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[发明专利]一种电子雾化器-CN202311113527.0在审
发明人：王仕明;江希;蔡壮钦;董申恩 -专利权人：深圳市斯科尔科技股份有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A24F40/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子烟雾化器，包括外壳和降噪组件，所述外壳内部构造有供气体流动的通道，所述降噪组件设有在进气端、出气端以及在进气端和出气端之间延伸的流道，所述降噪组件在所述进气端设有进气管，所述进气管部分位于流道并所述外壳外部；所述降噪组件在所述出气端设有出气管，所述出气管至少部分设置于所述流道内并与所述通道连通，所述流道内交错设置有多个隔板，每个所述隔板设有与所述流道内壁连接的固定端和与所述流道内壁形成通气间隙的自由端。基于抗性消声原理，噪声在交错设置的隔板间的流道内不断被隔板或流道内壁反射，不同振幅的噪声相互抵消，最后在出气管固有频率附近的噪声才能离开出气管，以实现消声降噪。
一种电子雾化器

[发明专利]一种用于空调软管的传递函数测试系统及方法-CN202310883500.3在审
发明人：江希;李龙华;邓厚科;陈圆意;陈正伟;冯磊;任小龙;李文 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于空调软管的传递函数测试系统及方法，所述系统包括：激振器，与空调软管的一端连接；振动传感器，与空调软管的另一端连接；空调软管两端的连接头固定在工装上；激振器连接有功率放大器；振动传感器连接有LMS前端，LMS前端与功率放大器连接；LMS前端连接有采集电脑。本发明的用于空调软管的传递函数测试系统及方法，既可以表征管路约束对测试结果的影响，又可以反应管路内压力对管路频率响应的影响，也可以更全面地激发出空调软管的频率；考虑了空调软管的约束、管内压力对测试结果的影响，且伪随机信号作为输入较力指数信号，更能消除系统非线性误差，测试系统结构经济简单、易操作，可用于模态室使用。
一种用于空调软管传递函数测试系统方法

[实用新型]一种卷材的折弯设备-CN202223480206.8有效
发明人：王盼;孙东东;江希 -专利权人：湖北邦邦防水科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B21D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及钢卷加工技术领域的一种卷材的折弯设备，包括设备底座，所述设备底座的后端上表面固定连接有夹持平台，所述设备底座的前端上表面开设有固定槽，所述固定槽的两端内侧分别纵向固定安装有隔板。与现有技术相比，通过设置的活动座、滚辊和活动块，便于该设备在使用过程中，首先通过移动活动块带动滚辊进行前后移动进行调整，然后通过二号液压缸带动活动座和滚辊向上移动挤压固定在夹持平台上钢卷的前端部分，使得前端部分在滚辊的推动下实现向上折弯，当滚辊距离夹持平台越近时，折弯角度越大，从而更加便捷稳定的实现钢卷的不同角度折弯，提高了该设备的实用性。
一种卷材折弯设备

[发明专利]一种基于阻抗管的声传递函数试验装置及方法-CN202310838348.7在审
发明人：李文;邓厚科;江希;温敏;杨光;陈圆意 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于阻抗管的声传递函数试验装置及方法，该装置包括：第一阻抗管、第二阻抗管、第一麦克风、第二麦克风、第三麦克风、第四麦克风、消音装置和数据采集装置。在待测消声器的两端分别连接第一阻抗管和第二阻抗管，第一阻抗管和第二阻抗管上均设有采集孔。消音装置可选择地设置在第一阻抗管和/或第二阻抗管的端部，以根据测试要求进行配置。第一麦克风、第二麦克风、第三麦克风和第四麦克风分别通过采集孔设置到第一阻抗管和第二阻抗管上，数据采集装置通过麦克风采集第一阻抗管和第二阻抗管的入射声波和反射声波的测试数据，进而根据搭配不同的消音装置得到相应的测试数据进行传递损失的计算。本发明能快速测量消声器的传递损失。
一种基于阻抗传递函数试验装置方法

[发明专利]一种垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构-CN202210824287.4有效
发明人：江希;徐志佳;尹溶璐;袁嵩;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，包括：第一功率电极端盖、第一驱动电极弹簧针PCB组件、若干第一功率电极钼片、若干第一功率电极柔性导电金属片、若干定位框、若干功率芯片、若干第二功率电极柔性导电金属片、若干第二功率电极钼片、第二驱动电极弹簧针PCB组件、第二功率电极端盖和陶瓷管壳。该封装结构采用缓冲层代替键合引线与芯片电极相连，提高器件的开关速度，降低器件损耗；提高了模块的功率密度和散热效率，降低了并联芯片之间的寄生参数和开关过程中的噪声尖峰电压；同时实现了芯片双面栅极接触金属的引出，提高功率模块的应用可靠性，更好地满足双向功率半导体芯片的应用需求。
一种垂直导电功率半导体器件双面封装结构

