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[发明专利]外延结构及其形成方法-CN202211249958.5在审
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构及外延结构形成方法，外延结构包括第一外延层、第二外延层及界面处理层。第一外延层为欧姆接触层。第二外延层配置于第一外延层上，且为含磷化合物层，其中第二外延层的材质相异于第一外延层的材质。界面处理层接触第一外延层与第二外延层，且位于第一外延层与第二外延层之间。界面处理层与第一外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值及界面处理层与第二外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值均大于1.005。
外延结构及其形成方法

[发明专利]外延结构及其形成方法-CN202211249960.2在审
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构及其形成方法。外延结构包括第一外延层、第二外延层及界面处理层。第二外延层配置于第一外延层上。界面处理层位于第一外延层及第二外延层之间。界面处理层与第一外延层和第二外延层接触。第一外延层、第二外延层和界面处理层包含相同材质。界面处理层与第一外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值及界面处理层与第二外延层的透射电子显微镜图像亮度对比值均大于1.005。
外延结构及其形成方法

[发明专利]微型发光元件-CN202211137921.3在审
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光元件，包括第一型披覆层、发光层、第二型披覆层、多层窗口层以及至少一层中介层。发光层位于第一型披覆层上，且第二型披覆层位于发光层上。发光层位于第一型披覆层与第二型披覆层之间。多层窗口层位于第二型披覆层上。中介层位于相邻的二层窗口层之间。中介层的离子掺杂浓度小于等于多层窗口层的离子掺杂浓度。
微型发光元件

[发明专利]半导体结构-CN201810631400.0有效
发明人：黄吉豊;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括第一型掺杂半导体层、发光层、包括多个AlxInyGa1‑x‑yN层、至少一GaN系层以及欧姆接触层的第二型掺杂半导体层。发光层配置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层配置于发光层上。多个AlxInyGa1‑x‑yN层堆叠在发光层上，其中x及y是满足0x1、0≤y1以及0x+y1的数值。GaN系层介于多个AlxInyGa1‑x‑yN层的其中两者之间，以及欧姆接触层配置于多个AlxInyGa1‑x‑yN层上。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201911075775.4有效
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包含一基板。半导体结构也包含一缓冲层，缓冲层设置于基板上。半导体结构还包含一第一半导体层，第一半导体层设置于缓冲层上。缓冲层包含一第一缓冲结构与一第二缓冲结构，第二缓冲结构部分设置于第一缓冲结构上，且第一缓冲结构的材料与第二缓冲结构的材料不同。
半导体结构

[发明专利]微型发光二极管-CN202210258939.2在审
发明人：陈佶亨;许广元;王信介;吴俊德;陈奕静;史诒君 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管，包括第一堆栈层、第二堆栈层、第三堆栈层、接合层、至少一蚀刻终止层以及多个电极。第一堆栈层设置于第三堆栈层上方，第二堆栈层设置于第一堆栈层与第三堆栈层之间，第一堆栈层、第二堆栈层及第三堆栈层为三种不同发光颜色的半导体发光堆栈层。第一堆栈层包括第一有源层。第二堆栈层包括第二有源层。第三堆栈层包括第三有源层。接合层设置于第二堆栈层与第三堆栈层之间。至少一蚀刻终止层至少设置于第一有源层与第二有源层之间。多个电极分别电性连接第一堆栈层、第二堆栈层及第三堆栈层，其中至少一电极接触蚀刻终止层。
微型发光二极管

[发明专利]图案化基板与发光二极管晶圆-CN201710188511.4有效
发明人：赖彦霖;王信介;吴俊德;严千智 -专利权人：英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化基板与发光二极管晶圆。图案化基板包括基材以及多个图案结构。基材具有至少一元件配置区以及环绕元件配置区的切割区。图案结构与基材一体成型，且位于基材的切割区内。图案结构彼此分离且分布于切割区。
图案化基板发光二极管

[发明专利]晶圆载盘以及金属有机化学气相沉积设备-CN201711135837.7有效
发明人： 王信介;赖彦霖;吴俊德;严千智 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆载盘，其包括旋转轴心、中心平整区、晶圆设置区以及多个晶圆容置槽。旋转轴心穿过中心平整区的中心。晶圆设置区环绕中心平整区。多个晶圆容置槽设置于晶圆设置区。每一晶圆容置槽的直径为D，且中心平整区的半径为0.5D～3D。中心平整区的表面是平坦的平面。另提供一种晶圆载盘及使用上述两种晶圆载盘的任一种的金属有机化学气相沉积设备。
晶圆载盘以及金属有机化学沉积设备

