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[发明专利]一种薄膜压力传感器高抗电绝缘层及其制备方法-CN202210221682.3在审
发明人：吕先锋;范思大;崔虎山;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜压力传感器高抗电绝缘层及其制备方法，是在金属弹片表面交替沉积氧化硅层和氮化硅层，要确保叠层结构的首层为氧化硅，终结膜层为氮化硅；氧化硅层、氮化硅层的厚度范围均为50‑2000nm；金属弹片为不锈钢衬底、铝衬底、铜衬底、钽衬底以及各种合金衬底。在沉积氧化硅薄膜之前，金属表面沉积缓冲层；所述的缓冲层的材料是诸如钛、氮化钛、铬、镍之单质金属层，厚度为3nm‑100nm之间。本发明根据传感器绝缘层抗电性能要求的高低调整氧化硅/氮化硅叠层层数，可实现高致密、厚度可调节的薄膜压力传感器绝缘层。
一种薄膜压力传感器高抗电绝缘及其制备方法

[发明专利]用于半导体真空设备的防护窗及半导体真空设备-CN202210026128.X在审
发明人：卢浩;姬富裕;刘昊;朱小庆;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01J37/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体真空设备的防护窗及半导体真空设备，半导体真空设备包括：真空腔体，真空腔体上设有抽气口；分子泵，分子泵安装在抽气口处用于抽出真空腔室内的气流；开关阀，开关阀设在分子泵和抽气口之间以打开或者关闭抽气口；防护窗，防护窗设在抽气口处且位于开关阀的朝向真空腔体的一侧，防护窗包括边框和多个叶片，边框的形状和抽气口的形状一致，多个叶片以边框中心为中心沿径向向外均匀间隔开布置，在垂直于防护窗所在平面的轴向截面上每个叶片的两个边呈预定角度α，在径向上相邻的两个叶片之间设有与预定角度相对应的预定重叠区a。根据本发明的实施例的防护窗，可以保证抽气速度，防止刻蚀产物或溅射物进入分子泵内。
用于半导体真空设备防护

[发明专利]防止刻蚀工艺导致密封圈失效的电极装置及调控方法-CN202111597307.0在审
发明人：李娜;韩大健;王海东;郭颂;刘海洋;张怀东;胡冬冬;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种防止刻蚀工艺导致密封圈失效的电极装置及调控方法，装置包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台和水冷板，加热台与水冷板之间间距为h，h内安装有导热环，导热环呈环形且具有内环和外环，加热台上与导热环内环同轴位置开设导向通道；在导热环内环处安装内密封圈，内密封圈将导向通道与间距之间进行密封；在导热环外环处安装外密封圈，外密封圈将导热环与真空反应腔室之间进行密封；内密封圈与外密封圈之间的环形空间内为大气状态，外密封圈圈外空间内为真空状态。方法包括高温和低温两种工况下的调控；电极装置用于承载晶圆，同时结合调控方法为晶圆提供刻蚀工艺所需合适的温度。
防止刻蚀工艺导致密封圈失效电极装置调控方法

[发明专利]同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极及调控方法-CN202111598611.7在审
发明人：李娜;韩大健;王海东;郭颂;刘海洋;张怀东;胡冬冬;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极及调控方法，所述电极包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台、导热板和水冷板，水冷板的上表面，在中部位置处设置有导热板嵌槽，导热板嵌槽的槽底与加热台的下表面之间，存在间隙h；导热板嵌装在导热板嵌槽中，且导热板的厚度为h1，h1h；加热台的外侧区域与水冷板的外侧区域之间通过法兰配合连接的方式连接成一体。所述调控方法包括高温和低温两种工况下的调控；所述电极用于承载晶圆，同时结合所述调控方法为晶圆提供刻蚀工艺所需合适的温度。
同时实现低温高温等离子体刻蚀工艺电极调控方法

[发明专利]一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和装置-CN202111598567.X在审
发明人：王想;刘小波;孙宏博;窦阳;王怡楠;胡冬冬;陈璐;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和装置，是在离子束刻蚀系统反应腔底部增设一层金属栅网，该栅网连接直流电源产生一个正电压，所施加正电压的电压值根据需清除颗粒物的大小在100kv以内调节。金属栅网c的材质是如钼或者镍的坚硬金属，网孔在5mm以下。当刻蚀工艺完毕后，将离子束刻蚀系统的离子源断开，将下电极旋转至垂直于栅网c的位置；打开中和器产生大量电子附着在需要去除的颗粒物上后带上负电；栅网c通过直流电源c施加一个正电压，带负电的颗粒会在电场的作用下向着栅网c方向移动；颗粒物会穿过栅网c的网孔，被分子泵抽走，排出腔外，快速有效去除颗粒，防止反应腔内部颗粒的沉积，提高离子体处理设备的生产效率。
一种去除离子束刻蚀系统颗粒方法装置

