“肖德元”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果452个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭-CN201610120879.2在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的生长方法，是以柴氏拉晶法，将置于坩埚内的硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅生长的方法，其中，该硅原料包括表面生长氮化硅并掺杂氘的硅片及多晶硅碎块；在形成熔体时通入包括氩气的气体；以及在提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆的方法。
单晶硅生长方法及其制备

[实用新型]LED灯丝、发光元件及灯泡-CN201621473469.8有效
发明人：张汝京;肖德元;汪燕 -专利权人：嵘瑞芯光电科技（上海）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种LED灯丝、发光元件及灯泡。本实用新型LED灯丝包括LED芯条、底板、连接件以及导线；所述LED芯条包括多个LED芯片，所述LED芯片具有P端和N端，相邻的LED芯片的P端和N端连通；所述LED芯条固定在所述底板上，所述连接件固定在所述底板的两端，所述导线将所述LED芯条两端的P端和N端分别与所述连接件连接起来，所述连接件中设置有通孔。由于LED芯条已经串联好，在后续制作成LED灯丝时便无需进行多次固晶打线工艺；所述连接件中设置有通孔，易于实现可拆卸式安装，从而给装配与焊接带来便利。
led 灯丝发光元件灯泡

[发明专利]高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法-CN201310218019.9有效
发明人： 肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法。在本发明的一个示范性实施例中，一种鳍型场效应晶体管，包括衬底；鳍体，设置在该衬底上，该鳍体包括第一半导体鳍条，具有第一导电类型；以及第二半导体鳍层，共形地覆盖所述第一半导体鳍条，且具有与该第一导电类型不同的第二导电类型；栅极，覆盖所述鳍体，其中所述栅极和所述鳍体通过栅极绝缘层间隔开；以及源极和漏极，分别设置在所述栅极的相反两侧且接触所述第一半导体鳍条和所述第二半导体鳍层二者。
迁移率场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]无结晶体管及其制作方法-CN201310401293.X有效
发明人： 肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种无结晶体管及其制作方法，无结晶体管包括基底；形成于基底上的鳍，鳍的顶部在垂直于鳍延伸方向的截面呈半圆形，鳍具有第一掺杂类型的掺杂离子，并且离子浓度从鳍表面到鳍中心逐渐递减；横跨于鳍上的栅极结构；位于栅极结构两侧鳍中的源极和漏极，源极和漏极具有第一掺杂类型的掺杂离子。制作方法包括提供基底；图形化基底，形成鳍；对鳍的顶部进行至少一次的圆化处理，使鳍的顶部在垂直于鳍延伸方向的截面呈半圆形；对鳍进行第一掺杂类型的离子掺杂，使离子浓度从鳍表面到鳍中心逐渐递减；在鳍上形成横跨鳍的栅极结构；采用第一掺杂类型的掺杂离子对栅极结构两侧的鳍进行掺杂，形成源极和漏极。本发明能抑制短沟道效应。
结晶体及其制作方法

[发明专利]高压无结场效应器件及其形成方法-CN201510746889.2在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提出了一种高压无结场效应器件及其形成方法，在栅极结构下方依次形成沟道层和阻挡层，并且阻挡层的能带宽度大于沟道层的能带宽度，因此能够在沟道层和阻挡层的界面之间形成二维电子气，使形成的高压无结场效应器件具有高迁移率，并且还具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的高压无结场效应器件。
高压场效应器件及其形成方法

[发明专利]无结晶体管及其制造方法-CN201310299418.2有效
发明人： 肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种无结（junctionless）晶体管及其制造方法，制造方法包括提供基底，所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层；图形化所述第一半导体层，形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍；去除位于所述鳍下方的部分介质层，使所述鳍悬空于剩余介质层上；使所述鳍的表面平滑化，形成纳米线；对所述纳米线进行沟道离子掺杂，使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减；在掺杂后的纳米线上形成围栅结构；对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂，以形成源极和漏极。本发明能优化无结晶体管的性能。
结晶体及其制造方法

[发明专利]量子阱器件及其形成方法-CN201510707751.1在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的量子阱器件。
量子器件及其形成方法

[发明专利]量子阱器件及其形成方法-CN201510707771.9在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的量子阱器件。
量子器件及其形成方法

