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[发明专利]基片处理系统和基片处理方法-CN202310143848.9在审
发明人：平瀬圭太;齐藤幸良;寺本聪宽;田中幸二;武井奖太;御所真高;北村和晃;池田真一;栗崎俊介;木村裕二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制在基片形成的图案的倒塌的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；批次处理部，其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理；单片处理部，其将上述基片组的上述基片以水平的状态逐一地进行处理；和接口部，其从上述批次处理部向上述单片处理部交接上述基片，上述接口部具有：将上述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的待机部；和从上述批次处理部向上述待机部交接上述基片的输送机构。
处理系统方法

[发明专利]基板处理系统和基板处理方法-CN202310071299.9在审
发明人：平瀬圭太;田中幸二;齐藤幸良;佐佐木庆介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供一种能够使基板处理系统的生产率提高的技术。本公开的一技术方案的基板处理系统具有：送入送出部，相对于该送入送出部将收纳多张基板的盒送入送出；批量处理部，其成批地处理包括多张所述基板的批次；单张处理部，其逐张地处理所述批次的所述基板；以及接口部，其在所述批量处理部与所述单张处理部之间交接所述基板，所述批量处理部具有：处理槽，其浸渍并处理所述批次；以及第1输送装置，其向所述处理槽输送所述批次，所述接口部具有：浸渍槽，其配置于所述第1输送装置的移动范围外，该浸渍槽浸渍所述批次；以及第2输送装置，其在所述第1输送装置与所述浸渍槽之间交接所述批次。
处理系统方法

[发明专利]称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质-CN201810267182.7有效
发明人：小西辉明;佐野和成;田中幸二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质。本发明提供一种高精度地定量供给要用于基板液处理装置中的处理液的基板液处理装置(A1)，所述基板液处理装置(A1)具备：贮存管(61)，其贮存处理液；导入配管(62)，其向贮存管(61)导入处理液；送出配管(63)，其从贮存管(61)送出处理液；以及气体供给部(65)，其通过向贮存于贮存管(61)的处理液的表面吹扫气体来进行处理液的刮除。
称量装置方法基板液处理存储介质

[发明专利]基板液处理装置-CN201810096859.5有效
发明人： 田中幸二;盐川俊行;山下浩司;益富裕之;小杉仁;稻田尊士;池田贵志;平山司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
基板液处理装置

[发明专利]基板液处理装置-CN201810292833.8有效
发明人：益富裕之;山下浩司;荒竹英将;田中幸二;土屋孝文;佐藤秀明;石井佑树;稻田尊士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
基板液处理装置

[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质-CN201710579877.4有效
发明人：益富裕之;盐川俊行;田中幸二;佐藤尊三 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备：处理槽(34)，其收纳基板(8)；以及多个气体供给管(81、82、83、84)，所述多个气体供给管(81、82、83、84)设置在处理槽(34)内。一个气体供给管(81)的喷出口(81a)与相邻的其它气体供给管(82)的喷出口(82a)在与基板(8)的电路形成面平行的方向上不重叠。
基板液处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111295785.6在审
发明人：饱本正巳;北野淳一;田中幸二;大塚贵久;南田纯也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。一边控制基板周围的气氛一边进行批量式的液处理。基板处理装置包括：处理容器，其具有储存处理液的储存部和封闭储存部的上部的开口的盖部；基板保持部，其将多个基板以铅垂姿势在水平方向上空开间隔地保持；第1旋转轴，其自基板保持部贯穿处理容器的第1侧壁向外侧水平延伸；旋转驱动部，其设于处理容器的外部，使基板保持部旋转；处理流体喷嘴，其设于盖部，自比处理液的液位高的位置向基板或其周围的空间供给处理流体。当盖部位于封闭位置时，处理容器的内部形成密闭的内部空间。当盖部位于开放位置时，能够相对于基板保持部送入送出基板。以各基板的仅下侧部分浸渍于处理液的状态进行液处理。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111289481.9在审
发明人：南田纯也;饱本正巳;北野淳一;田中幸二;大塚贵久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。对于具备间距变换机构的基板处理装置削减基板的交接次数。基板处理装置包括：基板保持部，其将多个基板互相平行地以第1等间距保持；基板输送装置，其自基板收纳容器将以第2等间距收纳的多个基板一起取出；以及移载机构，其自基板输送装置接收以第2等间距排列的基板，并将间距转换成第1等间距，将间距转换完成的基板向基板保持部传递。移载机构具有：间距转换单元，其具有多个卡盘和将卡盘彼此之间的间隔在第1等间距与第2等间距之间变更的间距变换机构；以及移动机构，其使间距转换单元在基板输送装置与间距转换单元之间的基板交接位置和间距转换单元与基板保持部之间的基板交接位置之间移动。
处理装置方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202111120675.6在审
发明人：鹤崎广太郎;山下浩司;山本裕介;田中幸二;金川耕三 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供降低疏水化剂的使用量，且使基片整体疏水化的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、保持部、有机溶剂供给部、排液口、气体供给部和排气口。上述处理槽积存浸渍基片的水层。上述保持部保持上述基片。上述有机溶剂供给部对上述水层之上供给有机溶剂，形成上述有机溶剂的液层。上述排液口从上述处理槽的底壁将上述水层排出，使上述有机溶剂的上述液层从比上述基片靠上方处下降至比上述基片靠下方处。上述气体供给部在上述液层下降的期间，从上述处理槽的上方对上述液层供给疏水化剂的气体。上述排气口因上述液层的下降而在上述处理槽的侧壁露出，将上述疏水化剂的气体排出。
处理装置方法

