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[发明专利]IGBT及制造功率半导体二极管的方法-CN201510605354.3有效
发明人：霍尔格·豪斯肯;安东·毛德;沃尔夫冈·勒斯纳;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了IGBT及制造功率半导体二极管的方法。一种IGBT，包括：半导体衬底，包括第一导电型的源极区域、第二导电型的本体区域、所述第一导电型的漂移区以及所述第二导电型的发射极区域；源极金属化，所述源极金属化与所述源极区域接触；发射极金属化，所述发射极金属化与所述发射极区域接触，所述发射极区域包括所述第二导电型的第一掺杂区域以及所述第二导电型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述发射极金属化形成欧姆接触，所述第二掺杂区域与所述发射极金属化形成非欧姆接触。
igbt 制造功率半导体二极管方法

[发明专利]具有高沟道迁移率的SiC-MOSFET-CN201210345929.9有效
发明人：安东·毛德;罗兰·鲁普;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体装置（100）具有SiC（碳化硅）制成的半导体本体（101）以及场效应晶体管。场效应晶体管具有形成在SiC制成的半导体本体（101）内的漂移区（102）以及半导体本体（101）上的多晶硅层（103），其中，多晶硅层（103）具有10nm至50μm的范围内的平均粒度，并且包括源区（103s）以及体区（103b）。此外，场效应晶体管具有与体区（103b）邻接的栅结构（104）。
场效应晶体管半导体本体多晶硅层体区半导体装置沟道迁移率平均粒度邻接漂移区碳化硅栅结构源区

[发明专利]集成功率半导体器件、其制造方法和斩波电路-CN201310237138.9有效
发明人：弗朗茨·赫尔莱尔;安东·毛德;安德烈亚斯·迈塞尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种有半导体本体的单片集成的功率半导体器件。半导体本体有第一和第二区域，其分别从本体的第一表面延伸直至半第二表面，第一表面的法线方向定义了垂直方向。在第一区域中形成的功率场效应晶体管结构有本体的第一表面上的第一负载接口和第二表面上的第二负载接口。第二区域中形成的功率二级管有在本体的第一表面上的第一负载接口和第二表面上的第二负载接口，功率场效应晶体管结构的第二负载接口和功率二级管的第二负载接口由共同的负载接口构成。至少一个边缘闭合结构与第一表面相邻且在水平方向上在功率场效应晶体管结构的第一负载接口和功率二级管的第一负载接口之间。本发明还涉及集成的功率半导体器件和斩波电路的制造方法。
集成功率半导体器件制造方法电路

[发明专利]半导体装置及用于制造半导体装置的方法-CN201310081830.7有效
发明人： 汉斯-约阿希姆·舒尔茨;约翰内斯·鲍姆加特尔;马库斯·哈夫曼;曼弗雷德·科特克;克里斯蒂安·克伦;托马斯·奈德哈特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及用于制造半导体装置的方法。第一导电类型的第一半导体区从掺杂有第一掺杂剂和第二掺杂剂的半导体基材形成。第一掺杂剂和第二掺杂剂为不同的物质且与半导体基材也不同。第一掺杂剂为电活性的并引发半导体基材中的第一导电类型的掺杂，并且引发纯的未掺杂的第一半导体区的晶格常数的减小或增大。第二掺杂剂可为电活性的，并可为与第一掺杂剂相同的掺杂类型，引发以下各项中的一者或两者第一半导体区的硬化；分别地，如果第一掺杂剂引发减小，那么纯的未掺杂的第一半导体区的晶格常数增大；如果第一掺杂剂引发增大，那么纯的未掺杂的第一半导体区的晶格常数减小。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201310219811.6有效
发明人：彼得·伊尔西格勒;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括在半导体本体中形成沟槽。所述方法进一步包括通过等离子体掺杂来经由沟槽的侧壁掺杂半导体本体的一部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法-CN201310349620.1有效
发明人：安东·毛德;赖因哈德·普洛斯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底。第一沟槽从第一侧延伸入或穿过该半导体衬底。半导体层在该第一侧邻接该半导体衬底。该半导体层在该第一侧覆盖该第一沟槽。该半导体器件进一步包括在该半导体衬底的与该第一侧相反的第二侧处的接触体。
半导体衬底包含沟槽半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201320533931.9有效
发明人：汉斯·彼得·费尔斯尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;安东·毛德;约阿希姆·魏尔斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底，其中半导体衬底包括：第一表面和与第一表面相对的第二表面，半导体衬底具有从第一表面至第二表面延伸的厚度方向以及垂直于厚度方向的第一平面方向；在半导体衬底上形成有源区域和位于有源区域外侧的边缘终端区域，有源区域具有在厚度方向上靠近第一表面的具有第一掺杂的第一区域、形成在半导体衬底上的在厚度方向上靠近第二表面的具有第二掺杂的第二区域；设置在有源区域中和/或边缘终端区域中的电介质沟槽隔离结构，电介质沟槽隔离结构包括至少部分在厚度方向上延伸的沟槽以及填充在其中的电介质填充物。
半导体器件

