专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202310875766.3有效
  • 塞萨尔·龙思万里;李防化;胡舜涛;刘桂新 - 凌锐半导体(上海)有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-10-03 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件制造方法,包括:在衬底上外延形成基层区;在基层区中形成第一沟槽;在第一沟槽内表面形成P型层;在P型层内填充多晶硅;在第一沟槽上方形成第二沟槽;在第二沟槽中形成栅结构。相应公开了一种沟槽型MOSFET器件,包括:衬底、基层区、第一沟槽和第二沟槽;基层区位于衬底上表面,第一沟槽位于第二沟槽正下方,且均设置在基层区内;第一沟槽的内表面形成有P型层,P型层中填充有多晶硅。利用超结概念获得更小的开通电阻,采用分离型沟槽多晶硅技术减少了栅极到漏极的米勒电容,可制造出结构紧凑、原胞密度大和电流密度大的沟槽型MOSFET器件,可显著的提高器件的功率密度,降低成本,提高产品的可靠性。
  • 一种沟槽mosfet器件及其制造方法
  • [实用新型]加热系统的短路保护电路和加热系统-CN202121772892.9有效
  • 曾祥幼;张杰;胡舜涛 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2021-07-30 - 2022-01-07 - H02H3/08
  • 本实用新型公开了一种加热系统的短路保护电路和加热系统。加热系统包括:热敏器件;短路保护电路包括:短路功能模块、退饱和保护模块、过流保护模块和输出控制模块。短路功能模块的第一端与热敏器件的第二端电连接;退饱和保护模块的第一输入端与短路功能模块的第一端电连接,第二输入端与短路功能模块的第二端电连接;过流保护模块的第一端与短路功能模块的第二端电连接,第二端接入第二电源信号;输出控制模块的第一输入端与退饱和保护模块的输出端电连接,第二输入端与过流保护模块的输出端电连接,输出端与短路功能模块的控制端电连接。本实用新型实施例可以对加热系统的短路问题进行快速响应,并在故障解除后及时恢复系统运行。
  • 加热系统短路保护电路
  • [发明专利]一种功率二极管的测试装置及测试方法-CN202111128611.0在审
  • 曾祥幼;胡舜涛;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2021-09-26 - 2021-12-03 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种功率二极管的测试装置及测试方法。其中,功率二极管的测试装置包括恒流源模块、连接模块、开关模块和信号发生器,连接模块分别与恒流源模块和开关模块的第一端电连接,连接模块用于连接待测功率二极管,开关模块的第二端与恒流源模块电连接,开关模块的控制端与信号发生器电连接。本发明提供的功率二极管的测试装置及测试方法,通过信号发生器向开关模块的控制端传输开关信号,控制待测功率二极管的导通时间,得到待测功率二极管所能承受的最大持续导通时间,进而得到待测功率二极管的极限能量值,实现功率二极管的极限能量信息的获取,从而在应用及选取功率二极管时能够知道功率二极管的极限能量参数,降低安全隐患。
  • 一种功率二极管测试装置方法
  • [发明专利]一种图腾柱的车载充电机的控制电路-CN202111042713.0在审
  • 曾祥幼;张杰;胡舜涛 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2021-09-07 - 2021-11-19 - H02M1/42
  • 本发明公开了一种图腾柱的车载充电机的控制电路。该控制电路包括图腾柱功率电路和PWM控制电路。PWM控制电路包括脉冲宽度调制单元、控制单元和延时输出单元。脉冲宽度调制单元与图腾柱功率电路的输出端连接,用于根据图腾柱功率电路输出的电压和电流输出控制信号;控制单元与脉冲宽度调制单元连接,用于根据控制信号输出PWM信号;延时输出单元与控制单元连接,用于对PWM信号延时后输出;图腾柱功率电路的控制端与延时输出单元连接,用于根据延时后的PWM信号控制图腾柱功率电路的工作状态。本发明实施例通过延时输出单元对PWM信号进行延时,可以减小图腾柱功率电路的死区时间,提高图腾柱的车载充电机的整机效率和功率因数。
  • 一种图腾车载充电机控制电路
  • [发明专利]一种功率器件的短路测试装置及方法-CN202110875630.3在审
  • 曾祥幼;张杰;胡舜涛 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2021-07-30 - 2021-10-22 - G01R31/52
  • 本发明实施例公开了一种功率器件的短路测试装置及方法。该装置包括高压电源模块、开关模块、脉冲信号产生模块和测试底座;高压电源模块与开关模块连接,开关模块与测试底座的测试端子连接,开关模块在测试时闭合,将高压电源模块提供的高压电源信号输出至测试端子;脉冲信号产生模块与测试底座的控制端子连接,脉冲信号产生模块用于在测试时提供脉冲信号至控制端子;脉冲信号的脉冲时间可调;测试底座在脉冲信号输出时测试待测试功率器件,直至待测试功率器件短路。本发明实施例可以避免待测试功率器件的损坏,扩大功率器件的短路测试装置的使用范围;同时可以简化功率器件的短路测试过程,提高测试效率。
  • 一种功率器件短路测试装置方法
  • [发明专利]一种恒温测试系统及测试方法-CN202110152637.2在审
  • 曾祥幼;张杰;胡舜涛 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2021-02-03 - 2021-06-15 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种恒温测试系统及测试方法,其属于半导体开关管测试技术领域,恒温测试系统用于对半导体开关管在恒定温度下进行测试,包括:恒温块,所述恒温块上设置有绝缘导热垫片,所述半导体开关管设于所述绝缘导热垫片上;加热套件,与所述恒温块连接,用于对所述恒温块进行加热;温度传感器,设于所述恒温块上,用于测试所述恒温块的温度;半导体开关管底座,所述半导体开关管与所述半导体开关管底座连接;示波器,所述半导体开关管底座与所述示波器连接。本发明能够对半导体开关管在设定温度下进行准确测试。
  • 一种恒温测试系统方法
  • [发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202010693343.6有效
  • 李豪;张杰;胡舜涛;潘晓伟 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2020-07-17 - 2021-06-01 - H01L29/78
  • 本发明实施例公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法包括:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成沟槽;其中,所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层,所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成;在所述沟槽底部形成屏蔽导体;在所述屏蔽导体上形成栅极导体,所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平;去除所述第一绝缘层,所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。与现有技术相比,本发明实施例减小了屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的栅极电阻。
  • 屏蔽沟槽mosfet器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管-CN202010928400.4有效
  • 潘晓伟;张杰;胡舜涛;李豪 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2020-09-07 - 2021-05-25 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管。所述半导体器件的终端结构包括:主结、场限环和截止环;所述场限环位于所述主结与所述截止环之间;漂移层,所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层;其中,所述主结包括位于所述漂移层顶部的第一扩散区和第二扩散区,所述第一扩散区位于所述第二扩散区远离所述场限环的一端,且所述第一扩散区的深度小于所述第二扩散区的深度;所述主结还包括至少一个第一沟槽,所述第一沟槽位于所述第一扩散区内;所述第一沟槽用于驱使所述主结内的部分电流路径为纵向流动。本发明可以在提高器件击穿电压的同时保证器件终端结构的可靠性。
  • 半导体器件终端结构绝缘栅双极型晶体管

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