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[发明专利]一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202210726944.1在审
发明人：袁嵩;严兆恒;张世杰;江希;姜涛;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和势垒层，其中，在势垒层上表面分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，在源极和漏极外侧分别形成台面；在栅极、源极、漏极的上表面以及势垒层上表面均覆盖有钝化层；在钝化层靠近漏极一侧的上表面设置有弯折形的栅极场板，栅极场板的一端位于栅极上方，另一端延伸至漏极上方；在栅极场板的上表面以及钝化层上表面覆盖有保护层。本发明利用连接栅漏电极的栅极场板来缓解栅极边缘的电场聚集效应，降低了栅极附近原有的电场峰值，避免HEMT在高电场应力下出现失效退化的现象，提高了器件的击穿效率。
一种可靠性 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210726924.4在审
发明人：袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底的一侧表面形成成核层、过渡层和势垒层，并在势垒层远离衬底的一侧制备源极和漏极；刻蚀势垒层和过渡层的两端形成台面，并在源极、漏极和势垒层远离衬底的一侧淀积HfO2薄膜，形成绝缘介质层；在绝缘介质层远离衬底的一侧制备栅极；在绝缘介质层和栅极远离衬底的一侧淀积形成钝化层；刻蚀钝化层远离衬底的一侧表面后，淀积掺氧的半绝缘多晶硅，形成栅场板；沿垂直于衬底所在平面的方向，栅场板的正投影为近似S型；在栅场板和钝化层远离衬底的一侧形成保护层，得到制备完成的GaN HEMT器件。本发明可使栅漏间的电场分布更加均匀，从而极大地提高器件的长期可靠性以及击穿效率。
一种新型可靠性 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202210822190.X在审
发明人：江希;姜涛;袁嵩;张世杰;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，器件包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、AlGaN缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN缓冲层；第一绝缘介质层，位于势垒层和P‑GaN缓冲层上，其中设置有栅极凹槽；栅电极，位于在栅极凹槽中，栅电极的底部与P‑GaN缓冲层接触，形成肖特基接触，栅电极的上表面位于第一绝缘介质层的上方；源电极和漏电极，分别设置在沟道层上，且位于势垒层的两侧；第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层上；其中，在栅电极制备过程中采用低温超临界流体工艺处理栅电极对应位置处的材料以及制备完成的栅电极。本发明利用超临界流体的萃取能力对材料表面以及电极界面处的缺陷进行修复，提高了高电子迁移率晶体管栅界面层的质量。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202210821111.3在审
发明人：江希;姜涛;袁嵩;张世杰;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法包括，自下而上依次层叠设置的衬底、成核层、渐变缓冲层和沟道层。源电极和漏电极，均位于沟道层上，沟道层上自下而上依次层叠设置有插入层、势垒层和P‑GaN层，插入层位于源电极和漏电极之间，第一绝缘介质层，位于势垒层和P‑GaN层上，第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层上。源电极和漏电极分别与势垒层形成欧姆接触。源电极和漏电极在淀积金属的前后使用低温超临界流体工艺进行界面处理。本发明采用超临界流体进行界面处理的低温工艺，用于提高氮化镓HEMT的界面层质量，弥补界面层缺陷。同时使用低温退火技术，提高了欧姆接触的稳定性，提高了漏电极的耐压能力，为制备高性能氮化镓HEMT器件提供了有效方法。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]三端电压控制器件及其制作方法-CN202210671019.3在审
发明人：江希;姜涛;袁嵩;张世杰;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端电压控制器件及其制作方法，涉及功率电子器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层背离衬底的一侧，沟道层包括相对设置的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽的开口方向朝向衬底指向沟道层的方向；势垒层，位于沟道层背离衬底的一侧；位于势垒层背离衬底的一侧还包括钝化层、P型氮化镓缓冲层和绝缘介质层，钝化层和绝缘介质层分别位于P型氮化镓缓冲层的两侧；栅电极，位于P型氮化镓缓冲层背离衬底的一侧；源电极和漏电极，分别位于第一凹槽和第二凹槽中；结场层，位于绝缘介质层背离衬底的一侧，且结场层位于P型氮化镓缓冲层与漏电极之间。本申请能够有效提高器件的耐压能力。
端电压控制器件及其制作方法