[发明专利]一种级联氮化镓功率电路模块封装结构-CN202310721167.6在审
发明人：江希;吴越;袁嵩;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种级联氮化镓功率电路模块封装结构，包括：形成封装体的两个双面覆铜陶瓷基板、至少一个第一级联氮化镓功率电路和至少一个第二级联氮化镓功率电路；第一级联氮化镓功率电路与两个双面覆铜陶瓷基板的焊盘和铜柱采用银烧结连接；第二级联氮化镓功率电路与两个双面覆铜陶瓷基板的焊盘和铜柱采用银烧结连接。本发明的氮化镓芯片、MOSFET芯片通过顶部、底部的双面覆铜陶瓷基板进行散热，能够提升模块的性能与寿命。本发明采用了通过焊盘、铜柱将MOSFET芯片与氮化镓芯片互连，减小了因为铝键合线互连而带来的一系列寄生参数，降低了器件的功耗，提升器件的可靠性。
一种级联氮化功率电路模块封装结构

[发明专利]一种基于电晕放电的高压直流输电线路取能系统-CN202111647688.9在审
发明人：袁嵩;江希;何艳静;刘启帆;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H02J50/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电晕放电的高压直流输电线路取能系统，包括取能装置和电能储存装置，取能装置用于设置在输电线缆的周围以收集输电线缆电晕放电产生的离子流并将离子流变换为电能；取能装置包括壳体、支撑结构和若干取能电极，壳体用于设置在输电线缆的周围，支撑结构连接壳体和输电线缆以将壳体固定在输电线缆周围的一定距离处，若干取能电极分布在壳体的靠近输电线缆的表面上；电能储存装置与取能装置电连接，用于对电能进行检测、变换以及分配。该取能系统通过收集输电线缆产生的离子流并将其转换为电能，取能装置与输电线缆没有直接的电气接触，不会对输电线缆本身性能产生影响，同时利用了本该耗散在外界环境中的能量，提高了能源的利用率。
一种基于电晕放电高压直流输电线路系统

[发明专利]变量生成方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310244552.6在审
发明人：朱传曦;江希;罗祖平;陈搌杰;张鹏;纳颖泉 -专利权人：招联消费金融有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06Q40/03 文献下载
摘要：本申请涉及一种变量生成方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：响应于变量生成指令，在变量旁路环境生成旁路变量；确定与所述变量生成指令匹配的时间点，对存储的与所述时间点对应的原始数据进行回放计算，获得回放计算结果；基于所述回放计算结果对所述旁路变量进行验证，获得验证结果；基于所述验证结果配置变量生产环境，以在所述变量生产环境生成业务变量，所述业务变量用以提供给业务系统使用。采用本方法能够在不影响生产运行的情况下满足大量数据验证的需求。
变量生成方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种基于视频分析的疲劳裂纹长度测量方法-CN202310240077.5在审
发明人：胡小玲;江希;马阳沐;宋奎 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于视频分析实时测量疲劳裂纹长度的方法，步骤1：试样预处理；步骤2：将试样安装在疲劳机上，开始疲劳试验，试样上的裂纹沿预制裂纹方向产生疲劳裂纹并扩展；步骤3：采用高速相机间歇式的拍摄试样裂纹图像视频；步骤4：对采集的图像视频进行裁剪，通过数字图像计算方法寻找每个视频中开口最大的裂纹图像，并识别出裂纹尖端的位置坐标；步骤5：计算裂纹长度。本发明采用对图像进行矩阵化处理、OTSU阈值分割处理、连通域标注的技术组合，实现了对视频中试样最大裂纹开口的自动寻找，快速找出最大裂纹图像，精准计算出相应条件下试样的最大疲劳裂纹长度，方法简单、结果精准。
一种基于视频分析疲劳裂纹长度测量方法

