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[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片-CN202310968497.5有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V型坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述V型坑层包括依次层叠于所述N型GaN层上的缺陷阻断层和V型坑形成层；所述缺陷阻断层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一BN层、InN层和第二BN层；所述V型坑形成层为Ga2O3层，其表面刻蚀形成多个V型坑。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种双晶检测方法及系统-CN202310993435.X在审
发明人：陈兵兵;董务乐;赵晓明;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种双晶检测方法及系统，该方法包括以下步骤：采用光源对完成裂片操作后的晶圆进行照射，并控制晶圆的反射层一侧背向光源设置；获取晶圆靠近反射层一侧的目标图像；对网格图像进行分析处理，从网格图像中筛选出超出标准晶粒尺寸参数的异常单元格，以基于异常单元格的数量得到晶圆的双晶数据；若双晶数据中的异常数据超出预设范围时，则判定晶圆存在双晶不良。利用晶圆背面的DBR反射层，未切割的部分光线无法穿透过去的原理，对晶圆的反射层一面进行照射，从而得到对应的网格图像，对网格图像进行分析处理，从而得到晶圆的双晶数据，来判定晶圆是否存在双晶不良，相对于人工识别的方式，提高检测效率的同时保证检测质量。
一种双晶检测方法系统

[发明专利]GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311117820.4在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述GaN基绿光发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第一插入层、第二多量子阱层、第二插入层、第三多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述第一插入层包括依次层叠的第一WSe2层、P型InGaN层和第二WSe2层；所述第二插入层包括依次层叠的第三WSe2层、P型BGaN层和第四WSe2层。实施本发明，能够提高发光二极管的发光效率、抗静电能力和发光波长一致性。
gan 基绿光发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311127603.3在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、本征GaN层、N型半导体层、波长均匀性调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述波长均匀性调控层包括压应力提供层和张应力提供层，所述压应力提供层包括依次沉积的第一AlN层、AlGaN层、第二AlN层，所述张应力提供层包括依次沉积的第一InGaN层、InN层、第二InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高发光二极管的发光波长均匀性。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片、制备方法及LED-CN202310562722.5在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效发光二极管外延片、制备方法及LED，所述高光效发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括第一量子垒应变补偿子层、第二量子垒应变补偿子层以及第三量子垒应变补偿子层，其中，所述第一量子垒应变补偿子层为InGaN/GaN超晶格层，所述第二量子垒应变补偿子层为AlInGaN层，所述第三量子垒应变补偿子层为BInGaN层，所述InGaN/GaN超晶格层包括多个交替层叠的InGaN层和GaN层，降低量子极化效应。
一种高光效发光二极管外延制备方法 led

