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[发明专利]一种具有P型埋层的双沟道增强型GaN HEMT器件-CN202311063697.2在审
发明人： 罗小蓉;骆成涛;杨铖;魏雨夕;赵智家;薛刚;邱金朋;沈竞宇;魏杰 -专利权人：电子科技大学;华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有P型埋层的双沟道增强型GaN HEMT器件。该结构具有两层沟道2DEG，因而可显著降低器件的导通电阻，提高器件的饱和输出电流。其特征是：与源极电位短接的p‑GaN埋层对下层沟道中的2DEG有辅助耗尽作用，结合MIS栅或p‑GaN栅对栅极下方2DEG有耗尽作用，二者共同实现器件增强型；器件正向阻断时，p‑GaN埋层有利于扩展耗尽区宽度，降低了栅极边缘的电场峰值，同时p‑GaN埋层作为阻挡层减小了源、漏电极间通过缓冲层的泄漏电流，二者共同提高器件的击穿电压。
一种具有型埋层沟道增强 gan hemt 器件

[发明专利]一种具有抗ESD功能的GaN HEMT器件-CN202311076967.3在审
发明人：张鹏飞;赵智家;罗小蓉;谢欣桐;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体是涉及一种具有抗ESD功能的GaN HEMT器件。基于GaN HEMT与级联二极管具有高阈值、高耐压的特点，当GaN HEMT器件栅极施加电压达到ESD触发电压时，串联二极管导通形成静电泄放通道，使功率器件栅极电压不再上升，从而保护功率器件栅极不被高压击穿。本发明可有效提高器件抗ESD电压等级，增强器件鲁棒性，提升器件可靠性。栅源ESD静电泄放路径的级联二极管与GaN HEMT相同工艺步骤，易于实现集成。
一种具有 esd 功能 gan hemt 器件

[发明专利]一种具有多浮空场板和集电极PMOS结构的功率器件-CN202111015795.X有效
发明人：魏杰;李杰;戴恺伟;马臻;杨可萌;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场和集电极PMOS结构的功率器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性PMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端PMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，集电极PMOS沟道随集电极电压上升而自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
一种具有空场集电极 pmos 结构功率器件

[发明专利]一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件-CN202111015593.5有效
发明人：魏杰;李杰;戴恺伟;马臻;杨可萌;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性NMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，随集电极电压上升，集电极NMOS沟道自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下器件的表面电场得到优化，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
一种具有空场自适应 soi ligbt 器件

[发明专利]一种逆阻型IGBT-CN201711155364.7有效
发明人： 罗小蓉;刘庆;魏杰;黄琳华;苏伟;魏雨夕;李聪;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
一种逆阻型 igbt

[发明专利]一种具有P型漂移区的SOI LIGBT-CN202310340052.2在审
发明人： 罗小蓉;李杰;王俊楠;戴恺纬;朱鹏臣;卢金龙;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有P型漂移区的SOI LIGBT。本发明采用了P型漂移区和阴极的载流子存储层，导通时，器件以晶闸管模式工作，N型载流子存储层和阻挡槽栅提高了漂移区的载流子浓度降低了器件的导通压降；正向阻断状态下，阳极侧的N‑区调制了垂直方向的电场，避免了器件的垂直方向上的击穿；关断时，晶闸管的正反馈机制使器件在载流子的抽取过程中始终保持较低电压，在电压上升完成后的电流下降阶段，漂移区内所剩载流子已经不多，电流下降很快，表现出类MOS的关断特性，器件快速关断，关断损耗大大降低。器件的导通压降与关断损耗折中关系得到优化。
一种具有漂移 soi ligbt

[发明专利]一种低功耗功率器件-CN202210149551.9有效
发明人： 罗小蓉;马臻;王俊楠;朱鹏臣;杨可萌;苏伟;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种低功耗IGBT器件。相对于传统结构，本发明将P+发射极、N+发射极以及浮空P区连到不同的电位，从而自适应控制器件的工作状态。正向导通时，小电压下使发射极的PN结开启增强电导调制效应，大电压时自适应关断使器件饱和。开启过程中，浮空P区与发射极之间的二极管开启，为空穴提供一条通路，减小位移电流，降低了电流过冲。
一种功耗功率器件

[发明专利]一种自适应低损耗功率器件-CN202110829052.X有效
发明人：魏杰;戴恺纬;李杰;杨可萌;马臻;孙燕;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
一种自适应损耗功率器件

[发明专利]一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件-CN202310158874.9在审
发明人： 罗小蓉;邓鸿儒;彭小松;蒋卓林;魏雨夕;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难、难以实现增强型以及逆向导通电压大、电流小等问题，提出一种兼具高阈值电压和优良逆导功能的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用氧化镓沟道与P型氧化物半导体形成的PN异质结产生的耗尽区将鳍状氧化镓沟道夹断，从而器件实现增强型且具备高耐压、低泄漏电流等优良特性；当栅压高于阈值电压，鳍状沟道耗尽区收缩并在栅下形成电子积累层，从而器件导通。本发明的氧化镓功率器件兼具高阈值电压、低逆导电压和大逆导电流，以及高耐压、低导通电阻和易于集成的优点。
一种具有功能增强氧化功率器件

