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[发明专利]多层二碲化钼场效应晶体管的电子-空穴可逆掺杂方法-CN202010506463.0有效
发明人：张礼杰;罗婷燕;潘宝俊;董幼青;邹超 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/383 文献下载
摘要：本发明公开了多层二碲化钼场效应晶体管的电子‑空穴可逆掺杂方法，先用机械剥离的方法制备MoTe2场效应晶体管器件，然后通过在空气中以适当的温度和时间加热MoTe2场效应晶体管器件得到P型掺杂的MoTe2场效应晶体管器件，再通过在扫描电镜舱室内用高压电子束对MoTe2场效应晶体管的表面进行辐照得到N型掺杂的MoTe2场效应晶体管器件。如此P型掺杂和N型掺杂的过程可以反复且可控，实现了多层二碲化钼场效应晶体管的电子‑空穴可逆掺杂方法，从而可以大范围地控制二碲化钼器件的电子传输极性，本发明方法简单，重复性好，所测得的二碲化钼性能好，对材料的损伤小，所需条件简单，对环境友好。
多层二碲化钼场效应晶体管电子空穴可逆掺杂方法

[发明专利]一种光电神经突触器件及其器件、二维材料的制备方法-CN202310370993.0在审
发明人：王佩剑;潘宝俊;蓝善贵;洪煜堃;张致翔;张礼杰;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明涉及光电神经突触技术领域，特别涉及一种光电神经突触器件及其器件、二维材料的制备方法，包括具有绝缘介质层的衬底，以二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层及功能层表面的源极和漏极，源漏极对应的功能层中的金属元素的占比不相同。本发明的利用以原子级厚度的二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层，有利于器件尺寸的缩微与集成；同时功能层的组分从偏钼变化为偏钨，为本征的渐变II类能带排布，有利于光生载流子的分离，使得光电响应更快；且由于晶格常数失配所导致的硫空位，有利于光电神经突触现象的产生，使得表征光电神经突触性能的双脉冲易化更大，同时空位对电荷起到储存记忆作用，器件的抗疲劳和保持性能更有优势。
一种光电神经突触器件及其二维材料制备方法

[发明专利]一种二维材料制备方法-CN202110594133.6有效
发明人：王佩剑;王亚哲;潘宝俊 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料制备方法，属于二维材料制备的技术领域，将前驱体置入石英管内，将生长衬底固定到石墨工件贯通扁槽内；载气以第一流速条件通入所述石英管并以第二流速条件通过石墨工件贯通扁槽，所述第一流速条件为石墨工件贯通扁槽外载气流速，所述第二流速条件为石墨工件贯通扁槽内载气流速，所述第一流速条件大于所述第二流速条件；通过控制第一流速条件和第一温度条件，使得石墨工件贯通扁槽内流场和温场相比石墨工件外在空间分布上更为均匀。使用本发明提供的二维材料制备方法可以在石墨工件贯通扁槽内获得面积较大且均匀生长的二维材料,且易于制备一些较少见、难长薄的二维材料和二维的非层状材料。
一种二维材料制备方法

[发明专利]一种薄层二维材料的转移方法-CN202211190612.2在审
发明人：王佩剑;洪煜堃;郑智元;潘宝俊;张致翔;蓝善贵 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及薄层材料集成与应用领域，特别涉及一种薄层二维材料的转移方法。将制备好的薄层二维材料湿法旋涂第一转移膜，将第二转移膜附着于第一转移膜之上，再通过显微镜头下定位转移的方法进行薄层二维材料到目标衬底、电极或者其他薄层材料上的精准转移。使用本发明可以使与衬底结合力高的材料也能精准转移到目标衬底的目标位置，实现制备少见或者难以生长的异质结或者精准构筑器件，同时实现目标衬底为超薄硅和阵列化电极的转移应用。
一种薄层二维材料转移方法

[发明专利]用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法-CN202210794343.4在审
发明人：王佩剑;蓝善贵;郑智元;潘宝俊;张致翔;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及忆阻器技术领域，公开了一种用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法，其中，功能层包括二维电介质层，所述二维电介质层引入有相应的空位缺陷。使用本发明的功能层使得表征忆阻器性能的开关比更大，而且制作得到的忆阻器器件不需要和现有技术一样需要在开始阶段先施加一个较大电压的初始化操作来诱导金属电极形成导电细丝，也有利于降低器件工作设置过程所需要的电压，降低功耗。
用于制备忆阻器功能以及相应制作方法

