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[发明专利]一种光束整形模组、方法及装置-CN202311188945.6在审
发明人：张满强;黄永忠;王晓峰;潘岭峰;何刘;陈永智 -专利权人：成都莱普科技股份有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光束整形模组、方法及装置，涉及光学技术领域，模组包括顺序设置的鲍威尔棱镜、平凸球面透镜和若干个平凸柱面透镜；鲍威尔棱镜用于接收单模高斯光束并将其整形为扇形发散的X轴方向为线性分布的第一光斑；其中，单模高斯光束的光斑尺寸范围为0.65‑0.75mm；平凸球面透镜用于固定第一光斑的Y轴方向宽度至目标宽度范围内并压缩第一光斑的X轴方向长度以得到第二光斑；若干个平凸柱面透镜用于将第二光斑的X轴方向长度压缩至目标长度范围内以得到目标线性平顶光束。解决了现有技术中激光生成的线斑存在顶部能量分布均匀性不佳等缺点，很难满足激光退火高均匀性和高稳定性的要求的问题。
一种光束整形模组方法装置

[发明专利]二氧化碳激光的光束整形设备以及光束整形方法-CN202310468102.5有效
发明人：张满强;黄永忠;王晓峰;潘岭峰;何刘;付志良;陈永智 -专利权人：成都莱普科技股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本申请公开了一种二氧化碳激光的光束整形设备以及光束整形方法，属于光学技术领域。该光束整形设备包括沿激光光束的入射方向依次设置的第一镜组、偏振调节系统、第二镜组、积分镜、AOI模组和短轴聚焦模组；其中，第一镜组包括对称设置的凹面形离轴抛物镜和凸面形离轴抛物镜；偏振调节系统包括沿激光光束的入射方向设置的半波片和薄膜偏振器；第二镜组包括对称设置的凸面形柱面镜和凹面形柱面镜。通过该光束整形设备以及方法将高斯分布的二氧化碳激光光束整形为线形平顶光束，线性光斑均匀性提升，同时对激光功率利用率可提高至80%以上，从而降低能耗及维护成本，并提高装备稳定性及可靠性。
二氧化碳激光光束整形设备以及方法

[实用新型]一种激光加工设备的光源截取装置-CN202220590092.3有效
发明人：黄永忠;潘岭峰;王晓峰;何刘 -专利权人：成都莱普科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B23K26/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光加工设备的光源截取装置，属于半导体加工和激光加工应用技术领域；包括沿同一轴线方向依次设置的基座、连接部、第一光阑座和至少一个第二光阑座，基座的远离连接部的一侧安装于激光加工设备上，第一光阑座和连接部插接连接，第二光阑座中，第一个第二光阑座与第一光阑座插接连接，其余的第二光阑座依次与前一个第二光阑座插接连接；入射光源首先进入末端的第二光阑座，并依次被设置于第二光阑座和第一光阑座内的多个孔径由大至小排列的孔径光阑截取，最终穿过基座出射至待加工零件表面；本光源截取装置能灵活组装，设置多个孔径光阑，分散热负担，最终保证加工光斑的尺寸和能量分布，稳定加工设备。
一种激光加工设备光源截取装置

[发明专利]一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统-CN202210274669.4在审
发明人：王晓峰;潘岭峰;黄永忠 -专利权人：成都莱普科技股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统，涉及激光退火技术领域，用于解决现有技术中因同一个激光光斑直接照射半导体器件表面出现的问题。根据半导体器件不同区域对激光退火的不同要求，具体说来，有的区域希望增强反射避免激光损伤，有的区域希望增加吸收。首先大面积淀积一层低折射率材料，而后图形化制备一层高折射率材料，二者光学厚度均为激光波长的四分之一，组合实现增强反射效果，其它区域为增强吸收效果。通过所述激光退火系统对采用本发明的半导体器件表面进行激光退火处理。
一种改善半导体器件激光退火效果方法系统

