射肉眼可见散射点；所述定向，采用X‑射线定向仪；所述晶体切割，采用X‑射线定向仪；所述抛光，采用钻石微粉用四轴抛光研磨机抛光。本发明布儒斯特角加工方法，适用于激光晶体加工，加工工艺简单可靠，通用性好，不用镀膜，抗激光损伤阈值高，提高了晶体的使用寿命并降低了加工成本。
布儒斯特角抛光定向仪加工晶体的选料射线抗激光损伤抛光研磨机激光晶体激光照射晶体切割肉眼可见使用寿命散射点镀膜四轴微粉切割钻石

[发明专利]一种ABO₃混合晶体及生长方法-CN201810775369.8在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种ABO₃晶体及其生长方法，晶体化学式：Y_0.5La_0.5Al_0.5B_0.5O₃(YLABP)，生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1850℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明能克服传统YAP和LaBO₃因相变导致晶体容易开裂的生长困难，成为较易生长性能优良的激光晶体和闪烁晶体。
生长烧结惰性气体保护中频感应加热焙烧炉膛保温材料晶体化学式提拉法生长比例称量等静压机工艺步骤固相反应混合晶体激光晶体晶体生长晶体转速闪烁晶体生长过程生长性能压制成块保温罩宝石片发热体观察口氧化锆氧化铝提拉铱金坩埚保存

[发明专利]一种钙镁离子与铈共掺钇铝石榴石闪烁晶体及其制备方法-CN201810775434.7在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明一种钙镁离子与铈离子共掺钇铝石榴石晶体及其制备方法，该晶体的化学式为：Ca_3xMg_3yCe_3zY_{3(1‑x‑y‑z)}Al₅O₁₂，生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1950℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明闪烁晶体具有晶体生长成本低、容易制备大尺寸和提高晶体光产额等优点。
制备钙镁离子晶体生长闪烁晶体烧结共掺钇铝石榴石晶体惰性气体保护中频感应加热焙烧炉膛保温材料提拉法生长钇铝石榴石比例称量等静压机工艺步骤固相反应晶体转速生长过程压制成块保温罩宝石片发热体观察口晶体的氧化锆铈离子氧化铝提拉铱金坩埚保存生长

[发明专利]一种钕铒共掺GYAG激光晶体及其制备方法-CN201810775614.5在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕铒共掺GYAG激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为：Nd_xEr_xGd_2xY_3‑4xAl₅O₁₂，生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1960℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明激光晶体能克服传统Nd:YAG晶体容易开裂，容易生长大尺寸和降低晶体制备成本等优点。
激光晶体烧结共掺制备焙烧炉膛惰性气体保护中频感应加热提拉法生长保温材料比例称量等静压机工艺步骤固相反应晶体生长晶体制备晶体转速生长过程压制成块生长保温罩宝石片发热体观察口晶体的氧化锆氧化铝提拉铱金坩埚保存

[发明专利]采用布儒斯特角加工Cr⁴⁺:YAG晶体的方法-CN201810347591.8在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用布儒斯特角加工Cr4+:YAG激光晶体的方法，包括：晶体的选料、定向、切割和抛光；所述选料，采用He‑Ne激光照射肉眼可见散射点；所述定向，采用X‑射线定向仪；所述晶体切割，采用X‑射线定向仪；所述抛光，采用钻石微粉用四轴抛光研磨机抛光。本发明布儒斯特角加工方法，适用于激光晶体加工，加工工艺简单可靠，通用性好，不用镀膜，抗激光损伤阈值高，提高了晶体的使用寿命并降低了加工成本。
布儒斯特角抛光定向仪加工晶体的选料射线抗激光损伤抛光研磨机激光晶体激光照射晶体切割肉眼可见使用寿命散射点镀膜四轴微粉切割钻石

[发明专利]采用布儒斯特角加工Nd:YAG激光晶体的方法-CN201810347595.6在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用布儒斯特角加工Nd:YAG激光晶体的方法，包括：晶体的选料、定向、切割和抛光；所述选料，采用He‑Ne激光照射肉眼可见散射点；所述定向，采用X‑射线定向仪；所述晶体切割，采用X‑射线定向仪；所述抛光，采用钻石微粉用四轴抛光研磨机抛光。本发明布儒斯特角加工方法，适用于激光晶体加工，加工工艺简单可靠，通用性好，不用镀膜，抗激光损伤阈值高，提高了晶体的使用寿命并降低了加工成本。
布儒斯特角激光晶体抛光定向仪加工晶体的选料射线抗激光损伤抛光研磨机激光照射晶体切割肉眼可见使用寿命散射点镀膜四轴微粉切割钻石

[发明专利]钠钙镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法-CN201810347604.1在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钠钙镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，化学式为：Na3xCa3yYb3zY3(1‑x‑y‑z)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01,y＝0.0001～0.01，z＝0.05～0.3,x为Na离子的掺杂量，y为Ca离子的掺杂量，z为Yb离子的掺杂量，Na、Ca、Yb离子进入晶体均取代Y离子格位。采用中频感应加热提拉法生长晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；晶体生长温度约1970℃，提拉速度0.5～5mm/，晶体转速10～30rpm。本发明具有光产额高、抗辐照损伤强等优点。
掺杂量离子闪烁晶体烧结镱离子共掺钠钙制备提拉法生长晶体焙烧中频感应加热比例称量辐照损伤固相反应晶体生长晶体转速发热体格位式中提拉铱金坩埚保存