[发明专利]一种LED芯片制备方法及LED芯片-CN202310915946.X在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一LED芯片制备方法及LED芯片，制备方法包括，提供一包含ITO膜层的半成品芯片，在退火炉内满足预设条件温度时将ITO膜层放入并进行渐进式升温直至达到终点温度完成退火处理，并在退火炉内渐进升温的同时对退火炉内通入氧气，使退火炉内初始气体流量进行逐步降低，对ITO膜层进行富氧处理，采用富氧化与低温连续慢升温处理手段，对ITO膜层进行富氧化处理及渐进升温方式，能够有效减少ITO膜的氧空位和晶格缺陷问题，实现了优良的透光效果，以及在表面形成良好的欧姆接触。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311108416.0在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的金属反射层、AlGaN层、多孔AlN层、AlN合并层和Si掺杂AlGaN层，所述金属反射层包括Al、Ga、In、Mg金属中的一种或几种的组合；所述N型半导体层包括依次沉积在所述缓冲层上的多孔GaN层、GaN合并层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高有源区中光子逸出体材料的占比，即提高芯片的光提取效率，从而提高发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[实用新型]一种具有高强度钝化层的LED芯片-CN202321196087.5有效
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种具有高强度钝化层的LED芯片，所述LED芯片包括对称设置的芯片单元及切割道，所述切割道位于所述芯片单元之间，所述芯片单元的上端覆盖有钝化层，所述钝化层延伸至所述切割道上，并与另一所述芯片单元位于所述切割道上的所述钝化层之间留有间隙形成第一凹槽，所述第一凹槽内设有等离子喷涂‑激光重熔层，所述等离子喷涂‑激光重熔层从所述第一凹槽的两侧延伸至所述钝化层的上端。在本实用新型中，通过在第一凹槽设置等离子喷涂‑激光重熔层，并将切割道内的钝化层的覆盖保护起来，使得芯片在沿第一凹槽切割分选测试封装时不易使钝化层开裂，保证了LED芯片的发光稳定性。
一种具有强度钝化 led 芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310545428.3在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述P型插入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的AlGaN层、Mg掺杂AlGaN层和Mg掺杂GaN层；所述AlGaN层中的Al组分含量高于所述Mg掺杂AlGaN层，所述Mg掺杂AlGaN层中的Mg组分含量低于所述Mg掺杂GaN层；所述P型插入层的生长温度低于所述多量子阱层的生长温度。本发明提供的发光二极管外延片能有效降低高温P型覆盖层对多量子阱层的影响，提升GaN基发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202310887079.3在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，至少包括衬底及依次层叠在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，P型半导体层上层叠有电流扩展层，P型半导体层与电流扩展层之间设有P型电极，N型半导体层设有N型半导体导电台阶，N型半导体导电台阶上设有N型电极；P型电极包括沿芯片生长方向依次层叠的反射层、保护层、导电层、过刻蚀层、欧姆接触层，反射层为Al层，保护层为Ni层与Pt层或Ti层与Pt层周期性层叠的结构，导电层为Au层或者Cu层，过刻蚀层为Ni层、Ti层、Pt层中任意一种，欧姆接触层为Cr层或Ni层。本发明能够有效提高LED芯片的发光亮度，降低其工作电压。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202311102371.6在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将全反射复合层设置在多量子阱层之前，以最大化的反射使得正向发光亮度提升，其中，全反射复合层包括周期性生长的第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层，第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率依次减小，第一反射子层为不掺杂的GaN层，第二反射子层为AlGaN层，第三反射子层为AlN层，AlGaN层中Al组分为20%~80%，具体的，由于第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率不一样，具备全反射条件，另外，由于外延生长工艺较为成熟，在LED外延片中设置全反射复合层后，可以减少在制备LED芯片时设置DBR层，以降低成本。
一种 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311108420.7在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力调制层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力调制层包括依次层叠的位错填充层、过渡层和应力缓冲层；位错填充层为三维BN层和二维BGaN层交替层叠形成的周期性结构，过渡层为N型AlGaN层，应力缓冲层为YGaN层和GaN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率和波长均匀性。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202311108429.8在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、第一应力缓冲层、第二应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；第一应力缓冲层为第一势阱层和第一势垒层交替层叠形成的周期性结构；第一势阱层为InxGa1‑xN层，第一势垒层为ByGa1‑yN层和GaN层交替层叠形成的周期性结构；第二应力缓冲层为第二势阱层和第二势垒层交替层叠形成的周期性结构；第二势阱层为InzGa1‑zN层，第二势垒层为BwGa1‑wN层与Si掺GaN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率和抗静电性能。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种晶圆及其印刷方法-CN202311094482.7在审
发明人：杨起;吕树鑫;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及其印刷方法，所述晶圆包括包括衬底及模板，所述衬底上以第一间隔阵列有若干芯片，所述模板上以第二间隔阵列有若干通孔，若干所述通孔与若干所述芯片一一对应，且所述通孔与所述芯片的形状对应，所述通孔的尺寸大于所述芯片的尺寸，所述芯片包括依次层叠的嵌入层、焊盘及半导体层，所述焊盘顶部的部分与所述半导体层底部的部分接触，所述半导体层包括依次层叠的粘连层、润湿层及抗氧化层，所述半导体层的尺寸小于所述嵌入层，其中，所述焊盘嵌入在所述嵌入层内，所述嵌入层顶部开设有第一凹槽，以使所述焊盘的顶部部分裸露，幅降低钢网的成本。
一种及其印刷方法

[发明专利]一种高良率倒装LED芯片及其制备方法-CN202310462449.9在审
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种高良率倒装LED芯片及其制备方法，一种高良率倒装LED芯片的制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上沉积外延层；在外延层上制备布拉格反射层，并在布拉格反射层中刻蚀贯穿形成布拉格反射层通孔；布拉格反射层通孔的截面由下至上依次增大、且在布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面，本发明中的高良率倒装LED芯片的制备方法，在制备布拉格反射层通孔时，通过控制其在布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面，以消除因斜面呈锯齿状而导致的焊盘在斜坡披覆时会出现空洞的技术问题，避免了空洞处ESD放电，提高了倒装LED芯片的良率。
一种高良率倒装 led 芯片及其制备方法