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[发明专利]一种MEMS热电堆红外探测器及其制备方法-CN202310310400.1在审
发明人： 淮永进;韦仕贡;张彦秀;陈建鹏 -专利权人：北京燕东微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS热电堆红外探测器及其制备方法，该MEMS热电堆红外探测器，包括：衬底；第一红外吸收层，位于衬底上；热电堆，位于第一红外吸收层上，包括围绕第一红外吸收层的中心区域排列的热偶条，热偶条靠近第一红外吸收层中心区域的一端为热端，远离第一红外吸收层中心区域的一端为冷端；第一反射层，位于第一红外吸收层上，在热偶条冷端的外围围绕热电堆；以及钝化层，覆盖热电堆和第一反射层。本申请在热偶条冷端的外围设置第一反射层，以对热偶条冷端周围的红外辐射进行反射，降低热偶条冷端的热吸收，提高热偶条冷端和热端之间的温差，进而提高MEMS热电堆红外探测器的灵敏度。
一种 mems 热电红外探测器及其制备方法

[发明专利]MEMS器件及其制备方法-CN202310156790.1在审
发明人： 淮永进;张彦秀;陈建鹏;张立明 -专利权人：北京燕东微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法，其中MEMS器件包括：衬底；基于所述衬底形成的第一电极层；位于第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层包括横梁与锚点；所述横梁悬置于所述第一电极上，所述横梁沿第一方向延伸且具有相对设置的两端，所述横梁沿第二方向具有相对设置的两侧，所述第一方向和所述第二方向均垂直于衬底厚度方向，且所述第一方向垂直于所述第二方向；所述横梁的至少一端设置有所述锚点，每个所述锚点包括两个锚固部，所述两个锚固部分别固定于所述横梁的两侧，且每个所述锚固部与所述第一电极层电接触。本申请实施例提供的MEMS器件及其制备方法，具有避免横梁弯曲，利于提高MEMS器件的性能的优点。
mems 器件及其制备方法

[发明专利]MEMS器件及其制备方法-CN202310118224.1在审
发明人： 淮永进;韦仕贡;陈建鹏;张立明 -专利权人：北京燕东微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法，其中MEMS器件包括衬底，以及层叠设置在所述衬底上的第一电极层和第二电极层，其中：所述第二电极层包括相连接的锚点与横梁，所述锚点支撑在所述横梁的至少一个端部与所述第一电极层之间，所述横梁的中部悬空于所述第一电极层；所述锚点包括第一锚固部与第二锚固部，所述第一锚固部与所述第二锚固部间隔设置且分别固定在所述横梁的端部的相对两侧。本申请实施例提供的MEMS器件具有避免温度变化时横梁弯曲，利于提高MEMS器件的性能的优点。
mems 器件及其制备方法

[发明专利]一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法-CN201610798002.9有效
发明人：周源;淮永进;徐远 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法，该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第一埋层，该第一埋层自第一外延层表面延伸至其内，第一埋层所环绕的第一外延层的区域为隔离岛；在隔离岛内形成的第一导电类型的第三埋层，其延伸进入第一外延层；形成第一导电类型的第三外延层；在隔离岛内形成的第二导电类型的隔离，其从第三外延层表面延伸进入第一外延层；第一导电类型的第一掺杂区，形成在第三埋层上方的第三外延层中；第一导电类型的第二掺杂区，包括与隔离接触的第二掺杂区和由隔离所环绕的区域内的第二掺杂区；第二导电类型的第三掺杂区，形成在第一掺杂区环绕的第三外延层中。
一种双向电容瞬态电压抑制器及其制作方法

[发明专利]一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法-CN201610797085.X有效
发明人：周源;淮永进;徐远 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法。该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第三外延层；在第一外延层和第三外延层之间形成的第二导电类型的第一埋层；在第三外延层中与第一埋层相对形成的第二导电类型的第一掺杂区；在第三外延层中形成的第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区与第一埋层不相对；第一沟槽，其中第一沟槽自第三外延层表面延伸至半导体衬底内；第二沟槽，其中第二沟槽自第三外延层表面延伸穿过第三外延层；第一绝缘介质，填充在第一沟槽和第二沟槽中；第三沟槽，第三沟槽自第三外延层表面延伸穿过第一埋层至第一外延层内；有源区，其由在第三沟槽中填充的原位多晶硅并退火形成。
一种双向电容瞬态电压抑制器及其制作方法

[实用新型]基于MOSFET的加速度传感器-CN202221484700.9有效
发明人：欧毅;淮永进;王海鹏;张智鹏;韦仕贡 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于MOSFET的加速度传感器。该加速度传感器包括半导体基板；位于半导体基板中的源区和漏区，源区与漏区之间为沟道区；位于半导体基板表面的绝缘支撑层；跨设于绝缘支撑层上的栅极层，构成悬浮栅极；以及，位于栅极层的悬浮区域上的金属质量块。上述加速度传感器中，由于栅极采用悬浮栅极，且栅极上设有金属质量块，因此栅极层与半导体基板之间的电容值会随着加速度的变化而变化，而电容值的变化进而会导致漏极电流发生变化，从而可通过对漏极电流的检测实现对加速度的探测。器件体积小于常规的电容式MEMS加速度传感器，应用环境灵活，适用范围广。
基于 mosfet 加速度传感器

