|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 36个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种十进制编码电液数字流量阀-CN202310740407.7在审
-
李跃松;张贻哲;王棒
-
河南科技大学
-
2023-06-21
-
2023-09-19
-
F16K11/085
- 一种十进制编码电液数字流量阀，该阀包括步进电机、阀体、阀套、开关阀组和阀芯。阀套上有九个低位油口和n个高位油口，低位油口面积比为1：2：3：4：5：6：7：8：9；高位油口面积是最小低位油口面积的10倍二进制序列，即10：20：40：80：160：…：10×2n。在步进电机驱动下，阀芯内腔可以与任意一个低位油口相通，而高位油口与阀芯内腔的连通状态由n个开关阀通断的编码实现。通过对低位油口和高位油口通断的控制，整个阀的流量值有（10×2n+1+1）个。该阀的个位采用步进电机控制，高位采用多个开关阀编码控制，具有控制点数多、精度高、抗污染能力强、可靠性高、对驱动电机精度要求低等优点。
- 一种十进制编码数字流量
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310732567.7有效
-
周成;王棒
-
合肥晶合集成电路股份有限公司
-
2023-06-20
-
2023-09-08
-
H01L29/423
- 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法，包括以下步骤。提供衬底，于衬底内形成沟槽。形成保护层，保护层随形覆盖沟槽底部。形成抑制层，抑制层覆盖沟槽侧壁，且与保护层相接触。去除保护层。采用热氧化工艺于沟槽底部形成第一栅氧化层，同步热氧化抑制层以形成第二栅氧化层；第一栅氧化层的厚度大于第二栅氧化层的厚度；第一栅氧化层和第二栅氧化层共同构成栅氧化层。上述半导体结构的制备方法增大了沟槽底部的栅氧化层厚度，故改善了沟槽底部的栅氧化层耐压不足的问题，从而降低了沟槽底部的栅漏电容，提升了相应半导体器件的高频性能。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]一种双阀芯转阀控制型步进液压马达-CN202310387936.3在审
-
李跃松;张贻哲;王棒;李贵飞
-
河南科技大学
-
2023-04-12
-
2023-06-06
-
F15B15/08
- 一种双阀芯转阀控制型步进液压马达，包括双阀芯转阀、同步带传动机构、双出轴液压马达、角度传感器和油管，双阀芯转阀包括空心步进电机、阀体、被动阀芯和主动阀芯，同步带传动机构包括同步带大轮、同步带和同步带小轮，空心步进电机与双阀芯转阀的主动阀芯连接，双阀芯转阀的被动阀芯连接同步带大轮，双出轴液压马达后端的输出轴连接同步带小轮，双出轴液压马达通过同步带对双阀芯转阀形成机械负反馈，角度传感器除可实时监控双出轴液压马达的角度，还可通过外接控制器形成双出轴液压马达对双阀芯转阀的电气负反馈。该步进液压马达结构简单、可靠性高、成本低且具有运行状态实时监控，能对负载变化、内泄以及死区等因素进行电气补偿。
- 一种双阀芯转阀控制步进液压马达
|