[发明专利]钠镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法-CN201810347572.5在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钠镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，化学式为：Na3xMg3yYb3zY3(1‑x‑y‑z)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01,y＝0.0001～0.01，z＝0.05～0.3,x为Na离子的掺杂量，y为Mg离子的掺杂量，z为Yb离子的掺杂量，Na、Mg、Yb离子进入晶体均取代Y离子格位。采用中频感应加热提拉法生长晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；晶体生长温度约1970℃，提拉速度0.5～5mm/，晶体转速10～30rpm。本发明具有光产额高、抗辐照损伤强等优点。
掺杂量离子闪烁晶体烧结镱离子共掺钠镁制备提拉法生长晶体焙烧中频感应加热比例称量辐照损伤固相反应晶体生长晶体转速发热体格位式中提拉铱金坩埚保存

[发明专利]掺铈铝酸钆镥石榴石晶体制备方法-CN201810347605.6在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铈铝酸钆镥石榴石晶体及其制备方法，化学式为：Ce3xLu3(1‑x‑y)Gd3yAl5O12其生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度约1950℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明具有晶体生长成本低、容易制备大尺寸、容易实现高浓度掺杂和闪烁性能出色等优点。
制备石榴石晶体晶体生长烧结酸钆铈铝惰性气体保护中频感应加热焙烧炉膛保温材料高浓度掺杂提拉法生长比例称量等静压机工艺步骤固相反应晶体转速闪烁性能生长过程压制成块保温罩宝石片发热体观察口氧化锆氧化铝提拉铱金坩埚保存生长

[发明专利]二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体制备方法-CN201810347611.1在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体及其制备方法，化学式为：M3xCe3yLu3(1‑x‑y)Al5O12，骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1970℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明闪烁晶体具有晶体生长成本低、容易制备大尺寸、容易实现高浓度掺杂和闪烁性能出色等优点。
制备二价金属阳离子镥铝石榴石晶体晶体生长烧结共掺惰性气体保护中频感应加热焙烧炉膛保温材料高浓度掺杂提拉法生长比例称量等静压机固相反应晶体转速闪烁晶体闪烁性能生长过程压制成块保温罩宝石片发热体观察口氧化锆氧化铝提拉铱金坩埚保存

[发明专利]镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法-CN201810347694.4在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，化学式为：Mg3xYb3yY3(1‑x‑y)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01，y＝0.05～0.3，x为Mg离子的掺杂量，y为基质Yb离子的掺杂量，Mg离子和Yb离子进入晶体取代Y离子格位。采用中频感应加热提拉法生长Mg3xYb3yY3(1‑x‑y)Al5O12晶体，发热体为铱金坩埚，1300℃的高温下烧结发生固相反应；用氧化锆和氧化铝做保温材料，用宝石片封住观察口，炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度约1970℃，提拉速度0.5～5mm/h，晶体转速10～30rpm。本发明具有光产额高、抗辐照损伤强等优点。
闪烁晶体掺杂量镱离子共掺制备离子炉膛惰性气体保护中频感应加热保温材料提拉法生长辐照损伤固相反应晶体生长晶体转速烧结宝石片发热体观察口氧化锆氧化铝格位基质式中提拉铱金坩埚

[发明专利]掺铈铝酸钆钇石榴石高温闪烁晶体及其制备方法-CN201510142760.0在审
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种掺铈铝酸钆钇石榴石高温闪烁晶体及其制备方法，该晶体的化学式为：Ce_3xGy_3(1-x-y)Y_3yAl₅O₁₂，工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长Ce_3xGy_3(1-x-y)Y_3yAl₅O₁₂晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度约1950℃，提拉速度0.5～5mm/h，晶体转速10～30rpm。本发明具有晶体生长成本低、容易制备大尺寸、高浓度掺杂和闪烁性能出色等优点。
掺铈铝酸钆钇石榴石高温闪烁晶体及其制备方法

[实用新型]一种铱金坩埚用的铱金圆环盖板-CN201520182933.7有效
发明人：陈建玉 -专利权人： 苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功能晶体生长用铱金坩埚的新型铱金圆环盖板，所述铱金盖板，是一个有一定弧度的纯铱金盖板；所述铱金圆环盖板，空心顶部2r范围：40mm≤2r≤200mm，外圆环直径2R范围：60mm≤2R≤300mm；所述铱金圆环盖板水平放置时圆环板面与水平面的夹角范围15º≤θ≤60º：所述铱金盖板厚度d范围:1mm≤d≤5mm。该铱金盖板适用于激光晶体和闪烁晶体等功能晶体生长制备过程中的温度梯度调控，可提高晶体内掺杂离子的浓度和晶体的光学均匀性，同时可减少保温材料对坩埚内晶体生长原料的污染，保证生长晶体的纯度。
一种坩埚圆环盖板

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