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220806.2有效
发明人：霍尔格·豪斯肯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：有源区域，包括本体区，具有第一导电类型；源区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型并与本体区形成第一pn结；漂移区，具有第二导电类型并设置在本体区与发射极侧相对的一侧并与本体区形成第二pn结；至少一个沟槽，在漂移区内延伸并填充有栅极，至少一个沟槽具有第一宽度的第一沟槽部以及具有不同于第一宽度的第二宽度的第二沟槽部，其中，本体区与漂移区间的第二pn结位于绝缘栅双极型晶体管中第二深度；以及终端区域，位于有源区域的外围并包括具有第一导电类型的掺杂区以及具有第二导电类型的体块区，其中掺杂区在绝缘栅双极型晶体管中朝向体块区延伸至第一深度，其中第一深度比第二深度深。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220752.X有效
发明人： 汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一基区，具有第二导电类型；源区，具有不同于第二导电类型的第一导电类型并与第一基区形成第一pn结；漂移区，具有第一导电类型并与第一基区形成第二pn结；集电区，具有第二导电类型；至少一个沟槽，其中，至少一个沟槽由栅电极填充，至少一个沟槽具有第一沟槽部和第二沟槽部，第一沟槽部具有第一宽度，第二沟槽部具有第二宽度，第二宽度与第一宽度不同；以及场终止区，具有第一导电类型，位于漂移区和集电区之间并与集电区形成第三pn结，其中，场终止区包括深能级第一导电类型掺杂区。场终止区具有深能级掺杂区，可以保证在绝缘栅双极型晶体管断开期间功率损耗降低也能够获得良好的短路鲁棒性。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220862.6有效
发明人：弗兰克·普菲尔什;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：发射极；以及半导体主体，其中所述半导体主体包括：第一基区，具有第一导电类型；源区，具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并与所述第一基区形成第一pn结；防闩锁区（P+），形成在所述第一基区中，具有至少一个位于所述源区之下并与所述源区接触的第一部分，所述防闩锁区具有所述第一导电类型，并且掺杂浓度大于所述第一基区的掺杂浓度；以及至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽被填充有栅电极，其中，所述至少一个沟槽具有：第一沟槽部，具有第一宽度；以及第二沟槽部，具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度。通过本实用新型的技术方案，防止了IGBT发生闩锁效应。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220815.1有效
发明人：霍尔格·豪斯肯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、栅电极、发射极及半导体本体，该半导体本体包括：体区，具有第一导电类型；源区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型，与体区形成第一pn结；漂移区，具有第二导电类型并位于体区的与发射极侧相反的一侧且与体区形成第二pn结；至少一个第一沟槽，形成在半导体本体表面上延伸至漂移区且与栅电极接触，至少一个第一沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分具有第一宽度第二沟槽部分具有与第一宽度不同的第二宽度；至少一个第二沟槽形成在半导体本体表面上延伸至漂移区且与发射极接触。通过将多个沟槽中一些接触发射极而非栅电极可降低栅极-发射极电容并增加发射极-集电极电容。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]包括存储区和边缘区的超结半导体器件-CN201210307113.7有效
发明人：弗朗茨·赫尔莱尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;乌韦·瓦尔;汉斯·韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：超结半导体器件的漂移层包括第一导电型的第一部分以及与第一导电型相反的第二导电型的第二部分。第一和第二部分可形成于存储区和环绕存储区的边缘区内，其中通过漂移层的通态或正向电流流经存储区内的第一部分。第一和第二部分的至少一个而不是存储区内的第一部分包含辅助杂质或具有辅助结构以局部降低雪崩率。局部降低雪崩率增大了超结半导体器件的总电压阻断能力。
包括存储边缘半导体器件

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220731.8有效
发明人： 汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一基区，具有第二导电类型；源区，具有不同于第二导电类型的第一导电类型并与第一基区形成第一pn结；漂移区，具有第一导电类型并与第一基区形成第二pn结；集电区，具有第二导电类型；至少一个沟槽，其中，至少一个沟槽由栅电极填充，至少一个沟槽具有第一沟槽部和第二沟槽部，第一沟槽部具有第一宽度，第二沟槽部具有第二宽度，第二宽度与第一宽度不同；以及场终止区，具有第一导电类型，位于漂移区和集电区之间，其中，场终止区包括具有。场终止区具有第二导电类型的多个埋入区，可以保证在绝缘栅双极型晶体管断开期间功率损耗降低也能够获得良好的短路鲁棒性。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]场效应半导体器件-CN201320220609.0有效
发明人：弗兰克·普菲尔什;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种场效应半导体器件，包括：发射极；以及半导体主体，其中，该半导体主体包括：第一基区，具有第一导电类型；源极区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型并与第一基区形成第一pn结；以及至少一个沟槽，其中，该至少一个沟槽填充有栅电极，且其中，该至少一个沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分具有第一宽度，第二沟槽部分具有第二宽度，第二宽度不同于第一宽度；栅极绝缘部，部分与第一基区相邻，其中，第一基区的与栅极绝缘部接触的界面是{100}等效晶面。采用该半导体器件，能够获得在沟道区附近的良好限定且长期稳定的半导体层与电介质层之间的界面。
场效应半导体器件

[发明专利]包括第一和第二半导体材料的半导体器件-CN201210279823.3有效
发明人：弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;斯特凡·福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括具有第一半导体材料的第一半导体区。半导体器件进一步包括与第一半导体区邻接的第二半导体区。第二半导体区包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。半导体器件进一步包括第一半导体区中的漂移或基极区。半导体器件进一步包括第二半导体区中的发射极区。第二半导体区包括至少一种深能级掺杂剂。该至少一种深能级掺杂剂的溶解度在第二半导体区高于第一半导体区。
包括第一第二半导体材料半导体器件

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