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[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[实用新型]一种可收纳CPR地垫-CN202320110890.6有效
发明人：袁玉荣;周敬梅;史俊林;黄玉萍;王静;朱清;舒俊 -专利权人：宜昌市急救中心
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A61H31/00 文献下载
摘要：一种可收纳CPR地垫，包括地垫，地垫左右两侧分别连接有翼片，在地垫一端填充有海绵，在地垫两端缝制有魔术粘扣带。本实用新型用于解决CPR培训长期跪地操作会引起膝盖损伤的技术问题。
一种收纳 cpr

[发明专利]提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法-CN202310756263.4在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层；所述第二半导体层包含依次层叠在所述电子阻挡层上的三维未掺杂BN层、二维N极性InBN层和P型半导体层；所述P型半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为周期性交替层叠的第一P型GaN层和第一P型InAlGaN层，所述第二子层为第二P型GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升多量子阱区域的载流子的匹配度。
提升载流子匹配发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]上电检测电路-CN202310844505.5有效
发明人：雷永庆;钱存;舒俊 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种上电检测电路，其包括镜像电路单元、电压分配单元、电压输出单元和反馈调整单元，于电源上电过程中，镜像电路单元随电源电压的变化输出电压控制信号，电压分配单元接收电压控制信号并输出对应的分压信号，反馈调整单元根据分压信号生成对应的反馈调整信号，电压分配单元根据反馈调整信号调整分压信号，电压输出单元与电压分配单元电性连接，用于对分压信号进行转换并输出对应的电压检测信号。在这种情况下，通过镜像电路单元、电压分配单元、电压输出单元和反馈调整单元的配合，在电源上电过程中，有效减少电源波动产生的不利影响，即在电源发生波动时难以破坏上电检测电路的稳定状态，以提高上电检测电路的稳定性。
检测电路

[实用新型]一种MEMS振荡器及时钟装置-CN202320488341.2有效
发明人：雷永庆;黄寿;舒俊;李泽 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS振荡器及时钟装置，属于微机电系统技术领域。该MEMS振荡器包括MEMS谐振器、维持电路模组和调制电路模组，其中，维持电路模组，与MEMS谐振器电信号连接，用于驱使MEMS谐振器振动并输出具有第一频率的初始时钟信号；调制电路模组，用于分别接收预设时钟频率补偿值和初始时钟信号，并根据预设时钟频率补偿值调制生成时钟频率补偿信号后，将时钟频率补偿信号和初始时钟信号进行耦合，以得到并输出目标时钟信号。本申请技术方案，仅通过常规的调制电路模组进行常规的信号调制生成和常规的信号耦合便可实现对MEMS谐振器的频率进行温度补偿，相比于小数锁相环，其功耗更低，使得MEMS振荡器的整体功耗大大降低。
一种 mems 振荡器时钟装置

[发明专利]一种超声波水表红外转换检表系统-CN202310990142.6在审
发明人：易进;吴明权;戴坡;陈剑;舒俊 -专利权人：湖南威铭能源科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01F25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波水表红外转换检表系统，其中，所述超声波水表红外转换检表系统包括MCU模块、红外接收模块、信号输出模块；所述红外接收模块分别与MCU模块和信号输出模块连接，所述MCU模块与所述信号输出模块连接；所述信号输出模块包括脉冲输出单元和RS485通信单元；所述脉冲输出单元分别所述MCU模块和红外接收模块连接，所述RS485通信单元与所述MCU模块连接。本发明解决了如何准确且快速的对超声波水表进行精准标定并输出结果的技术问题。
一种超声波水表红外转换系统