[发明专利]一种破碎机及使用方法-CN202310264704.9在审
发明人：卢老冲;罗小蓉 -专利权人：卢老冲
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B09B3/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种破碎机及使用方法，属于破碎机技术领域。包括破碎箱，所述箱门铰链于破碎箱外侧，所述连接罩固定设置于破碎箱一端，所述入料斗设置于连接罩外侧，所述粉碎机构包括多个粉碎轴，所述粉碎轴通过转动驱动进行转动，通过粉碎机构的设置，在进行对废弃物的粉碎过程中，可以通过多个粉碎进行输送并多次粉碎，不仅提高了粉碎的效率，而且可以提高粉碎的效果，使其可以充分的粉碎。
一种破碎使用方法

[发明专利]一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT-CN202111000705.X有效
发明人： 罗小蓉;张成;廖德尊;邓思宇;杨可萌;魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有逆向导通能力的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统MIS栅HEMT器件基础上引入电流阻挡层和多沟道导电通路，并且集成了反向续流肖特基管，降低了反向开启损耗。阻挡层形成2DHG阻断纵向电流通路，实现器件增强型。正向导通时栅极加高电位，栅极侧壁形成反型层使纵向沟道导通，漂移区的多沟道导电通路和栅极下方形成的电子积累层均降低了导通电阻；正向阻断时，阻挡层辅助耗尽漂移区调制电场，降低电场尖峰，此外多沟道区域形成的极化电场可以进一步提高漂移区耐压，有效缓解了导通电阻与耐压之间的矛盾关系；反向续流时集成肖特基管沿2DEG形成电流路径，降低导通损耗的同时相较于常规集成SBD的方法节省了面积。
一种具有逆向能力 gan rc hemt

[发明专利]一种具有集成NMOS管的LIGBT器件-CN202011593040.3有效
发明人：杨可萌;戴恺纬;罗小蓉;马臻;邓高强;魏杰;李聪聪;张森;李杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电极P+短接，另一端通过导电材料与集电极N+短接。新器件在反向导通时，集成NMOS管为电流提供了通路，新器件具有更好的反向恢复特性。在正向导通时，本发明通过提高集成NMOS管中P型沟道区的浓度提高阈值电压并防止该MOS管的穿通，即可有效抑制snapback效应。在器件关断时，集成NMOS管为电子抽取提供了路径，使新器件具有更小的关断时间和更低的关断损耗。本发明的有益效果为，相比于传统LIGBT，本发明可实现反向导通的功能且关断损耗更低。
一种具有集成 nmos ligbt 器件

[发明专利]一种具有鳍状结构的GaN HMET器件-CN202110879949.3有效
发明人： 罗小蓉;邓思宇;廖德尊;魏杰;贾艳江;张成;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有多鳍状结构的GaN HMET(高电子迁移率晶体管)器件。本发明主要特征在于：在器件导通时，沿器件垂直方向，多个间断分布的鳍状GaN层四周均有电子积累层，沿器件横向方向，GaN沟道层与势垒层异质界面存在高浓度与高迁移率的二维电子气(2DEG)，二者均有利于提高器件的导通电流，降低导通电阻；通过鳍状GaN层与势垒层形成的异质结构引入二维空穴气(2DHG)，切断了源极与二维电子气之间垂直方向的导电路径，实现了增强型GaN HMET器件；区别于传统GaN HMET中栅源之间大的横向距离，源极位于鳍状GaN顶部，减小了器件面积；位于源栅结构一侧的终端区域可降低栅边缘电场尖峰并引入新的电场尖峰，有利于提高器件耐压。
一种具有结构 gan hmet 器件

[发明专利]一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件-CN202110879952.5有效
发明人： 罗小蓉;贾艳江;孙涛;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;郗路凡;赵智家 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件。通过嵌入具有极化结的肖特基势垒二极管(SBD)进行反向续流，与外部反向并联续流二极管的器件相比，该结构在降低器件反向导通压降和寄生效应的同时，显著减小了整个器件的面积；在正向阻断状态，AlGaN/GaN HEMT两个异质界面处留下带有正/负电性的固定极化电荷削弱电场尖峰，改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，实现漂移区电场近似矩形的分布，提高器件击穿电压；在器件导通状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，降低导通电阻。
一种具有集成二极管双异质结 gan hemt 器件

[发明专利]一种具有阳极槽的低功耗横向功率器件-CN202210450409.8有效
发明人： 罗小蓉;王俊楠;戴恺纬;朱鹏臣;杨可萌;魏杰;马臻;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阳极槽的低功耗功率LIGBT器件。相对于传统阳极短路结构，本发明在阳极端引入阳极槽结构，包括阳极槽内的介质、包围介质的U形P掺杂区、位于阳极槽远离漂移区一侧且与U形P掺杂区接触的N型掺杂区，U形P掺杂区的一端与阳极相连，另一端与N型掺杂区的表面共同引出端为浮空的复合电极。在正向导通时，上述U形P掺杂区增大了空穴注入面积，增强了电导调制效应，有效降低了导通电压；在低阳极电压下，U形P掺杂区与N型掺杂区之间相互耗尽，增大阳极分布电阻，有效抑制了snapback现象；在关断过程中，正向电压增加使N型掺杂区的耗尽区变窄，提供了一条电子抽取通道且通过复合电极进行消除，从而减少了关断损耗。
一种具有阳极功耗横向功率器件

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