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[发明专利]抗MET抗体及其应用-CN202210749235.5在审
发明人：保罗·米基耶利 -专利权人：阿戈马布治疗有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：所述抗体或其抗原结合片段以高亲和力结合人MET蛋白(hMET)并且以高亲和力结合小鼠MET蛋白(mMET)，其中，所述抗体或其抗原结合片段是hMET激动剂和mMET激动剂。
met 抗体及其应用

[发明专利]一种具有鳍状结构的GaN HMET器件-CN202110879949.3有效
发明人：罗小蓉;邓思宇;廖德尊;魏杰;贾艳江;张成;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有多鳍状结构的GaN HMET(高电子迁移率晶体管)器件。沟道层与势垒层异质界面存在高浓度与高迁移率的二维电子气(2DEG)，二者均有利于提高器件的导通电流，降低导通电阻；通过鳍状GaN层与势垒层形成的异质结构引入二维空穴气(2DHG)，切断了源极与二维电子气之间垂直方向的导电路径，实现了增强型GaN HMET器件；区别于传统GaN HMET中栅源之间大的横向距离，源极位于鳍状GaN顶部，减小了器件面积；位于源栅结构一侧的终端区域可降低栅边缘电场尖峰并引入新的电场尖峰，有利于提高器件耐压。
一种具有结构 gan hmet 器件

[发明专利]基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门-CN201510380083.6有效
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：在HMET栅极上方对称设计的两个悬臂梁作为信号的输入端，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当HMET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，此时HEMT的沟道被耗尽层阻断，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时HEMT的沟道处于导通状态，漏极输出为低电平
基于砷化镓基低漏电悬臂梁开关非门

[发明专利]基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器-CN201510379200.7有效
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明的基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器由直流偏置源、上拉电阻、GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT组成，在HMET栅极上方对称设计的两个悬臂梁作为信号的输入端，在悬臂梁下方各有一个下拉电极当HMET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，此时HEMT的沟道被耗尽层阻断，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时HEMT的沟道处于导通状态，漏极输出为低电平
基于砷化镓基低漏电悬臂梁开关非门 rs 触发器

[发明专利]带压电介质层的GaN HEMT器件-CN202111291026.2在审
发明人：周炳;翁加付;施宁萍;毛建达 -专利权人：桂林理工大学;宁波海特创电控有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文通过在传统GaN HEMT器件结构的基础上，通过压电材料替换传统的栅介质层，发明了一种全新的带压电介质层的GaN HMET器件结构。
压电介质 gan hemt 器件

[发明专利]一种新型的太赫兹频谱仪-CN202010916107.6有效
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的太赫兹频谱仪，采用基于NMOSFET栅极光栅化结构的探测器、基于肖特基接触光栅化结构的探测器、基于HMET栅极光栅化结构的探测器、基于“波‑热转换结构”的探测器、基于多频太赫兹天线结构的
一种新型赫兹频谱仪

[发明专利]一种增强型HEMT器件-CN201510713864.2在审
发明人：陈万军;施宜军;王泽恒;胡官昊;刘丽;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供的栅控增强型HMET器件，与常规的凹槽栅-增强型AlGaN/GaN HEMT器件不同的是，本发明中源极金属与半导体之间的接触是肖特基接触而不是常规结构中的欧姆接触，而且源极位于栅极和漏极之间；
一种增强 hemt 器件

[发明专利]一种介质辅助两次成形T形栅的制作方法-CN201310052169.7有效
发明人：康耀辉;高建峰;章军云 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明利用于HMET器件的实际生产，从效果来看，本发明可操作性强，实际效果很好，对器件的性能提升有很好的帮助，具有极好的市场应用前景。
一种介质辅助两次成形制作方法

[发明专利]一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件-CN202110038284.3有效
发明人：魏杰;邓思宇;郗路凡;孙涛;贾艳江;廖德尊;张成;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件。
一种具有钝化渐变离子终端 gan hmet 器件

[发明专利]一种具有p-GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件及其制备方法-CN201910818394.4在审
发明人：黄义;李金鹏;陈伟中;李顺;张金沙;黄垚 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有p‑GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件及其制备方法，属于半导体功率器件领域。
势垒层击穿电压钝化层异质结漏极半导体功率器件高介电常数材料电流坍塌效应电子阻挡层栅极漏电流电场导通电阻沟道电场降低器件晶格匹配栅极边缘栅结构衬底减小帽层势垒源极制备调制

[发明专利]一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法-CN202211209682.8在审
发明人：郭怀新;王瑞泽;戴家赟;潘斌;钟世昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的制备方法中引入上吸保护压力板、互连介质设计和工艺控制，实现片内微流GaN HMET功率器件与微流驱动模块的高质量集成互连。
一种片内微流 gan hemt 功率器件冷却集成组件及其制备方法

[发明专利]顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法-CN202210090222.1在审
发明人：杨凌;武玫;李仕明;侯斌;王平;吕玲;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：单片异质集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，在AlGaN势垒层远离衬底一侧的表面依次生长SiN介质层和p型金刚石层；刻蚀去除部分p型金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HMET
顶层金刚石 mosfet gan hemt 单片集成结构及其制备方法

[发明专利]一种双极性GaN HEMT器件及其制备方法、芯片-CN202310261242.5在审
发明人：李孟泽;刘杰 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：并使第一势垒层与第二势垒层之间互不接触，第一漂移层与第二漂移层相互连通，从而在栅极靠近漏极的一侧的下方形成耗尽区，并通过该耗尽区的内建电场抵消一部分电场尖峰，从而提升器件的击穿电压，解决了目前的GaN HMET
一种极性 gan hemt 器件及其制备方法芯片

[发明专利]基于神经网络的HMET散射参数提取方法、系统及存储介质-CN201910788925.X在审
发明人：秦剑;黄兴原 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于神经网络的HMET散射参数提取方法、系统及存储介质，提取方法包括：获取高电子迁移率晶体管的若干组散射参数样本数据；抽取若干组散射参数样本数据中的部分组训练神经网络，神经网络包括彼此分离的第一神经网络和第二神经网络
散射参数神经网络高电子迁移率晶体管样本数据神经网络测试训练神经网络电子迁移率晶体管测高彼此独立彼此分离测试参数存储介质剩余组准确率抽取测试输出应用

[发明专利]基于砷化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器-CN201510380082.1有效
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：GaAs基低漏电流四悬臂梁开关HEMT由两个GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT通过共源极接法相连构成，其中GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT的漏极与上拉电阻相连，源极接地，当HMET两个输入为低电平时
基于砷化镓基低漏电悬臂梁开关 rs 触发器

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