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311108416.0在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的金属反射层、AlGaN层、多孔AlN层、AlN合并层和Si掺杂AlGaN层，所述金属反射层包括Al、Ga、In、Mg金属中的一种或几种的组合；所述N型半导体层包括依次沉积在所述缓冲层上的多孔GaN层、GaN合并层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高有源区中光子逸出体材料的占比，即提高芯片的光提取效率，从而提高发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]射击按压动作检测的方法及装置-CN202310637110.8在审
发明人：柳玉;郭立军;张福;舒俊;张朋涛;黄伟 -专利权人：中国人民解放军91976部队
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F41A33/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及模拟训练技术领域，公开了一种射击按压动作检测的方法，包括：发送枪械控制指令至相应的仿真枪械处以使仿真枪械处控制仿真枪械处于工作状态；通过投影设备将设定训练场景投射至相应的显示屏幕上；在仿真训练过程中，通过设置于仿真枪械壳体处的霍尔元件来检测设置于模拟扳机处的磁铁相对于霍尔元件的位置变化以根据位置变化确定相应的位置感应信息；根据位置感应信息来获取模拟扳机的按压行程信息，并基于按压行程信息确定受训人员成绩。本发明实施例中的射击按压动作检测的方法通过采用霍尔元件对磁铁运动变化的检测来确定扳机的位置变化，从而实现对用户进行模拟射击时，按压扳机进行准确位置检测。
射击按压动作检测方法装置

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311055422.4在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、应力释放层、P型半导体层；所述缓冲层包括依次层叠在所述衬底上的Mg掺杂多孔AlN层、AlN/Si掺杂AlN超晶格层和Si掺杂AlGaN层；所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的Si掺杂多孔GaN层、GaN/Si掺杂GaN超晶格层、AlGaN层、GaN层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够减少外延材料在生长过程中缺陷的产生，降低材料的位错密度，改善外延片材料的质量，从而提高发光二极管外延片的良率和亮度等性能。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310883170.8在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应变调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应变调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的InAlN层、MgN纳米岛层、二维AlGaN层和InxGa(1‑x)N/GaN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够缓解现有技术中存在的晶体质量差，发光效率低且波长亮度均匀性偏低的问题。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]高辐射发光二极管制备方法及发光二极管-CN202310443745.4在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高辐射发光二极管制备方法及发光二极管，制备方法包括：提供一衬底；依次在衬底上沉积缓冲层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括按第一周期交叉沉积在低温应力释放层上的InxGa1‑xN量子阱层和InyGa1‑yN超晶格量子垒层，x＞y，InyGa1‑yN超晶格量子垒层包括按第二周期交叉沉积的Mg掺第一垒层和第二垒层，Mg掺第一垒层采用3D模式沉积制成，第二垒层采用2D模式沉积制成。本发明提供的发光二极管，能够减弱多量子阱层中因极化效应而导致的能带倾斜现象，提高发光二极管的质量。
辐射发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310695952.9在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；P型接触层包括C、Mg共掺杂的InGaN层，其中，Mg取代Ⅲ族元素，C取代V族元素。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310696356.2在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、复合P型层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合P型层包括C、Mg共掺杂的AlInGaN层，其中，Mg取代Ⅲ族元素，C取代V族元素。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种超声波水表计量方法及超声波水表-CN202310514777.9在审
发明人：舒俊;易进;易世华;陈剑;吴明权;李迪 -专利权人：湖南威铭能源科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01F1/667 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波水表计量方法，包括以下步骤：换能器发射并接收超声波信号；根据所述超声波信号，计算超声波信号的声速，并判断所述超声波信号的声速是否合理；通过超声波信号的声速，计算流体在轴线上的线速度以及雷诺数；基于所述雷诺数的大小，以及流体在轴线上的线速度与标准面速度进行拟合得到的拟合参数，计算流体在管段截面上的面速度；根据流体在管段截面上的面速度，计算超声波水表的流量值。本发明还公开了一种超声波水表。本发明解决了如何准确且快速的对超声波水表流量进行计算并输出结果的技术问题。
一种超声波水表计量方法

[发明专利]蓝宝石衬底LED外延片及其生长方法、LED-CN202310763803.1在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种蓝宝石衬底LED外延片及其生长方法、LED，包括：提供蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上生长缓冲复合层；所述缓冲复合层的生长步骤包括：在所述蓝宝石衬底上生长AlON过渡层，所述AlON过渡层的O组分含量沿外延方向递减；对所述AlON过渡层的表面进行氮化，以形成AlN界面层；在所述AlN界面层上依次生长AlN缓冲层、渐变AlGaN层及GaN缓冲层。基于多层渐进配合，获得高匹配度、高质量的缓冲复合层，进而能够在更容易的制备出高质量的氮化镓基外延层，减少蓝宝石衬底与氮化镓基外延层之间基于晶格失配和热失配造成的位错缺陷，提高发光二极管的发光效率。
蓝宝石衬底 led 外延及其生长方法

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