[发明专利]三端电压控制器件及其制作方法-CN202210672240.0在审
发明人：江希;姜涛;袁嵩;张世杰;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端电压控制器件及其制作方法，涉及功率电子器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；钝化层，位于缓冲层背离衬底的一侧，钝化层包括开口，开口内包括沟道层和势垒层，沟道层位于缓冲层背离衬底的一侧，势垒层位于沟道层背离衬底的一侧；开口内还包括源电极、漏电极和栅电极，源电极、漏电极和栅电极均位于势垒层背离衬底的一侧，源电极与栅电极之间设置有钝化层，栅电极与漏电极之间设置有结场层。本申请能够有效提高器件的耐压能力。
端电压控制器件及其制作方法

[发明专利]一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210725132.5在审
发明人：袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底的一侧表面依次形成成核层、过渡层和势垒层，并在势垒层远离衬底的一侧制备源极和漏极；刻蚀势垒层和过渡层的两端形成台面，并在源极、漏极和势垒层远离衬底的一侧淀积HfO2薄膜，形成绝缘介质层；在绝缘介质层远离衬底的一侧制备栅极；在绝缘介质层和栅极远离衬底的一侧淀积形成钝化层；刻蚀钝化层远离衬底的一侧表面后，淀积掺氧的半绝缘多晶硅，形成漏场板；沿垂直于衬底所在平面的方向，漏场板的正投影为近似S型；在漏场板远离衬底的一侧形成保护层，得到制备完成的GaN HEMT器件。本发明能够使漏源之间电场分布更加均匀，从而极大的提高了器件的长期可靠性以及击穿效率。
一种新型可靠性 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202210726913.6在审
发明人：袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，对绝缘介质层和各个层形成的界面在超临界流体下进行退火处理，同时，采用低温退火工艺，避免了高温的再氧化和材料分解，利用SCF态高渗透、高溶解以及无表面张力的特点对界面进行处理，以减轻槽栅工艺中HfO2与GaN层、Al0.2Ga0.8N势垒层、GaN沟道层之间形成的界面缺陷，提高界面质量，减少缺陷，且不会造成新的损伤，减小了绝缘介质层与各个层之间的陷阱的影响，实现了高质量槽栅，能量损耗得到改善，显著提高了栅介质层的可靠性。进一步减轻缺陷。
一种结构双异质结氮化电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202210726936.7在审
发明人：袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和势垒层，其中，在势垒层的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，在源极和漏极外侧分别形成向下延伸至AlN成核层上表面或内部的台面；在势垒层上表面均覆盖有钝化层；钝化层的上表面包括弯折形的漏极场板，漏极场板的一端延伸至源极上方，另一端延伸至漏极上方，漏极场板与漏极电气连接；在漏极场板的上表面以及钝化层其余区域上表面覆盖有保护层。本发明利用弯折形漏极场板连接漏电极，在较短的漏源间距下优化电场分布，有效提高了器件的长期可靠性及击穿效率。
一种具有新型漏极场板 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]流式数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质-CN201910640164.3有效
发明人：江希;屈飞鹏;廖平;黄信朝;张鹏 -专利权人：招联消费金融有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本申请涉及一种流式数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：当接收到流式数据时，根据所述流式数据获取对应的流式数据处理逻辑指令中的目标SQL语句，对所述目标SQL语句进行解析，得到所述流式数据对应的事件标识，当所述事件标识与预先存储的事件标识相匹配时，对所述流式数据进行处理。能够优化数据处理过程，提高了数据处理效率。
数据处理方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]基于动态阈值电压的功率器件结温在线监测系统-CN202210205184.X在审
发明人：王颖;江希;袁嵩;何艳静;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于动态阈值电压的功率器件结温在线监测系统，包括：待测功率器件、温控单元、栅极驱动电路、工况采样单元、结温监测单元、结温评估单元和控制单元。本发明通过建立功率器件结温在线监测系统，在不同直流母线电压和工作结温下提取动态阈值电压，建立离线参考数据库，并在待测功率器件实际运行中监测器件开通时的动态阈值电压，以此进行在线结温计算，从而为功率器件工作时的寿命预测提供依据，与现有的SiC MOSFET工作结温监测技术相比，具有更高的实时性和可移植性。
基于动态阈值电压功率器件在线监测系统