[发明专利]一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法-CN202110937199.0在审
发明人：黄永忠;何刘;王德友;潘冬;杨春兰;陈永智;王晓峰;潘岭峰 -专利权人：成都莱普科技有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了所述一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，包括：激光器发射激光，形成所述激光退火需要的光源；光学系统将所述激光器发射的激光整形聚焦成以下三种光束类型中的任意一种后，发射到晶圆表面。所述三种光束类型：圆形平顶光束、正方形平顶光束以及线形平顶光束；位移电动平台控制晶圆实现XY方向的交叉移动，发射到晶圆表面的激光光束能量被暴露在表面的金属区域吸收，使得金属区域温度升高，超过合金反应产生所需的阈值温度，合金反应产生并形成欧姆接触。与此同时，该能量密度对器件的其它区域没有损伤或其它不利影响。
一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触方法

[发明专利]衍射光学方法实现高斯光整形为超高长宽比的极细线型均匀光斑-CN201510875267.X有效
发明人：马衍强;王晓峰;潘岭峰;刘贺 -专利权人：北京润和微光科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明为一种新的利用平顶光衍射光学元件将高斯光整形为高长宽比的极细线型光斑的光路。其光路结构沿激光传播方向依次包括平顶光元件、球透镜、柱透镜。根据激光源参数，目标线光斑参数，得到相应规格的平顶光元件、球透镜、柱透镜，并得到最佳工作距离。衍射法具有结构简单轻便、光能利用率高、设计自由度高、光束能量均匀的优点。
衍射光学方法实现高斯光整形超高细线均匀光斑

[发明专利]一种匀化白光光源及其匀化方法-CN201710094643.0有效
发明人：伊晓燕;潘岭峰;王晓峰;何志;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： F21V5/00 文献下载
摘要：一种匀化白光光源，包括一光源、一匀化系统和一荧光转换器件，其中：光源为点光源，用于发射光束；匀化系统用于对光束进行匀化，以使光束形成匀化面光源；荧光转换器件，用于接收匀化面光源的光束，实现白光输出。上述匀化系统为扩散片、衍射光学元件或微透镜阵列；上述荧光转换器件为含荧光转换材料的晶体片、烧结陶瓷或有机薄膜。本发明通过将原始光源变为能量均匀分布的面光源，增加了与含荧光转换材料发光元件的作用面积，提高了原始光源的利用率；且匀化后的面光源能够大幅降低含荧光转换材料的荧光转换器件承受的功率密度，从而提高荧光转换器件的长期稳定性、可靠性和使用寿命，同时有助于输出色温及显色指数可控且稳定的白光。
一种白光光源及其方法

[发明专利]一种硅基MEMS晶圆多焦点激光切割系统及切割方法-CN201710721276.2有效
发明人：黄永忠;何刘;王晓峰;潘岭峰;闻永祥;王珏 -专利权人：成都莱普科技有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基MEMS晶圆多焦点激光切割系统及切割方法，属于集成电路和微机电系统物联网传感器领域，它包括激光器、光学系统和样品位移系统；所述激光器，用于发射激光，形成所述激光退火装置需要的光源；所述光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到硅基MEMS晶圆内部；所述样品位移系统，用于放置被切割硅基MEMS晶圆，并调整所述硅基MEMS晶圆的位置。使用该系统的切割方法相比现有技术具有操作灵活方便、技术先进，具有一次操作便能将硅基MEMS晶圆切割成型的特点，相比于现有技术更方便，效率极大提高。
一种 mems 晶圆多焦点激光切割系统方法