[发明专利]液处理方法和基板处理装置-CN201710086419.7有效
发明人：川渕洋介;立花康三;中森光则;大石幸太郎;江头佳祐;田中幸二;稻富弘朗;山下刚秀;福田喜辉;山下浩司;钓船祐;增住拓朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
处理方法装置

[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法-CN201610849288.9有效
发明人： 田中幸二;盐川俊行;益富裕之;佐藤尊三;田中裕司;稻田尊士;平山司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置能够利用处理液对基板均匀地进行处理。在本发明中，基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置（B1、D1）朝向水平方向地向外侧打开的位置（A1、C1）。
基板液处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和处理液浓缩方法-CN201911273652.1在审
发明人：小西辉明;金川耕三;黑田修;田中幸二;鹤崎广太郎;荒竹英将;小仓康司;平瀬圭太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和处理液浓缩方法。能够高效地使成为磷酸处理液的原料的磷酸水溶液浓缩成期望的浓度。本公开的一技术方案的基板处理装置包括：处理部，其利用处理液处理基板；以及处理液生成部，其生成向处理部供给的处理液。处理液生成部具有：储存部、循环管线、加热部以及喷嘴。储存部储存处理液。循环管线使储存于储存部的处理液循环。加热部加热处理液。喷嘴设于循环管线的下游侧，具有自储存于储存部的处理液的液面上方喷出由加热部加热了的处理液的喷出口。
处理装置浓缩方法

[发明专利]基板液处理装置-CN201580068790.X有效
发明人：小宫洋司;高木康弘;梅野慎一;田中幸二;佐藤尊三;穴本笃史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：实施方式的一形态的基板液处理装置具备输送部、处理部、贮存部、以及供液机构。输送部配置有输送基板的输送装置。处理部沿着水平方向与输送部相邻，配置有使用处理液来对基板进行处理的液处理单元。贮存部贮存处理液。供液机构将贮存到贮存部的处理液向液处理单元送出。贮存部配置于输送部的正下方。另外，供液机构配置于处理部的正下方。能够谋求基板液处理装置的省空间化。
基板液处理装置

[实用新型]基片处理装置-CN201821724128.2有效
发明人： 田中幸二;池田贵志;益富裕之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
处理液供给喷嘴基片处理装置基片处理处理液调压板蚀刻本实用新型划分区域排出口喷嘴排排出流通

[发明专利]基片处理装置-CN201811240941.7在审
发明人： 田中幸二;池田贵志;益富裕之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
处理液供给喷嘴基片处理装置基片处理处理液调压板蚀刻划分区域排出口喷嘴排排出流通

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