[发明专利]磊晶结构及微型发光元件-CN202110885645.8在审
发明人： 王信介;许广元 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶结构及微型发光元件。磊晶结构包括量子井结构、第一型半导体层以及第二型半导体层。量子井结构具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层。量子井层中包括至少一图案化层，且图案化层包括多个几何图案。第一型半导体层配置于量子井结构的下表面上。第二型半导体层配置于量子井结构的上表面上。本发明的磊晶结构具有较佳的良率与品质，而本发明的微型发光元件，其包括上述的磊晶结构，可具有良好的光电特性及可靠度。
结构微型发光元件

[发明专利]微型发光元件-CN202110670147.1在审
发明人： 王信介;罗玉雲;赖彦霖;林子旸 -专利权人：镎创显示科技股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明为一种微型发光元件，其包含一非经蚀刻且自然磊晶成长的磊晶晶粒，由于该磊晶晶粒为自然磊晶成长，其侧壁的至少一部分表面的粗糙度小于或等于10nm，或是缺陷密度在108/cm2以下，或是平坦度误差值大于该磊晶晶粒厚度的0.1倍；因此，本发明微型磊晶晶粒的侧壁表面不受蚀刻破坏，可大幅减少悬浮键生成而可减少侧壁损坏效应，避免发光元件于微小化后，因侧壁损坏效应而造成严重的外部量子效率峰值衰减。
微型发光元件

[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件-CN201810345069.6有效
发明人：黄吉丰;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0x1)，而应力控制层由AlxInyGa1‑x‑yN表示的材料所构成(0x1、0y1、0x+y1)，且发光层具有多个彼此交替堆叠的阱层及阻障层的多重量子阱结构，且每两层阻障层间具有一阱层。该半导体发光元件至少包含如上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的n型电极与p型电极。由此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体质量劣化的问题；同时，更可减低阱层因材料差异所受的压缩应力。
氮化物半导体结构发光元件

[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件-CN201810345115.2有效
发明人：黄吉丰;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0x1)，而应力控制层由AlxInyGa1‑x‑yN表示的材料所构成(0x1、0y1、0x+y1)，且发光层具有多个彼此交替堆叠的阱层及阻障层的多重量子阱结构，且每两层阻障层间具有一阱层。该半导体发光元件至少包含如上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的n型电极与p型电极。由此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体质量劣化的问题；同时，更可减低阱层因材料差异所受的压缩应力。
氮化物半导体结构发光元件

[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件-CN201810344250.5有效
发明人：黄吉丰;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0x1)，而应力控制层由AlxInyGa1‑x‑yN表示的材料所构成(0x1、0y1、0x+y1)，且发光层具有多个彼此交替堆叠的阱层及阻障层的多重量子阱结构，且每两层阻障层间具有一阱层。该半导体发光元件至少包含如上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的n型电极与p型电极。由此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体质量劣化的问题；同时，更可减低阱层因材料差异所受的压缩应力。
氮化物半导体结构发光元件

[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件-CN201711123066.X有效
发明人： 王信介;李玉柱;吴俊德;林京亮;李允立 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一四元载子活性层，且四元载子活性层为氮化铝铟镓AlxInyGa1‑x‑yN，其中x及y为满足0<x<1、0<y<1、0<x+y<1的数值。该半导体发光元件于一基板上包含上述氮化物半导体结构，以及二相配合提供电能的N型电极与P型电极。由此，与公知的P‑AlGaN电子阻挡层相较下，该氮化物半导体结构及半导体发光元件能提升电洞进入多重量子井结构的效果，同时达到抑制电子逃逸进入P型半导体层的目的，使得电子电洞结合机率增加，进一步提升发光效率。
氮化物半导体结构发光元件

[发明专利]半导体结构-CN201911074567.2在审
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包含一基板。半导体结构也包含一第一缓冲层，第一缓冲层设置于基板上。半导体结构还包含一第二缓冲层，第二缓冲层设置于第一缓冲层上。半导体结构包含一组件层，组件层设置于第二缓冲层。第二缓冲层包含铝，且第二缓冲层的铝含量在远离基板的方向上逐渐增加。
缓冲层半导体结构基板组件层逐渐增加

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