[发明专利]CMOS结构及其制备方法-CN201510683929.3在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提出了一种CMOS结构及其制备方法，在PMOS器件区和NMOS器件区中分别形成源漏外延材料的同时，还使用氘气作为载气，从而能够使氘原子存储在源漏外延材料的间隙中，作为杂质，由于形成的源漏外延材料作为源漏极，其均十分靠近栅极，在栅介质层形成的过程中，氘能够扩散出，并与栅介质层与衬底之间界面处的悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免载流子的穿透，降低热载流子效应，提高器件的性能及可靠性。
cmos 结构及其制备方法

[发明专利]外延层的形成方法-CN201510658742.8在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种外延层的形成方法，在采用气相沉积法形成外延层时，使用包括氘气的载气，由于处于氘气的环境中，能够使形成的外延层内部存有氘原子，在后续栅氧化层或器件的形成时，氘原子能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免载流子的穿透，提高器件的性能。
外延形成方法

[发明专利]晶圆的形成方法-CN201510659200.2在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶圆的形成方法，在形成硅衬底后，对硅衬底在氘气下进行快速热退火处理，形成钝化层，钝化层能够使硅衬底表面的粗糙度降低，在后续栅氧化层的形成或界面的形成时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免载流子的穿透，提高器件的性能。
形成方法

[发明专利]真空管闪存结构及其制造方法-CN201510658550.7在审
发明人： 肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提出了一种真空管闪存结构及其制造方法，在沟道中形成真空，并且采用氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构作为栅介质层，其中，氮化物能够很好的束缚电荷，从而为栅极和真空之间提供绝缘阻挡作用。由于采用了氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构作为栅介质层，能够使形成的器件具有更好的编程、擦除速度及贮存时间，同样还能够提高优越的栅极控制性能及极小的栅极漏电流。
真空管闪存结构及其制造方法

[实用新型]油烟机-CN201621125134.7有效
发明人：张汝京;余洁闻;陈海鸿;肖德元 -专利权人：昇瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种油烟机，包括风机、集烟罩、排风管以及过滤装置，所述风机设置于所述集烟罩内，所述集烟罩、所述过滤装置、所述排风管依次连接；其中，所述风机的数量为至少两个，所述集烟罩上开设有排风口，所述集烟罩通过排风口与所述过滤装置连通。该油烟机一方面通过增加风机的数量提高了抽风效果；另一方面通过过滤装置对排到室外的油烟气杀菌消毒，同时分解剩余油雾和有机物，起到了减少环境污染的作用；另一方面，通过自动清洗装置方便了油烟机内部的清洗。
油烟机

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310261335.4有效
发明人： 肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域表面形成第一鳍部，在第二区域表面形成第二鳍部；在半导体衬底表面形成绝缘层；在所述第一鳍部和第二鳍部表面依次形成P型量子阱层、N型量子阱层和势垒层；在所述绝缘层表面和势垒层表面形成第一栅极结构和第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧形成P型掺杂的第一源/漏极，在所述第二栅极结构两侧形成N型掺杂的第二源/漏极。所述晶体管的形成方法可以节约工艺步骤，降低工艺成本。
晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管芯片及其制造方法-CN201210476465.5有效
发明人： 肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管芯片及其制造方法，制造方法包括在半导体衬底上形成硬掩模图形；图形化半导体衬底，形成多个鳍；去除位于核心单元区域的鳍上的硬掩模图形，同时保留位于外围区域的鳍上的硬掩模图形，去除了硬掩模图形的鳍构成第一鳍，未去除硬掩模图形的鳍与位于其上的硬掩模图形构成第二鳍；形成栅极；在第一鳍上形成第一源极和第一漏极，在第二鳍上形成第二源极和第二漏极；在第一鳍、第二鳍之间的栅极上填充层间介质层，直至层间介质层覆盖第一鳍和第二鳍上的栅极；通过平坦化工艺去除第一鳍和第二鳍上的层间介质层、第二鳍上的栅极，直至露出第二鳍的硬掩模图形。本发明提高了鳍式场效应晶体管芯片的使用灵活性和电学性能。
场效应晶体管芯片及其制造方法