专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于信号灯控制的通用模型系统及信号灯控制方法-CN202211316170.1在审
  • 阚宇衡;王茂南;潘文安;徐承成;林懿伦 - 上海人工智能创新中心
  • 2022-10-26 - 2023-04-14 - G08G1/07
  • 为减少模型训练的时间,使提高信号灯控制的大规模部署落地的可能性,本发明提供一种用于信号灯控制的通用模型系统,包括特征提取模块以及动作预测模块。其中特征提取模块用于将交叉路口的交通流信息转换为路口信息特征向量,其中交通流信息包括各个交通流信号下的平均交通流量、K秒内的车道最大占用率、平均占用率、运动方向、包含车道数量、运动的持续时间、持续时间是否是最小绿灯时间、以及当前信号是否为绿灯。动作预测模块用于根据路口信息特征向量预测交叉路口的当前信号灯状态的持续时间。采用“设置当前相位持续时间”作为动作,不仅保留了交通周期的概念,也保障了驾驶员,行人等交通参与者的安全。
  • 一种用于信号灯控制通用模型系统方法
  • [发明专利]具有U形沟道的FinFET晶体管-CN201510226747.3有效
  • 温宗尧;王茂南;杨世海 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2015-05-06 - 2019-10-08 - H01L29/78
  • 本发明公开了具有U形FinFET的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括:衬底和位于衬底上方的鳍,其中,鳍在顶视图中具有U形并且具有第一臂部和第二臂部以及连接第一臂部和第二臂部的桥部。该半导体器件还包括位于衬底上方的第一栅极,第一栅极在第一臂部和第二臂部及桥部处与鳍接合。FinFET的源极区形成在第一臂部中,FinFET的漏极区形成在第二臂部中,并且FinFET的沟道区形成在源极区和漏极区之间的鳍中。本发明涉及具有U形沟道的FinFET晶体管。
  • 具有沟道finfet晶体管

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