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[发明专利]FPD用光掩模、FPD用光掩模的位置测量用标记的形成方法以及FPD用光掩模的制造方法-CN202310086669.6在审
发明人：桥本昌典 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种FPD用光掩模，其以合适的形态形成用于保证二维地排列的各单位图案的位置精度的位置测量用标记。FPD用光掩模(1)具备：图案形成区域(1A)，由多个单位图案形成区域(1Aa)、……在周围具有空白部(1Ab)且沿正交的第一方向(x)和第二方向(y)二维地排列而成；外边缘区域(1B)，包围图案形成区域(1A)；以及，多个位置测量用标记(3A)；位置测量用标记(3A)由沿第一方向(x)的线以及沿第二方向(y)的线的组合构成，并且在图案形成区域(1A)中，仅在空白部(1Ab)交叉的部分形成。
fpd 用光位置测量标记形成方法以及制造

[发明专利]光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法-CN202211255619.8在审
发明人：山田慎吾;森山久美子 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。该光掩模坯的制造方法用于制造将透明基板(3)的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯(2)。
光掩模坯制造方法以及光掩模

[发明专利]光掩模和光掩模的制造方法-CN202211206308.2在审
发明人：加藤和男 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模和光掩模的制造方法，具有半透光图案的光掩模能够在光刻步骤中有效地降低来自光掩模的曝光光线的反射。本发明的光掩模，在透明基板(1)上具有由半透光膜(6)构成的半透光图案(6a)，和由第1反射抑制膜(2)、遮光膜(3)以及第2反射抑制膜(4)的层叠遮光膜(30)构成的层叠遮光图案(30a)，半透光膜(6)的光密度低于层叠遮光膜(30)的光密度，第1反射抑制膜(2)与透明基板1接触，构成为对于波长在365nm至436nm的范围内的曝光光线，来自正面的层叠遮光图案(30a)的反射率为15％以下，来自背面的层叠遮光图案(30a)的反射率为5％以下。
光掩模制造方法

[发明专利]图案修正方法以及光掩模-CN202210917102.4在审
发明人：川原未佑;田中千恵;森山久美子 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面；图案形成工序，形成光致抗蚀剂图案；以及遮光膜除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去第二遮光膜(21)的一部分。
图案修正方法以及光掩模

[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法-CN201780070662.8有效
发明人：美作昌宏 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有：包括第一半透膜的第一半透过区域；包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域；透明区域；以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域，上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10～70[％]和1～8[％]，第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果，在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分，曝光光的强度分布陡峭地变化，能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
色调光掩模坯制造方法

[发明专利]非接触信息载体-CN202080027776.6有效
发明人：大岛清志;小林英树 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具备IC芯片的非接触信息载体，所述IC芯片具有电特性良好的片上天线。所述非接触信息载体是在IC芯片上具备螺旋布线的非接触信息介质，在具有第1电极及第2电极的IC芯片上具有螺旋布线，该螺旋布线具有与第1电极及第2电极电连接的第1端部及第2端部，第1中继布线经由第1连接孔与第1电极连接，第1端部经由形成于螺旋布线的内周侧的第3连接孔与第1中继布线连接，第1中继布线具有在对角线上包含第1连接孔和第3连接孔的长方形区域。
接触信息载体

[发明专利]带防药剂暴露功能的加压式药品注入器-CN202080100019.7在审
发明人：辻晃仁;松田直树 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： A61M5/152 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够搬运的抗癌剂容器，其用于防止在进行使用清洗液的系统清洗时，由于因拆下连接器的操作产生的药液漏出而对人体的暴露、感染。提供一种带防药剂暴露功能的加压式药品注入器，其包括系统清洗功能，该带防药剂暴露功能的加压式药品注入器的特征在于，包括：具有药液填充口和药液开出口的贮存器；加压变形部件，通过药液注入而使所述药液收纳部产生加压变形，并通过加压变形恢复的力挤出药液；流量控制部件，通过阻力来调整药液的流量；系统清洗接口，具有清洗液注入口、药液填充口和液体排出口；壳体，内含所述贮存器、所述加压变形部件和所述注入系统清洗接口，所述壳体在所述药液填充口、所述药液排出口、所述清洗液注入口的附近处分别具有开口部，填充好的药液从贮存器的所述药液填充口被填充至所述加压变形部件，并从所述贮存器的药液排出口经由所述流量控制部件向容器外部移动。清洗液从配置于所述流量控制部件的下游的清洗接口的注入口注入，并向容器外部移动。清洗接口周边完全被灭菌密封件覆盖，因此清洗接口注入口到使用时为止都保持清洁。
药剂暴露功能加压药品注入

