“王小周”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果125个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]HVPE设备的气路组件以及HVPE设备-CN202320346761.7有效
发明人：李京波;雷剑鹏;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本申请公开了HVPE设备的气路组件以及HVPE设备，其中，气路组件，包括：石英瓶，用于存放固态镓源；输入管，与石英瓶连通，用于单独输送HCl，使HCl单独与石英瓶内的固态镓源反应；输料管，用于输送反应原料；输出管，一端与石英瓶连通，另一端与输料管连通，用于将HCl与固态镓源反应后的反应物输送至输料管中。本申请通过单独的输入管输入HCl能够有效保证HCl与固态镓源的充分反应。
hvpe 设备组件以及

[发明专利]一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法-CN202110765243.4有效
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基;高歌 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法，探测器包括：氧化镓衬底、氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层、若干肖特基接触电极、欧姆接触电极和若干金属导电电极，氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层位于氧化镓衬底上，若干肖特基接触电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表层中，若干金属导电电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表面上，欧姆接触电极位于氧化镓衬底下。该探测器在紫外光照射下，镓纳米粒子产生等离激元共振效应，使其表面电场增强，散射截面增大，与氧化剂材料之间发生能量及热电子转移，大幅增强氧化镓基探测器对日盲光的探测能力，提升探测器的响应灵敏度。
一种氧化镓肖特基结紫外探测器制备方法

[发明专利]一种E-HEMT外延片及其制备方法-CN202310181011.3在审
发明人：李京波;刘志远;王小周;韩理想 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种E‑HEMT外延片，包括衬底以及依次堆叠在所述衬底上的U‑GaN缓冲层、P‑GaN层、U‑GaN沟道层、AlGaN势垒层以及栅介质层。本发明中P‑GaN层不是位于外延片的最顶层，而是位于AlGaN势垒层和U‑GaN沟道层之下，避免了由于P‑GaN刻蚀深度把控不准确而对AlGaN势垒层产生破坏从而影响2DEG的问题，提升了可靠性与稳定性。同时还可以避免界面侧壁产生额外泄漏路径的可能，降低了栅极漏电。
一种 hemt 外延及其制备方法

[发明专利]一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法-CN202310103229.7在审
发明人：李京波;张梦龙;张高天;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本申请公开了本申请提供一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法，包括：提供包括生长基板、GaN刻蚀层及GaN外延层的GaN外延基片；制备设置在GaN刻蚀层上的平边电极；提供稳压直流电源，将正极与平边电极连接；在GaN外延层的上表面形成柔性衬底；制备液体塑料，并将液体塑料涂抹在柔性衬底上表面、柔性衬底裸露的周侧以及GaN外延层周侧以形成保护层；用紫外灯照射液体塑料；准备电解液，使在GaN刻蚀层在电解液中发生刻蚀；去除液体塑料。通过在柔性衬底及GaN外延层的上方涂液体塑料，使形成的保护层可以保护柔性衬底免受电解液的侵蚀以及给柔性衬底提供应力支撑，本方法能够快速、大面积地剥离GaN外延层，且剥离过程不易污染电解液而使刻蚀中断。
一种生长基板上剥离 gan 外延方法

[发明专利]一种基于Ga2-CN202110645745.3有效
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga2O3终端结构的4H‑SiC肖特基二极管及制作方法，包括：SiC外延层；有源区，位于所述SiC外延层的表层中；终端区，位于所述SiC外延层中且位于所述有源区的两侧，其中，所述终端区包括若干间隔排列的Ga2O3终端结构，所述Ga2O3终端结构与所述SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中终端区采用Ga2O3材料，Ga2O3具有较高的击穿场强，可以显著降低4H‑SiC肖特基二极管周边区域的电场集中现象，降低器件的漏电流，提升器件可靠性，保证器件在正常的静态特性下可以显著提升反向耐压能力。
一种基于 ga base sub

[发明专利]一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用-CN202310186924.4在审
发明人：李京波;钱昊;汪禹;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用，外延片包括衬底以及依次设置在衬底上的UGaN隔离层、PGaN外延层、PGaN欧姆接触层，PGaN外延层内掺有Mg原子以及O原子。方法包括在MOCVD反应室设置衬底；通入Al源、Ga源以及N源，形成低温的AlGaN缓冲层；在AlGaN缓冲层上形成UGaN隔离层；通入Ga源、N源以及Mg源，形成PGaN外延层，Ga源包括含氧TMGa与普通TMGa；增加Mg源的流量，形成PGaN欧姆接触层。通入含氧的Ga源、N源以及Mg源，使O原子和H原子结合，进而有效破坏Mg‑H络合物；使O原子与Mg原子、Ga原子、N原子结合形成可以在GaN中稳定存在的Mg‑Ga‑O‑N缺陷复合物，以减小GaN的直接带隙宽度，进而降低Mg的激活能，提高载流子浓度，降低电阻率。
一种载流子浓度 pgan 外延制备方法应用