[发明专利]芯片的制造方法-CN202210354608.9在审
发明人：韦仕贡;淮永进;张欣慰;常国;王乾;戴建业 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯片的制造方法，包括在晶圆上形成多个管芯；对晶圆上的多个管芯中的至少部分共同施加偏置；以及在施加偏置状态下，对管芯进行预设加工和/或预设试验。该芯片的制造方法通过将预设加工、预设试验的步骤提前到在封装步骤之前，在晶圆级上完成这些加工、试验，从而总体提升了芯片的制造效率、降低了封装成本。
芯片制造方法

[发明专利]氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法-CN202111439662.5在审
发明人： 淮永进;张彦秀;梁维佳;王乾 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模；以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜，其中，感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体，刻蚀气体包括NF3，辅助气体包括O2和Ar，辅助气体与氧化钒薄膜作用产生保护层覆盖氧化钒薄膜的侧壁。该刻蚀方法能够解决钻蚀以及悬垂的问题，避免刻蚀后腐蚀现象的发生，保证刻蚀后氧化钒薄膜的侧壁具有较高质量，使半导体器件具有较高的可靠性。
氧化薄膜刻蚀方法半导体器件制造

[发明专利]LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构-CN201910841593.7在审
发明人：赵发展;蔡小五;淮永进;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及微电子电路领域内的一种LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构，包括依次设置的Si层、封装层和P型衬底，在P型衬底上形成有DNW，在DNW里形成有两个高压PX和一个NX，NX位于两个高压PX之间，在PX区域和NX区域内依次注入形成有P+、N+、N+、N+、P+区域，位于中间的N+区域跨越NX区域并嵌入PX区域，T1、T2为引出端，从T1到T2，P+、PX、NX、PX、N+构成正向ESD电流泄放路径SCR1，从T2到T1，P+、PX、NX、PX、N+构成反方向ESD电流泄放路径SCR2。本发明具有较低的触发电压和维持电压，能耗较小，具有双向保护的功能。
衬底泄放射频功率器件微电子电路保护结构触发电压双向保护维持电压依次设置反方向封装层引出端正向嵌入能耗

[发明专利]引线框架及其形成方法、芯片封装方法-CN201410277040.0有效
发明人：陈达志;郑敏诚;淮永进;郭艳飞 -专利权人：先进科技新加坡有限公司;北京燕东微电子有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种引线框架及其形成方法、芯片封装方法，其中，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，所述引线框架的形成方法包括：提供基片；去除所述基片的一部分形成预留空间，从而形成第一结构；对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构；对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。本发明的引线框架所形成的封装体厚度小。
引线框架及其形成方法芯片封装

[实用新型]一种双向触发的LDMOS结构的ESD保护器件-CN201821494886.X有效
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了集成电路领域内一种双向触发的LDMOS结构的ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本实用新型的双向触发的LDMOS结构的ESD保护器件，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。
注入区上层双向触发深N阱本实用新型衬底集成电路领域电流泄放对称设置维持电压相对独立主电极泄放金属

[实用新型]一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件-CN201821494772.5有效
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了集成电路领域内一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底上层设有深N阱，深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，第一N阱上层设有P+注入区，第一P阱上层设有浅槽隔离区，第二P阱上层设有N+注入区，P+注入区引出有阳极，N+注入区引出有阴极。本实用新型的具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，通过位于中间区域的第一P阱的阻挡电流，使SCR电流路径变窄，同时延长电流路径，提高了维持电压。
维持电压注入区上层本实用新型电流路径深N阱衬底阴极集成电路领域浅槽隔离区阳极中间区域变窄阻挡

[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构-CN201811066380.3在审
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，包括P型衬底，P型衬底上层设有深N阱，深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，第一N阱上层设有P+注入区，第一P阱上层设有浅槽隔离区，第二P阱上层设有N+注入区，P+注入区引出有阳极，N+注入区引出有阴极。本发明的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，通过位于中间区域的第一P阱的阻挡电流，使SCR电流路径变窄，同时延长电流路径，提高了维持电压。
维持电压注入区上层功率集成电路电流路径深N阱衬底输出阴极集成电路领域浅槽隔离区阳极中间区域变窄阻挡

[发明专利]电压浪涌保护器件及其制造方法-CN201510282708.5有效
发明人：杨显精;张守明;淮永进;刘伟;唐晓琦;杨京花;李洪朋;路和超 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;北京时代华诺科技有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种电压浪涌保护器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；多个第一导电类型的第一发射区，从衬底的第一表面延伸进入第一基区中；多个第一导电类型的第二发射区，从衬底的第二表面延伸进入第二基区中，与第一发射区错开，其中第一导电类型与第二导电类型互补。本发明的电压浪涌保护器件能够提供正反向浪涌保护能力，并且在一些优选实施例中，本发明的电压浪涌保护器件的正、反向浪涌保护能力均衡，泄流速度快，体积小。
衬底基区第一导电类型保护器件电压浪涌导电类型第一表面发射区延伸第二表面浪涌保护能力均衡体积小正反向错开泄流优选制造

[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构-CN201811066327.3在审
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本发明的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。
注入区上层功率集成电路深N阱衬底输出集成电路领域电流泄放对称设置维持电压相对独立主电极泄放金属

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