[发明专利]LC共振天线-CN201880068492.4有效
发明人：小林英樹;大島清志;山下浩二;長谷川健 -专利权人： 株式会社SK电子;京瓷株式会社
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01Q7/00 文献下载
摘要：本发明为LC共振天线，所述LC共振天线具备：电感器层，其设有线圈状的电感器；电容器层，其在该电感器的线圈中心的轴线方向上层叠于该电感器层，在所述电容器层上设有与所述电感器连接的电容器，该电容器具备一对电极板，该一对电极板以在所述层叠方向上相互隔开间隔的状态平行排列。
lc 共振天线

[发明专利]多色调光掩模的制造方法以及多色调光掩模-CN202210192510.8在审
发明人：山田慎吾;上南亮太 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供能够无需对准的多色调光掩模的制造方法及多色调光掩模。多色调光掩模的制造方法包括：准备中间体的工序，中间体由下列层叠膜结构构成，即中间体具有：在透明基板2上层叠的半透膜3；具有与半透膜3不同的蚀刻特性、以在半透膜3上重合的方式进行层叠的中间膜4；具有与半透膜3相同的蚀刻特性、以使中间膜4的周边区域的至少一部分露出的方式在中间膜4上层叠的遮光膜5；且中间膜4的露出的部分的至少一部分具有越接近透明基板2其边缘4a越向外侧扩展的形状；将中间膜4的露出的部分分多次进行蚀刻并最终去除的工序；在除了最后一次或包括最后一次的各次蚀刻后对半透膜3的露出的部分进行等离子体处理，改变该部分的透射率的工序。
多色调光制造方法以及

[发明专利]LC共振天线-CN201880068491.X有效
发明人：小林英樹;大島清志 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01Q7/00 文献下载
摘要：本发明为LC共振天线，具有：电感器层，其设有线圈状的电感器；电容器层，其设有电容器且层叠于该电感器层，所述电容器具有多个电极板，该多个电极板在所述电感器层与所述电容器层的层叠方向上与所述电感器排列、且在与该层叠方向正交的面方向上扩展，所述电感器以线圈中心的轴线方向与所述层叠方向一致或大致一致的方式形成，在所述多个电极板上形成有能够供磁通通过的通过区域，该通过区域在所述层叠方向上与被所述电感器包围的内侧区域对应。
lc 共振天线

[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法-CN201780070660.9有效
发明人：山田慎吾;森山久美子;美作昌宏 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
色调光掩模坯制造方法

[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法、显示装置的制造方法-CN202111051234.5在审
发明人：田中千惠;齐藤隆史;山田步实;森山久美子;福泉照夫 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。
光掩模制造方法显示装置

[发明专利]接近式曝光用光掩模-CN202110618642.8在审
发明人：齐藤隆史 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供能够将微细的孔图案稳定地析像的光掩模。本光掩模具备露出透过性基板的透过部、以及以包围透过部的方式将曝光光的相位反转的第一相移部和第二相移部。第二相移部介于第一相移部与透过部之间，第二相移部对曝光光的透射率比第一相移部的透射率低。另外，第二相移部可由第一相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构构成。
接近曝光用光

[发明专利]光掩模的修正方法-CN202110571824.4在审
发明人：齐藤隆史;上南亮太 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。
光掩模修正方法

[发明专利]半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法以及半色调掩模-CN202010710633.7有效
发明人：赤木宣纪;多田莲 -专利权人： 株式会社SK电子
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明的课题是提供可进行极高精度的缺陷修正的半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法，以及缺陷被极高精度地修正的半色调掩模。本发明的半色调掩模的缺陷修正方法通过在半透射部3的缺陷修正对象区域5形成修正膜10，从而修正在半透射部3产生的缺陷4，包括：主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域5，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成主膜8；填补膜成膜工序，在即使通过主膜8的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域5的高透射部，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成填补膜9。
色调缺陷修正方法制造以及

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