[发明专利]一种红外探测器及其制作方法-CN201610971868.5有效
发明人：张紫辰;王晓峰;潘岭峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种红外探测器及其制作方法，其中，所述红外探测器包括：衬底，所述衬底上设置有反射部，所述衬底上悬空设置有微桥，所述衬底与所述微桥围成的空腔形成光学谐振腔；所述微桥具有热敏层，所述热敏层上设置有图形化薄膜；红外光从所述图形化薄膜向所述衬底入射。所述红外探测器能够基于表面等离子体增强吸收原理，并利用周期性的图形化薄膜(如金属薄膜)，可以同时实现针对红外光中波和长波的探测；通过综合热敏层、光学谐振腔以及表面等离子体增强效应的共同作用，提高所述红外探测器同时针对红外光中波和长波的吸收率及器件性能，为用户提供更为全面准确的探测信息。
一种红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法-CN201510876293.4有效
发明人：刘敏;何志;刘胜北;刘兴昉;杨香;樊中朝;王晓峰;潘岭峰;王晓东;赵永梅;杨富华;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
一种通过激光刻蚀碳化硅制备结构方法

[发明专利]激光退火装置及方法-CN201611110318.0有效
发明人：张紫辰;王晓峰;潘岭峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的激光退火装置及方法，包括激光器，用于发射激光，形成所述激光退火装置需要的光源；光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为线形平顶光斑后，发射到样品表面；样品位移系统，用于盛放所述样品，并调整所述样品的位置。通过选择合适的激光波长可以使得有效加热深度位于样品表面以下数纳米至微米之间，提高了杂质的有效激活率，修复了器件在离子注入过程中带来的损伤，从而降低样品材料的方块电阻以及器件功耗。
激光退火装置方法

[实用新型]一种含低介电常数介质晶圆片的激光划片系统-CN201720224867.4有效
发明人：李海鸥;韦春荣;首照宇;李琦;陈永和;张法碧;李思敏;高喜;傅涛;王晓峰;潘岭峰 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B23K26/064 文献下载
摘要：本实用新型公开一种含低介电常数介质晶圆片的激光划片系统，包括激光器、扩束镜、光阑、反射镜、分束元件、可变焦距系统和移动平台；激光器出射的激光光束经扩束镜扩束后垂直进入光阑，经过光阑滤掉边缘杂光后的激光光束入射到反射镜，经过反射镜反射后的激光光束入射到激光光束分束元件，激光光束分束元件输出性质完全一致的两束激光光束，两束激光光束进入可变焦距系统，经可变焦距系统调节后的两束激光光束聚焦于位移平台上的晶圆片，两束激光光束共同作用于晶圆片上实现同步化片。本实用新型采用分束元件和可变焦距系统进行组合调节光束间距，设备简便、通用型强，加工质量高、效率好，尤其适用于含low‑k介质晶圆片的划片加工。
一种介电常数介质晶圆片激光划片系统

[实用新型]红外探测器薄膜激光退火系统-CN201720132443.5有效
发明人：李海鸥;丁志华;首照宇;李琦;陈永和;张法碧;李思敏;高喜;傅涛;王晓峰;潘岭峰;张紫辰 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。
红外探测器薄膜激光退火系统

[发明专利]一种利用二元波带片设计衍射多焦点元件实现轴向多焦点的方法-CN201610024854.2在审
发明人：刘贺;彭亦超;王晓峰;潘岭峰;马衍强 -专利权人：北京润和微光科技有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明提出一种利用二元波带片设计衍射多焦点元件的方法，以及实现轴向多焦点的光路结构。其光路结构沿激光传播方向依次包括衍射多焦点元件、聚焦镜或可实现聚焦功能的镜头模组。根据激光光源参数，目标焦点参数，设计出相应规格的衍射多焦点元件、聚焦镜。本文的设计方法具有高效、结构简单、光能利用率高、设计焦点数量和能量分布自由度高的优点。
一种利用二元波带片设计衍射焦点元件实现轴向方法

[发明专利]一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法-CN201510541609.4无效
发明人：赵永梅;何志;季安;王晓峰;黄亚军;潘岭峰;樊中朝;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
一种利用金属材料扩散实现硅键合方法

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