[发明专利]垂直晶体管器件结构及其制备方法-CN202310174875.2在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了垂直晶体管器件结构及其制备方法，其中，垂直晶体管器件结构，包括：GaN衬底，具有第一表面和第二表面；SiNx薄膜，形成在GaN衬底的第一表面，SiNx薄膜具有沟槽，沟槽的底部为GaN基底的第一表面；漏电极，形成在GaN衬底的第二表面Te材料层，形成在SiNx薄膜的表面，且覆盖沟槽；第一源电极，形成在Te材料层上；第二源电极，形成在Te材料层上，第一源电极和第二源电极分别位于沟槽的两侧。本申请用SiNx薄膜作为栅介质层；SiNx栅介质层具有较高的介电常数，减少栅极漏电，提高抗击穿能力。使用GaN衬底与Te材料层构成的晶体管，由于Te材料具有较高的载流子迁移率，同时具有偏振的效果，可大幅度提高晶体管的性能。
垂直晶体管器件结构及其制备方法

[发明专利]自驱动偏振光电探测器及其制备方法-CN202310159804.5在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本申请公开了自驱动偏振光电探测器及其制备方，其中，自驱动偏振光电探测器包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于所述Al2O3衬底的第一表面；SiNx绝缘层，位于所述本征GaN外延层的表面；二维Te层，同时覆盖在所述SiNx绝缘层和本征GaN外延层；Te层电极，位于所述二维Te层的表面；GaN层电极，位于所述本征GaN外延层的表面。本申请通过使用新型材料Te来制作光电探测器，从而全面提升光电探测器的性能。
驱动偏振光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种P型多晶硅/AlGaN异质结耗尽型HEMT器件及其制备方法-CN202310295491.6在审
发明人：李京波;韩理想;王小周;龚彬彬;刘传凯 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种P型多晶硅/AlGaN异质结耗尽型HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底；设置在衬底的上方的未掺杂的GaN层；设置在GaN层的上方的未掺杂的第一AlGaN层；设置在第一AlGaN层上方的含有Si掺杂的第二AlGaN层；设置在第二AlGaN层上的P型的多晶硅层，并与第二AlGaN层形成异质结；设置在第二AlGaN层上方且包覆在多晶硅层外周的栅介质层；栅电极、源电极以及漏电极。P型多晶硅与Si掺杂的第二AlGaN层形成异质结，同时形成内建电场，当向栅电极施加负电压时，内建电场与外部电场方向相同，使得不需要很高的栅压，即也不需要减薄栅介质层的厚度，就可以有效的将器件关断，实现低阈值电压有效调控器件关断的目的。
一种多晶 algan 异质结耗尽 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]用于提升SIC外延片质量的卫星盘结构以及SiC外延生长设备-CN202310128844.3在审
发明人：李京波;汪禹;钱昊;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了用于提升SIC外延片质量的卫星盘结构以及SiC外延生长设备，其中，卫星盘结构包括：多个卫星盘盘体，各卫星盘盘体分别转动安装在石磨盘对应的柱形槽上，卫星盘盘体上具有安装槽；均热密封片，滑动密封设置在卫星盘盘体的安装槽内，均热密封片和安装槽之间形成气腔，均热密封片具有容纳SiC外延片的生长槽，生长槽具有向中间凹陷的凹陷底壁；多根气管，各气管的一端分别与对应的气腔连通，气管通过向气腔内充气或吸气来控制均热密封片在安装槽内的高度。本申请通过改变气腔的体积，来实现精细控制每一片SIC外延片的温度，提高SIC外延片之间的温度均匀性，达到提升良率的目标。
用于提升 sic 外延质量卫星盘结以及生长设备