[发明专利]数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202211647627.7在审
发明人：罗祖平;江希;朱传曦;曾伟杰;张鹏;林华春 -专利权人：招联消费金融有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本申请涉及一种数据处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：在获取到报文的情况下，执行与所述报文对应的业务处理，并基于所述报文确定是否满足时点的时点触发条件；在满足时点触发条件的情况下，计算所述时点对应的变量，并将计算获得的变量进行存储，以供后续使用所述变量的处理节点取用。采用本方法能够有助于提高使用变量时的取用效率。
数据处理方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种双发高速直升机变旋翼转速控制方法-CN202111391136.6有效
发明人：谌昱;杨波;刘冬冬;崔艺文;韩代椿;胡路平;刘冲冲;李浩敏;江希;刘丽娜 -专利权人：中国直升机设计研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B64D31/00 文献下载
摘要：本申请提供一种双发高速直升机变旋翼转速控制方法，所述方法应用于直升机变旋翼转速控制系统，方法包括：确定旋翼额定转速Nr0，并计算最大前飞状态下旋翼转速Nr1；根据最大前飞状态下旋翼转速Nr1和旋翼额定转速Nr0，确定直升机旋翼目标转速Rnp的变化范围为Nr1≤Rnp≤Nr0；确定满足所述变化范围为Nr1≤Rnp≤Nr0的N个直升机旋翼目标转速RnpN；根据当前的直升机前飞速度V，从N个直升机旋翼目标转速RnpN中确定对应的直升机旋翼目标转速Rnp，根据确定的直升机旋翼目标转速Rnp，控制发动机的动力涡轮转速Np，实时跟随确定的直升机旋翼目标转速Rnp。
一种高速直升机变旋翼转速控制方法

[发明专利]一种多功能进气道-CN202211440020.1在审
发明人：刘冬冬;李星萍;江希;叶宇琛;王辉;胡招财 -专利权人：中国直升机设计研究所
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B64D33/02 文献下载
摘要：本申请提供一种多功能进气道，所示多功能进气道包括多功能进气道1和可调挡板2，所述多功能进气道1包括进气通道101，主流通道102，排砂通道103、进气道框体104和隔板105，可调挡板2包括出流口201、支撑及控制机构202、支撑及控制机构202，其中：进气道框体104为两端开口的腔体结构，隔板105沿水平方向设置在进气道框体104出口端靠近上端面的位置，进气道框体104内的入口端为进气通道101，进气道框体104内的出口端上端面与隔板105之间为排砂通道103，进气道框体104内的出口端下端面与隔板105之间为主流通道102。
一种多功能进气道

[发明专利]旁通式冷却液集中处理系统-CN202211403604.1在审
发明人：李文;陈圆意;江希;贾磊 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B23Q11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种旁通式冷却液集中处理系统，本发明的主要设计构思在于，利用旁通式结构，在机床冷却液水箱侧面开设溢流口并连接一个溢流箱，使得机床冷却液水箱表面的含浮油冷却液通过溢流口流至溢流箱内，再将溢流箱内的含浮油冷却液抽至集中处理设备中进行循环过滤处理，以此来对机床冷却液进行处理。通过单台加工机床旁通式的过滤机制进行冷却液表面浮油清理，更加高效，且可提升循环次数增加，提高冷却液的使用寿命并降低使用成本；同时，旁通式处理使得更多的机床被连接起来，而总体处理的冷却液量并不多，从而最大程度减少运营成本，节约了设备投资。
通式冷却液集中处理系统

[发明专利]一种增压器噪声解决方法-CN202211195297.2在审
发明人：江希;邓厚科;陈圆意;任小龙;冯磊 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： F02B39/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种增压器噪声解决方法，其包括以下步骤：将各试验频谱特征存储在控制器中；设计多个降噪方法，将各降噪方法存储在控制器中，并使每一降噪方法对应一个或一个以上的试验频谱特征；采集目标车辆上增压器噪声的频谱特征，将该频谱特征与各试验频谱特征做比对，若该频谱特征与各试验频谱特征中的任一个相匹配，则将与该频谱特征相匹配的该试验频谱特征所对应的降噪方法提供给开发者；开发者根据获得的该降噪方法对车辆进行整改，制作样件，而后在实车上验证降噪效果，若降噪效果未达到设定目标，则重复步骤S3，直至达到设定目标。本发明能够使得各种增压器噪声都能够获得较好地降噪效果，还能够提高增压器降噪处理工作的效率。
一种增压噪声解决方法

[发明专利]一种沟槽栅双层超结VDMOSFET半导体器件及其制备方法-CN202110633952.7有效
发明人：何艳静;王颖;袁嵩;江希;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅双层超结VDMOSFET半导体器件及其制备方法，方法包括：依次生长n+型衬底、第一n‑外延层、第一pn超结漂移区、第二n‑外延层；在第二n‑外延层内形成p型基区；刻蚀形成第一沟槽；在第一沟槽的表面生长栅极氧化膜；在第一沟槽开口处的p型基区表面形成n+源区；刻蚀形成第二沟槽；利用第二沟槽形成第二pn超结漂移区；对第二pn超结漂移区进行离子注入形成p+注入区；在第一沟槽形成栅极；在n+源区和p+注入区表面形成源极，在n+型衬底下表面形成漏极。本发明有效缓解了击穿电压、导通电阻和损耗之间的矛盾，获得高击穿电压，并降低导通电阻，从而提升了器件性能，且可以缩小器件尺寸，便于大批量生产。
一种沟槽双层 vdmosfet 半导体器件及其制备方法

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