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[发明专利]埋入式字线结构制备方法-CN202010410658.5有效
发明人：陆勇;沈宏坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种埋入式字线结构及其制备方法，其中，制备方法包括：在半导体衬底上开设第一沟槽，第一沟槽底部具有尖端；在第一沟槽内进行外延生长，减小第一沟槽底部尖端的深度；以及在第一沟槽内壁上形成栅介质层并在第一沟槽内填入栅导电层，形成埋入式字线结构。上述制备方法，通过外延生长工艺，减小第一沟槽尖端深度，从而减弱尖端放电现象，提高器件性能。
埋入式字线结构制备方法

[发明专利]一种耐高温且热膨胀系数小的塑封料及其制备方法-CN202110486194.0有效
发明人： 沈宏坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种耐高温且热膨胀系数小的塑封料及其制备方法，塑封料的结构式如下所示：其中，R1选自苯基或甲基，X基团为本申请中的塑封料耐热温度为450～530℃，热膨胀系数为2.5*10‑6～3*10‑6/℃，与芯片的热膨胀系数相匹配，可减少IC器件出现开裂分层、IC信赖性低等问题。
一种耐高温热膨胀系数塑封料及制备方法

[发明专利]无铅玻璃浆料、贴片电阻及其制备方法-CN202010710018.6有效
发明人： 沈宏坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C09D185/04 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种无铅玻璃浆料、贴片电阻及其制备方法，无铅玻璃浆料，按质量份计，包括如下组分：硼硅油6～7份，氧化铝粉末12～21份，玻璃纤维粉2～3份及固化剂0.1～0.5份。本申请中的玻璃浆料为无铅玻璃浆料，符合环保要求，且该无铅玻璃浆料具有较好的热稳定性，耐热温度可以达到640℃以上。
铅玻璃浆料电阻及其制备方法

[发明专利]埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器-CN202011151832.5在审
发明人：陆勇;沈宏坤;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器。该埋入式字线结构包括：半导体基底、字线沟槽和字线结构。其中，半导体基底设有有源区和浅沟槽，所述浅沟槽将所述有源区隔离。字线沟槽沿第一方向穿过所述有源区。字线结构设于所述字线沟槽中。所述字线结构包括：高介电常数介电层，覆盖于所述字线沟槽的内表面上；多晶硅层，覆盖于所述高介电常数介电层上；功函数层，覆盖于所述多晶硅层上；字线金属层，填充于所述功函数层的远离所述多晶硅层的一侧。本发明的埋入式字线结构可以有效地减少栅极诱导漏电，并显著降低功耗。
埋入式字线结构及其制备方法动态随机存储器

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202010973871.7在审
发明人：陆勇;吴公一;沈宏坤;庞秋虎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区和位于所述有源区之间的沟槽隔离结构；于所述有源区内形成第一凹槽；于所述第一凹槽内填充形成与所述有源区互为反型掺杂的反型多晶硅层；形成第二凹槽，所述第二凹槽贯穿所述多晶硅层和部分所述半导体衬底，保留位于所述第二凹槽侧面的部分所述反型多晶硅层；于所述第二凹槽内形成埋入式字线结构。根据本发明实施例的半导体器件制备方法，能够降低半导体器件的GIDL电流，提高半导体器件的性能和可靠性。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]电容器结构及其制作方法、存储器-CN202010752934.6在审
发明人：陆勇;吴公一;沈宏坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。其中方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成柱状的第一导电结构；于所述衬底上形成第二导电结构，其中所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且与所述第一导电结构间隔设置，所述第一导电结构和所述第二导电结构共同构成下电极；形成电容介质层，所述电容介质层覆盖所述衬底和所述下电极的表面；形成覆盖所述电容介质层表面的上电极。
电容器结构及其制作方法存储器

[发明专利]一种可自愈合凝胶材料及其制备方法-CN201711118472.7有效
发明人：周正发;夏洋洋;沈宏坤;徐卫兵;马海红;任凤梅;杨子征 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C08J3/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种可自愈合凝胶材料及其制备方法。由含羟基的微交联缩合型硅橡胶与含羟基或氨基的微交联聚丙烯酸酯的两相组成，羟基或氨基的引入能在相内和相间产生氢键作用从而使凝胶材料具有自愈合性能，微交联聚丙烯酸酯相能有效提高自愈合凝胶材料的强度。制备操作步骤如下：1.制备含羟基缩合型硅橡胶的原料，2.制备含羟基或氨基的聚丙烯酸酯的预聚物，3.将原料与预聚物混合，并加入增溶剂，在氮气氛围下搅拌均匀，在模具反应，使羟基聚硅氧烷产生微交联，使含羟基或氨基的聚丙烯酸酯产生微交联，得到可自愈合凝胶材料。自愈合性能材料在航空航天、电子、汽车、封装、日用等领域都具有广泛的应用前景。
一种愈合凝胶材料及其制备方法

