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[发明专利]半导体器件及其制备方法、电力变换装置-CN202211689631.X在审
发明人：姚尧;管佳宁;梁利晓;刘葳;覃荣震;肖强;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制备方法、电力变换装置。半导体器件包括：半导体层，具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，在第一侧表面上沿第一方向交替设置第一沟槽第二沟槽组，第二沟槽组包括1个第二沟槽或者包括沿第一方向排列的多个第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽均沿第二方向延伸，第一方向与第二方向平行于半导体层所处平面且彼此相交，与第一沟槽相邻的第二沟槽包括沿第二方向延伸的主体区域以及从主体区域朝向相邻第一沟槽方向凸出的枝节区域，主体区域同侧的枝节区域间隔设置，半导体层包括与第一沟槽相连的源区，源区位于第一沟槽与第二沟槽的枝节区域之间；栅极结构；假栅极结构；第一电极；层间介质层；第二电极。
半导体器件及其制备方法电力变换装置

[发明专利]功率半导体模块及其制造方法-CN202211669039.3在审
发明人： 罗海辉;董国忠;常桂钦;李寒;石廷昌;王梦妍;张文浩;彭勇殿;李亮星 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供功率半导体模块及其制造方法，包括顶板和壳体，其中，顶板设置在壳体顶部，顶板和壳体之间形成密闭空腔，密闭空腔内从上而下依次设置有电极、半导体芯片和底板，电极与半导体芯片对应设置。本发明将模块内部形成一个完全密封的空腔，在完全密封的环境下，有效阻止外部物质进入功率半导体模块内心成损伤，良好地保护以防腐蚀和/或由于湿气和/或其他围绕功率半导体模块的有害物质可能引起的其他损坏。
功率半导体模块及其制造方法

[发明专利]碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件-CN201911089381.4有效
发明人：戴小平;王亚飞;陈喜明;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件。该碳化硅MOSFET器件的元胞结构包括：位于元胞结构两侧且在所述漂移层表面内设置的第二导电类型阱区、位于所述阱区表面内的第一导电类型源区和位于元胞结构中心且与所述源区、所述阱区以及所述漂移层接触的栅结构。还包括位于所述源区上方且与所述源区形成欧姆接触的源极金属层，在元胞结构两侧，所述漂移层于其未被所述阱区覆盖的区域向下设置有侧部沟槽，所述侧部沟槽中设置有与所述侧部沟槽下方的所述漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。本公开通过在碳化硅MOSFET器件的元胞结构级别集成了SBD，改善碳化硅双极退化现象，提高芯片可靠性，并降低模块封装成本、提高模块电气特性。
碳化硅 mosfet 器件结构

[发明专利]带有P+沟槽结构的碳化硅MOSFET器件及制作方法-CN202211436700.6在审
发明人：罗烨辉;李诚瞻;郑昌伟;王亚飞;宋瓘;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及芯片制造技术领域，提供了带有P+沟槽结构的碳化硅MOSFET器件及制作方法。该器件的元胞包括：所述碳化硅N‑外延层内部形成有两个对称设置的P‑base区域；所述P‑base区域内部形成有通过自对准技术形成的N+源极区域，所述N+源极区域内部形成有P+沟槽；所述P+沟槽的底部下方形成有P+源极区域；所述碳化硅N‑外延层形成有层间绝缘介质，所述层间绝缘介质内设有栅极金属，所述层间绝缘介质设有源极开孔；所述P+沟槽的侧壁和底部，以及所述源极开孔的底部设有均匀厚度的源极金属。本公开实施例通过形成的N+源极和P+源极，使得源极与P‑base形成短接，抑制寄生NPN效应，同时又提高P+源极的精度，避免元胞内的不均流现象，提高器件的可靠性。
带有沟槽结构碳化硅 mosfet 器件制作方法

[发明专利]碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件-CN202010768456.8有效
发明人：王亚飞;刘启军;马亚超;陈喜明;刘坤;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第二导电类型第一源区和第一导电类型第二源区；位于相邻两个所述阱区之间的第一栅极沟槽；位于所述漂移层内且位于所述第一栅极沟槽下方的第二导电类型第一屏蔽区；设置于所述第一栅极沟槽内并分别位于所述第一栅极沟槽两侧的第一栅极和第二栅极。通过在第一栅极沟槽底部设置第一屏蔽区，可大幅降低阻断状态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高器件的长期使用可靠性。且通过在栅极沟槽内设置通过层间介质层隔离的第一栅极和第二栅极，即形成分裂状的栅极，可降低栅极寄生电容。
碳化硅器件结构制备方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件-CN201911370082.8有效
发明人：王亚飞;陈喜明;郑昌伟;焦莎莎;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于衬底层上的漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和第一JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及第一JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，位于肖特基金属之间漂移区表面的第二JFET区，以及漏极金属。本发明通过在碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，抑制了体二极管的开启，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的第二导电类型增强区之间，增加了芯片整体功率密度，且肖特基金属与第二JFET区进行间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。
一种碳化硅 mosfet 器件结构功率半导体器件

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件-CN201911370380.7有效
发明人：王亚飞;陈喜明;张超;张文杰;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于第一导电类型衬底层上的第一导电类型漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，以及位于衬底之下的漏极金属。本发明通过在三维分裂栅结构的碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，提高了MOSFET器件体二极管的开启电压，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的JFET区，增加了器件整体功率密度，且肖特基金属与JFET掺杂区域进行错位间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。
一种碳化硅 mosfet 器件结构功率半导体器件