[发明专利]基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构-CN202210423453.X在审
发明人：何艳静;詹欣斌;袁嵩;江希;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构，源级、阴极、栅极、第一P+注入区、第一N+注入区、第一P阱区、第二P+注入区、第二N+注入区、N‑外延区、N+衬底区、漏极、栅氧化层、第二P阱区、钝化层、源极接触、N+源区和漏极接触。本发明能够在碳化硅MOSFET结构中集成PIN二极管，通过PIN二极管对芯片温度进行实时监控，能够提高器件的可靠性。
基于集成 pin 碳化硅 mos 结构智能芯片及其版图

[发明专利]基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构-CN202210423461.4在审
发明人：何艳静;詹欣斌;江希;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构，所述芯片包括：源极、栅极、阴极、栅氧化层、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二P‑阱区、第一P‑阱区、第二N+注入区、N‑外延区、N+衬底区、漏极、钝化层、源极接触、N+源区和漏极接触。本发明能够在碳化硅MOSFET结构中集成PIN二极管，通过PIN二极管对芯片温度进行实时监控，能够提高器件的可靠性。
基于新型碳化硅 mosfet 结构智能芯片及其版图

[实用新型]一种防水涂料的新型涂抹装置-CN202122271121.8有效
发明人：王盼;孙东东;江希 -专利权人：湖北邦邦防水科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： B05C17/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及防水涂料涂抹设备技术领域，且公开了一种防水涂料的新型涂抹装置，解决了现有防水涂料涂抹设备不能控制涂料的量而造成浪费和涂抹不均的问题，其包括主滚筒刷，所述主滚筒刷的两侧均安装有安装板，两个安装板上部的相对侧之间安装有辅助滚筒刷，辅助滚筒刷的表面与主滚筒刷的表面相接触，两个安装板的端部之间固定安装有储料箱，储料箱的底部安装有锥形导料盒，辅助滚筒刷转动卡接在锥形导料盒的底部；本防水涂料的新型涂抹装置带有有效的排料机构，能够有效的控制涂料排出的量，同时在排料机构的下方设有涂料辅助涂抹机构，使涂料能够均匀的涂抹在滚刷的表面，从而有效的提高了涂料涂抹的均匀度，也有效的避免涂料的浪费。
一种防水涂料新型涂抹装置

[发明专利]一种基于网络时延和资源管理的优化任务卸载方法-CN201911264618.8有效
发明人：刘通;邓荣;刘宇;唐林;江希 -专利权人：重庆工程职业技术学院
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H04L67/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于网络时延和资源管理的优化任务卸载方法，在融合区块链和雾计算系统中基于节点剩余资源和网络时延对优化卸载PoW难题进行了研究。在由基站雾节点、固定位置雾节点及移动雾节点共同构成的网络场景中分析了将PoW难题卸载至各种类型的雾节点所需要的总时长。此后基于网络节点剩余的计算资源、存储资源、功率资源和节点间的社交关系对MUB的支出进行了分析。并基于节点剩余资源和网络时延提出了优化任务卸载方案，并以最大化MUB收益为目标构建了数学优化模型，使用SA算法和博弈理论对优化模型进行了求解。最后，通过模拟仿真分析证明上述方案的优越性。未来的工作中将考虑在系统内引入人工智能的智能任务卸载方式。
一种基于网络资源管理优化任务卸载方法