[发明专利]GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310174116.6在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了GaN HEMT器件及其制备方法，其中，GAN HEMT器件包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于Al2O3衬底的第一表面；AlGaN外延层，位于本征GaN外延层的表面；h‑BN栅介质层，位于AlGaN外延层的表面；栅金属电极，位于h‑BN栅介质层的表面；源金属电极，位于AlGaN外延层的表面；漏金属电极，位于AlGaN外延层的表面，漏金属电极和源金属电极分别位于h‑BN栅介质层的两侧。本申请栅介质层采用的是二维材料h‑BN，h‑BN栅介质层和AlGaN外延层之间的接触形成了范德华界面，具有更好的界面质量；h‑BN栅介质层的介电常数与SiO2相比要更高，且具有更良好的绝缘效果，相比SiO2，更不容易被击穿，所以能使器件有更好的栅极调控效应；h‑BN的获取方法简单，具有易操作、成本低的优势。
gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池伏安特性测试系统-CN202310221582.5在审
发明人：肖文波;雷剑鹏;孙雪琴;李京波;吴华明;王小周 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明属于仪表测试技术领域，具体涉及一种太阳能电池伏安特性测试系统。该测试系统硬件主要包括场效应晶体管，数据采集卡，采样电阻；软件主要包括数据采集模块、数据分析处理模块、数据存储模块。该测试系统对太阳能电池的伏安特性实现自动化测试，大大缩短了测试周期，且降低了电阻箱负载方法测试的误差。系统拥有较好的人机交互界面，操作简单。
一种太阳能电池伏安特性测试系统

[发明专利]宽栅增强型HEMT器件及其制备方法-CN202310110755.6在审
发明人：李京波;王小周;韩理想;刘杭瓒;刘传凯;吴望龙;刘志远 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了宽栅增强型HEMT器件及其制备方法，其中，宽栅增强型HEMT器件包括：衬底；U‑GaN缓冲层，位于衬底的上表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；U‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于U‑GaN沟道层的表面，具有第一沟槽和第二沟槽；源电极，形成在第一沟槽；漏电极，形成在第二沟槽；栅介质层，位于AlGaN势垒层、源电极以及漏电极的表面；宽栅电极，形成在栅介质层的表面。本申请不采用P‑GaN在上层的结构，而是将P‑GaN放在AlGaN势垒层下方，这样设置可以避免因P‑GaN刻蚀不均匀对AlGaN势垒层所造成的破坏，减少了2DEG的损耗，使器件的电学性能更加稳定；用宽栅电极来覆盖AlGaN势垒层、源电极和漏电极，宽栅电极可以使耗尽的2DEG反型，从而达到开启的效果。
增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]用于提升晶圆退火质量的激光退火设备-CN202310103787.3在审
发明人：李京波;王小周;龚彬彬;韩理想;吴望龙 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于提升晶圆退火质量的激光退火设备，包括：载物台；第一载镜台，具有能够上下和左右移动的第一滑杆；第一反光镜，转动安装在第一滑杆上；第二载镜台，具有能够上下和左右移动的第二滑杆；第二反光镜，转动安装在第二滑杆上；激光装置，用于形成预热激光和退火激光，预热激光的功率小于退火激光的功率。本申请操作时，可实现当前区域的退火与下一区域的预热同时进行，大幅降低了晶圆表面的热应力形变，同时提升了退火效率。本申请载物台为固定装置，晶圆置于其上，且两者固定不动，避免或大幅减少了现有退火设备中因晶圆运动所产生的一些影响退火质量的杂质。
用于提升退火质量激光设备

[发明专利]一种新型P-GaN埋层增强型HEMT器件及其制造方法-CN202310180155.7在审
发明人：李京波;汪禹;刘传凯;王小周;韩理想 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型GaN埋层增强型HEMT器件及制造方法，器件包括依次堆叠的衬底、第一U‑GaN高阻层、P‑GaN埋层、第二U‑GaN高阻层、U‑AlGaN层、N‑AlGaN层、栅介质层以及电极，AlGaN层上刻蚀形成第一凹槽。方法包括依次形成衬底、第一U‑GaN高阻层、P‑GaN埋层、第二U‑GaN高阻层、U‑AlGaN层以及N‑AlGaN层，在AlGaN层上刻蚀形成第一凹槽，再形成栅介质层以及电极。通过对AlGaN层进行减薄处理，使得AlGaN与GaN界面处的极化较弱，从而使凹槽下方的二维电子气密度降低，以及生产制造时不需要二次外延的U‑GaN/P‑GaN/U‑GaN/AlGaN的外延结构，使得本发明的增强型HEMT器件在栅压为0V时，源漏电流为4.03E‑10A，栅压增加到20V时，源漏电流增加到1.05E‑4A，在0V时能够实现很好的关断效果，开关比也能够达到106量级，能够实现较好的开启效果。
一种新型 gan 增强 hemt 器件及其制造方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 125 条