[发明专利]逆导型IGBT芯片-CN202010864142.8有效
发明人：朱利恒;罗海辉;肖强;覃荣震;王梦洁 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开提供一种逆导型IGBT芯片，包括第一导电类型衬底；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于第二预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第一预设阈值；在所述第二预设范围外且于第三预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第二预设阈值；在所述第三预设范围外且于所述芯片边缘范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第三预设阈值。不仅解决了逆导型IGBT芯片的初次和二次电压折回现象，还降低了芯片的终端区的注入效率，从而降低了器件的高温漏电流。
逆导型 igbt 芯片

[发明专利]沟槽栅功率半导体器件及其制作方法-CN201911296084.7有效
发明人： 罗海辉;姚尧;肖强;肖海波;覃荣震;谭灿健 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种沟槽栅功率半导体器件及制作方法，该方法包括，在衬底表面形成第一导电类型区域和第二导电类型区域；在衬底表面刻蚀方形沟槽栅极和方形沟槽陪栅，陪栅位于栅极围成的区域内；在衬底表面和沟槽内部形成栅氧；在衬底表面及沟槽内部淀积多晶硅；在栅极围成的区域内表面形成第一导电类型源区；在栅氧表面及沟槽栅围成的区域表面沉积绝缘介质层；刻蚀沟槽栅极与沟槽陪栅之间的部分区域、沟槽陪栅之间的所有区域、沟槽陪栅及其上方的绝缘介质层，在刻蚀的窗口区域形成第二导电类型源区；在刻蚀的窗口内部及衬底表面形成发射极，并将多晶硅通过金属引出形成栅极；在衬底背面形成第一导电类型缓冲层、第二导电类型发射区及集电极。
沟槽功率半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种功率模块封装结构-CN202010668595.3有效
发明人：李道会;李想;马特·帕克伍德;王彦刚;罗海辉;刘国友 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。
一种功率模块封装结构

[发明专利]一种高强高弹可降解中空纤维及其制备方法和应用-CN202211016084.9在审
发明人：徐睿杰;殷泽峰;尹良栋;罗海辉;谢嘉宜;雷彩红 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： D01D5/24 文献下载
摘要：本发明属于中空纤维及其制备技术领域，公开了一种高强高弹可降解中空纤维及其制备方法。该方法包括步骤：选取PBS生物降解树脂并用真空烘箱进行干燥除水；所得干燥PBS生物降解树脂加入挤出机中熔融得到熔体，熔体由口模进行挤出成型，并通过环形风刀对其表面进行冷却，环形风刀温度为5～20℃，再经过一个带有温控系统的水槽对其进行冷却，控制水槽的冷却温度为30～50℃，最后将中空纤维经由牵引辊牵引进行收卷，得到外表面具有致密球晶，内表面具有片晶的PBS初纤；将PBS初纤放入真空烘箱进行干燥除水；所述口模的内径为1.5mm，外径为3～6mm；将干燥除水后的PBS初纤进行热处理退火，得到高强高弹可降解中空纤维。
一种高强高弹可降解中空纤维及其制备方法应用

[发明专利]碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件-CN202010591568.0有效
发明人：王亚飞;陈喜明;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件，所述元胞结构包括：位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中，在元胞结构两侧，于所述漂移层表面向下设置有侧部沟槽，以在所述漂移层表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽下方的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；设置于所述漂移层内，且位于所述凸台的顶部和侧壁以及所述侧部沟槽的底部靠近所述凸台的一侧的下方的第二导电类型屏蔽区。屏蔽区的加入，可大幅降低阻断态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高长期使用的可靠性。而且屏蔽区对器件导通特性的影响很小，可实现良好的栅极氧化层的电场应力和导通电阻之间的折中关系。
碳化硅 mosfet 器件结构制备方法

[实用新型]一种新型远距离非接触式位移测量传感器组件-CN202123365195.4有效
发明人：蒋延超;罗海辉 -专利权人：工讯科技(深圳)有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型远距离非接触式位移测量传感器组件，包括底座，所述底座上设有保护壳，所述保护壳的底面和侧面设有数个安装槽，所述底座上设有与安装槽对应的安装孔，所述安装孔内设有固定螺栓，所述底座通过固定螺栓与保护壳可拆卸连接，所述保护壳内上下两端滑动连接设有压紧板，所述压紧板上设有阻尼弹簧减振器，所述阻尼弹簧减振器一端与保护壳连接，另一端与压紧板连接，所述保护壳不设安装槽的一侧设有安装口，所述安装口内可拆卸链接设有安装盖，安装盖上设有橡胶圈，所述保护壳远离安装口一端设有顶紧弹簧，所述顶紧弹簧上设有保护垫，所述保护壳内壁设有隔温棉,该组件可以安装在不同位置上，为传感器提供防撞方高温能力，提高稳定性。
一种新型远距离接触位移测量传感器组件

[发明专利]半导体设备组件、压接式功率半导体模块及制造方法-CN202011362069.0有效
发明人：常桂钦;石廷昌;罗海辉;李寒;吴义伯;李星峰;彭勇殿;李亮星;张文浩;董国忠 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
半导体设备组件压接式功率半导体模块制造方法

[发明专利]一种功率半导体器件的低应力薄膜结构-CN201811257130.8有效
发明人：张鸿鑫;刘国友;罗海辉;谭灿健;唐智慧;冯宇;丁杰 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件的低应力薄膜结构，由下至上依次包括：基底、第一导电层、第二导电层和金属层，在第一导电层和第二导电层之间设有绝缘层，所述第二导电层穿过绝缘层与所述第一导电层部分接触。本发明设计的膜层结构，既可以保护芯片在封装过程中不受损伤，同时可以提升芯片封装的成品率，且各膜层之间应力较小，工艺实现简单，成本较低。此外，该膜层结构也有利于提高器件的可靠性，使器件在运行过程中，特别是在高温、高压、高震动等恶劣环境中得以正常工作。
一种功率半导体器件应力薄膜结构