[发明专利]一种高密度磁隧道结制造方法-CN201811378263.0有效
发明人：许开东;车东晨;胡冬冬;崔虎山;刘自明;琚里;孙宏月;陈璐 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度磁隧道结制造方法，包括以下步骤：形成包括下电极、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和上电极的磁隧道结结构；利用含研磨颗粒的可自我修复的柔性研磨体对所述磁隧道结的侧壁进行研磨，去除侧壁的黏附层和损伤层，获得陡直侧壁；利用有机溶液对磁性隧道结进行清洗去除表面颗粒及残留物。本发明能够实现无损、无盲区的去除磁性隧道结侧壁的黏附层和损伤层，获得形貌陡直的侧壁，有效提高器件性能。
一种高密度隧道制造方法

[实用新型]一种用于等离子体刻蚀的捕集器沉积装置-CN202222684525.4有效
发明人：王海东;陈龙保;郭春祥;郭颂;李晓磊;张彪;胡冬冬;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于等离子体刻蚀的捕集器沉积装置，所述捕集器沉积装置连接在真空泵和前级阀之间；前级阀远离捕集器沉积装置的一端与等离子体刻蚀腔连接；所述捕集器沉积装置包括壳体和沉积板；所述壳体沿气流流向设置有进气端和出气端，进气端通过第一管道与真空泵连接，出气端通过第二管道与前级阀连接，所述壳体的侧壁内设置有冷却液通道；所述沉积板安装在所述壳体内，所述沉积板所在平面与气流方向形成夹角，所述沉积板上分布设置有多个通孔。本实用新型能够有效避免工艺过程中产生的颗粒物沉积到前级阀内壁上，延长管道及前级阀的抗堵塞时间，延长设备的维护周期，提高设备产能。
一种用于等离子体刻蚀捕集器沉积装置

[实用新型]一种适用多尺寸晶圆刻蚀的托盘装置-CN202220489904.5有效
发明人：韩大健;李娜;彭泰彦;车东晨;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用多尺寸晶圆刻蚀的托盘装置，包括托盘、压盘、紧固螺钉和密封圈；托盘上表面均布有分叉状凹槽，且凹槽内设置有多个用于传输冷却介质的通气孔；压盘的中心区域设置有通孔；压盘朝向托盘的底面的中心区域设置有用于放置晶圆的沉头台阶；所述紧固螺钉将压盘固定在托盘上的同时，施加向下的力在托盘上，挤压密封圈，压紧晶圆。本实用新型可以适用于多种尺寸晶圆的刻蚀，在进行不同尺寸的晶圆刻蚀时，托盘可以重复利用，只需要更换对应的压盘即可，极大程度地提高了机台的使用效率，减少多种物料同时存在而造成的浪费，同时压盘在刻蚀过程中也能被冷却，提高了晶圆的刻蚀均匀性。
一种适用尺寸刻蚀托盘装置

[发明专利]一种具有自清理功能的静电颗粒收集系统和方法-CN202211260074.X在审
发明人：朱小庆;卢浩;孟庆国;刘帅;刘小波;胡冬冬;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有自清理功能的静电颗粒收集系统和方法，包括中压闸阀、静电吸附网、氮气管路、静电发生器、压力计、真空发生器和控制器；静电吸附网水平安装在腔室本体和APC阀之间的通道内，腔室本体临近静电吸附网的底部上安装有中压闸阀，中压闸阀用于根据控制器的控制指令切换腔室本体和通道之间的连通状态；静电发生器与静电吸附网连接，为静电吸附网提供不同等级的静电电压；压力计安装在通道内，用于实时检测通道内的气压值，将检测到的气压值反馈给控制器；真空发生器和氮气管路分别连通至通道。本发明能够有效消除悬浮颗粒，有效提高芯片品质，就提高芯片生产的良率，给芯片生产企业带来更大的利润。
一种具有清理功能静电颗粒收集系统方法

[发明专利]等离子体刻蚀装置及其运行工艺-CN202110784277.8在审
发明人：李娜;韩大健;王海东;郭颂;刘海洋;张怀东;胡冬冬;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体刻蚀装置及其运行工艺，在工艺腔室的内部设计两个遮挡盖，两个遮挡盖合并后形成一个中部完全封闭、上部和底部敞口的漏斗形；遮挡盖连接至气缸，随着气缸同步运动，实现两个遮挡盖之间的开启与关闭。在刻蚀阶段，气缸收缩，带着遮挡盖呈分离状态，不会遮挡晶圆，不会影响晶圆的刻蚀工艺；在清洗阶段：气缸伸长，两个遮挡盖合成一个完整漏斗形，遮挡住晶圆免受刻蚀，不会影响晶圆表面的材料和图形，提高刻蚀均匀性。而且本发明减少了顶针和机械手的来回运动，提高了整体工艺效率，降低了机台故障率，提高设备稳定性，同时根据不同的工艺调节遮挡部的位置，可以灵活的应用于多种工艺场合。
等离子体刻蚀装置及其运行工艺