[发明专利]一种耐高温辐射的聚硅氧烷及其制备方法-CN201611194066.4有效
发明人：周正发;沈宏坤;徐伟强;徐卫兵;马海红;任凤梅 -专利权人：合肥工业大学智能制造技术研究院
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温辐射的聚硅氧烷及其制备方法，属于高分子材料技术领域,将聚硼硅氧烷低聚物、主链含苯环结构的聚硅氧烷低聚物和聚硅氧烷低聚物缩合制得主链含苯环结构的聚硼硅氧烷，其具有式Ⅰ所示结构式：式Ⅰ，其中，R1为苯基或联苯基；R2为羟基或芳基；(w+y+v)：x：z＝0.1：0.2‑0.5：1‑1.5。本发明制备的主链含苯环结构的聚硅氧烷的耐热达到520℃以上。
一种耐高温辐射聚硅氧烷及其制备方法

[发明专利]一种主链含共轭结构的耐高温聚硅氧烷及其制备方法-CN201611194918.X有效
发明人：周正发;沈宏坤;夏洋洋;徐卫兵;马海红;任凤梅 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种主链含共轭结构的耐高温聚硅氧烷及其制备方法，其结构式如下：式中，R₁为羟基或芳基；R₂为亚乙烯基或苯基；(x+z)：y＝2‑2.5：1；x+y+z＝500‑1200，主链中的硼上的空轨道与羰基、亚乙烯基或苯基之间形成超共轭结构。所得的主链含共轭结构的聚硅氧烷，耐热达到480℃以上，大幅度的提高了橡胶的耐热性和稳定性，可以应用于建筑、汽车、飞机材料和特种材料等多个行业，适用范围更广。
共轭结构主链聚硅氧烷亚乙烯基耐高温苯基制备耐热性飞机材料特种材料空轨道耐热芳基式中羟基羰基橡胶汽车应用

[发明专利]一种热膨胀微球及其制备方法和应用-CN201610309945.0有效
发明人：徐卫兵;周淑千;沈宏坤;王雪帆;周正发;马海红;任凤梅 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C08J9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种热膨胀微球及其制备方法和应用，热膨胀微球在常温、常压下采用反向聚合法制备，具体由二酰氯和二胺缩合到的壁材包裹氢氧化钠水溶液的芯材制成，本发明制备的热膨胀微球直径在25μm左右，发泡体积倍率为2‑6倍，发泡孔均匀细腻，在常温、常压下采用反向悬浮聚合以氢氧化钠水溶液为芯材制备的热膨胀微球环保，成本低，制备的热膨胀微球更为环保且成本低、发泡性能良好。
一种热膨胀及其制备方法应用

[发明专利]一种耐高温阻燃聚硼硅氧烷材料及其制备方法-CN201711349409.4在审
发明人：马海红;李方彬;徐伟强;沈宏坤;王傲;李子威;彭泽林;陈诚 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温阻燃的聚硼硅氧烷材料。所述聚硼硅氧烷材料为主链含萘结构的聚硼硅氧烷材料，耐热温度为500℃以上，阻燃等级为UL94‑5VA；由聚硼硅氧烷低聚物、主链含萘结构的聚硅氧烷低聚物和聚硅氧烷低聚物在溶剂中缩合制得。聚硼硅氧烷材料由于硼氧键的存在，使得由它制备的硅橡胶的耐热性有了大幅度提高，本发明在此基础上引入刚性萘环结构会进一步提高聚硼硅氧烷材料的耐热性和阻燃性。本发明的制备工艺原料价格低廉，且来源渠道广泛，毒理性较低，对人体无明显危害。反应转化率较高，副产物可以通过萃取方便的除去。得到的产物纯度高，性能优良，拥有良好的实际使用价值。
一种耐高温阻燃聚硼硅氧烷材料及其制备方法

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