[发明专利]二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法-CN202111641991.8在审
发明人：王佩剑;刘影;潘宝俊;蓝善贵;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法，属于二维材料制备的技术领域。通过热蒸发镀膜方法在硅片上制备金属薄膜或者金属氧化物薄膜作为前驱体薄膜，将镀有前驱体薄膜的硅片与衬底面对面放置于蒸发舟中，利用化学气相沉积方法硫化前驱体薄膜，在衬底上生长二维过渡金属硫族化物。通过改变前驱体薄膜的厚度、硅片与衬底面对面的间距，能够得到厚度和尺寸可控的二维材料。本发明提供的制备方法普遍适用于二维材料的生长，包括二维过渡金属硒族化物和二维过渡金属碲族化物，同时能够用于二维材料合金以及异质结构材料的制备，制备工艺简单且可重复性高，能够有效的改善二维材料生长过程中的可控性和稳定性。
二维材料合金以及异质结制备方法

[实用新型]一种二维材料制备装置-CN202121176518.2有效
发明人：王佩剑;王亚哲;潘宝俊 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种二维材料制备装置，属于二维材料制备的技术领域，包括石英管，所述石英管第一端和第二端设有开口分别用于进气和出气；固定加热装置，所述固定加热装置设于所述石英管上下两端，所述固定加热装置用来固定并加热所述石英管；石墨工件，所述石墨工件直径小于石英管管径并设于石英管底部，所述石墨工件中部设有贯通扁槽；排气机构，所述排气机构设于所述石英管第二端开口处，用于石英管内减压排气；控制机构，控制第一流速条件和第一温度条件，使得石墨工件贯通扁槽内流场和温场相比石墨工件外在空间分布上更为均匀。通过使用本实用新型提供的二维材料制备装置可以在石墨工件贯通扁槽内获得大面积且均匀生长的二维材料。
一种二维材料制备装置

[发明专利]一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法-CN202010506839.8有效
发明人：张礼杰;潘宝俊;罗婷燕;邹超 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法，使用硫化氢作为硫源，并预先将前驱体WO3微图案化以达到精准调控前驱体的量，实现了对单层、双层、三层及多层WS2单晶的可控制备。本发明方法所需原料少、产率高、重复性好、得到的晶体质量高、电子迁移率高，尤其适用于大面积均匀分布的层数可控的WS2单晶的制备。
一种层数可控硫化钨单晶制备方法

[发明专利]一种用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法-CN202011455226.2在审
发明人：张礼杰;潘宝俊;牛丽娟;豆振军;董幼青;邹超 -专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，该方法在大气环境下，把云母片置于用热板法加热的三氧化二锑粉末上方，通过控制反应时间的长短，得到不同厚度的三氧化二锑分子晶体,本发明的有益效果：使用空间限域的方法，为反应提供一个稳定的反应环境，云母片的表面温度与三氧化二锑的粉末温度存在一定的温度差，有利于三氧化二锑在光滑的云母片表面结晶，通过反应时间的控制，得到不同厚度的三氧化二锑分子晶体。
一种用热板可控合成二维氧化分子晶体制备方法

[发明专利]一种带有可视化柔性压力仓静水压力试验装置-CN201710034140.4有效
发明人：王明禄;张建;唐文献;钱育辰;王纬波;吴文伟;潘宝俊 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种带有可视化柔性压力仓静水压力试验装置，包括静水耐压仓装置，调距机构和供水装置，其中所述静水耐压仓装置包括底座，所述底座上同中心轴线密封式连接有玻璃仓筒，所述玻璃仓筒上密封式连接有可调节仓筒，所述可调节仓筒外圆周上端自上而下隔离设置有小直径凸缘和大直径凸缘，其中小直径凸缘上密封式连接有仓盖，所述仓盖上设有连通所述供水装置的进水管和压力表，所述调距机构安置在所述可调节仓筒中与所述仓盖相连接，所述大直径凸缘上均等分布设有至少3根与所述底座相连接的调节机构。本发明可视化程度高，可柔性抗压，同时试验装置稳定性高、寿命久，且容器体积可调，安装与拆卸方便快捷，安全性高，且结构简单，便于更换。
一种带有可视化柔性压力静水试验装置

[发明专利]一种蛋形耐压壳制作装置及制造方法-CN201610038227.4有效
发明人：王明禄;张建;左新龙;蒋彭胜;唐文献;潘宝俊;王纬波 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： B21D22/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种蛋形耐压壳制作装置及制造方法，该装置包括支撑装置、压模机构和底模机构，所述压模机构固定安装在支撑装置上，压模机构的端部连接有冲压圆形板料的凸模，所述底模机构包含工作台、安装在工作台上的模具底座和一对板料定位机构，所述圆形板料通过板料定位机构固定在模具底座的上表面上，两个板料定位机构位于圆形板料的两侧，圆形板料下方安装有凹模，凹模位于模具底座内。本发明的一种蛋形耐压壳制作装置，采用在凹模开口端圆环形槽内加入滚珠和底部内设置柔性顶料机构，可以使冲压出的蛋形耐压壳表面质量好，曲率分布均匀。
一种蛋形耐压制作装置制造方法

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