[发明专利]一种基于GaN基材料原子层刻蚀方法-CN202110710347.5在审
发明人：刘建;车东晨;彭泰彦;王玉;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的一种基于GaN基材料原子层刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1，将需要改性的改性材料输送至等离子蚀刻机的真空腔中进行抽真空；步骤2，将抽真空后的所述改性材料送至改性工艺腔室；步骤3，利用改性气体对所述改性材料进行改性加工；所述改性气体为Cl2、BCl3、氯基气体中的任意一种或其任意组合；步骤4，将改性气体抽离，充入蚀刻气体进行等离子体轰击；所述蚀刻气体为惰性气体或多种惰性气体的组合；步骤5，将蚀刻气体抽离并重复步骤3和步骤4，直达GaN基材料达到工艺指标要求。本发明优化了GaN基材料的制程，获得更为精确的控制及低损伤。
一种基于 gan 基材原子刻蚀方法

[发明专利]一种加工SIO2-CN202110716288.2在审
发明人：蒋中原;车东晨;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明的一种加工SIO2闪耀光栅的方法，包括如下步骤：步骤1，构建闪耀角、离子束入射角、SIO2对光刻胶的选择比模型；步骤2，将待加工样品传输至反应离子束刻蚀机，使wafer表面法线与离子束呈0‑90度角度；步骤3，放电腔室中通入混合气体，所述混合气体包括CHF3和O2，其中O2等离子体可以快速的将侧壁的保护层消耗掉；步骤4，等离子体经栅网引出中和，与待刻蚀样品发生物理轰击和化学反应。本发明实施例的加工SIO2闪耀光栅的方法降低了光刻胶掩模的膜层厚度，从而降低了闪耀光栅的加工难度。
一种加工 sio base sub

[发明专利]一种减少银刻蚀副产物团聚的方法-CN202110709703.1在审
发明人：郑枝源;杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：本发明的一种减少银刻蚀副产物团聚的方法，包括如下步骤：步骤1，在连接干泵和IBE腔室的真空管中设置若干组过滤网组，相邻过滤网组之间间隔50‑500mm；每组过滤网组包括1‑3层过滤网，相邻过滤网之间间隔0.5‑5mm；步骤2，在过滤网之间填充化学吸附剂。本发明能够过滤或者吸附大部分的银副产物。
一种减少刻蚀副产物团聚方法

[发明专利]一种快捷方便的断裂顶针回收装置-CN201911299497.0有效
发明人：李娜;张军;程实然;侯永刚;刘海洋;王铖熠;吴志浩;许开东 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种快捷方便的断裂顶针回收装置，包括进行化学气相沉积的腔室，腔室中部设有加热台，机械手从腔室侧壁上的宽槽孔进入将晶圆送达加热台正上方，通过顶针机构中的顶针将晶圆放置在加热台上，腔室底部设有抽气腔，抽气腔通过抽气管道连接有真空泵，还包括阻挡片、疏通装置以及储存装置，其中：阻挡片呈环形，套设在加热台上，疏通装置设于加热台上，储存装置设置于腔室底部，阻挡片环形结构上落有碎顶针，疏通装置将碎顶针疏通至储存装置中；本发明通过真空泵工作后，碎顶针掉落在阻挡片上，疏通装置底部连接通入纯净的气体，将碎顶针吹落入储蓄装置中，只需将储存装置底部拆卸即可取出碎顶针，该方法无需拆卸抽气泵和加热台，操作极其便利。
一种快捷方便断裂顶针回收装置

[发明专利]一种真空环境下自动切换透光玻璃机构及工作方法-CN202110691084.8在审
发明人：卢浩;陈兆超;朱小庆;许开 -专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空环境下自动切换透光玻璃机构，包括密封腔、光路、玻璃圆盘和旋转机构；所述光路和所述玻璃圆盘均布设在所述密封腔中；所述光路轴向的一端连接真空腔体，所述光路轴向的另一端连接测光部；所述玻璃圆盘的盘面中心固定连接所述旋转机构；所述玻璃圆盘的盘面上布设有多个透光工位，所述多个透光工位绕盘面中心呈圆周状且间隔布置，所述多个透光工位均靠近所述玻璃转盘的外边缘布置；通过所述旋转机构带动所述玻璃圆盘旋转，所述光路中的光束依次穿过多个透光工位；通过在玻璃圆盘上设置多个个让光路穿过的透光工位，避免了由于透光性衰减带来光强信号偏差性，提高采集到的光强信号准确性。
一种真空环境自动切换透光玻璃机构工作方法

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