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[发明专利]硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法-CN202110220598.5有效
发明人：清家吉贵;东野诚司;置盐真奈美;小林健司;根来世 -专利权人：株式会社德山;株式会社斯库林集团
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
蚀刻使用器件制造方法以及处理

[发明专利]狭缝喷嘴、狭缝喷嘴的调整方法及基板处理装置-CN202210513193.5在审
发明人：安陪裕滋 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够长期使用的狭缝喷嘴、狭缝喷嘴的调整方法及基板处理装置。本发明包括：块体，具有能够安装于狭缝喷嘴的第二本体部的调整本体部、与从调整本体部向吐出口侧突出设置的突出部，通过调整本体部向第二本体部的安装，突出部相对于第二本体部在狭缝喷嘴的第一本体部的相反侧，在相向方向上隔开第二间隙与第二本体部相向；以及间隙调整部，执行扩大动作与狭小动作中的至少其中一者来调整开口尺寸，所述扩大动作是通过第二间隙的减少而使第二本体部在吐出口的附近从第一本体部分离来扩大开口尺寸，所述狭小动作是通过第二间隙的增大而使第二本体部在吐出口的附近接近第一本体部来缩窄开口尺寸。
狭缝喷嘴调整方法处理装置

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202210579872.2在审
发明人：户部龙太;北泽贵宏 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能以简单的构成测定闪光照射时的衬底的温度的热处理方法及热处理装置。在成为温度测定对象的半导体晶圆的斜上方设置上部放射温度计(25)。上部放射温度计(25)具备接收到光时产生电动势的光伏元件(28)。光伏元件(28)同时具有高速应答性与低频带的良好的噪音特性。由于光伏元件(28)不冷却，在常温下也能获得充分的感度，所以上部放射温度计(25)中无需用来冷却的机构。由于上部放射温度计(25)无需设置光学斩波器，也无需设置微分电路，所以上部放射温度计(25)能以简单的构成，在卤素灯的预备加热时及闪光照射时这两者，测定半导体晶圆的正面温度。
热处理方法装置

[发明专利]衬底洗净装置及衬底洗净方法-CN202210719627.7在审
发明人：筱原智之;中村一树;冈田吉文;髙桥拓马;筱原敬;冲田展彬;石井淳一 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底洗净装置及衬底洗净方法。通过一边使洗净器具接触由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域，一边使洗净器具绕中心轴旋转，而将下表面中央区域洗净。使洗净器具接触通过第2保持部而旋转的衬底的下表面外侧区域，由此将下表面外侧区域洗净。以如下方式使设置着第2保持部及洗净器具的可动基座在水平面内移动，即，当在第1保持部与第2保持部之间交接衬底时，俯视下第1保持部的基准位置与第2保持部的中心轴一致，在对下表面中央区域进行洗净时，俯视下洗净器具与由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域重叠，且洗净器具的中心轴和衬底的与中心不同的第1部分一致。
衬底洗净装置方法

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201880009209.0有效
发明人：中井仁司 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理装置包括：保持基板的基板保持单元；用于喷出用于处理上述基板的处理液的处理液喷嘴；向上述处理液喷嘴供给处理液的供给配管；夹装于上述供给配管并开闭该供给配管的供给阀；供处理液流通的流通配管，该处理液从上述处理液喷嘴喷出而不向上述基板保持单元所保持的基板供给的处理液；以及漏液检测单元，其是用于检测处理液从上述供给阀的漏出的漏液检测单元，具有流通阀和检测器，该流通阀夹装于上述流通配管并开闭该流通配管，该检测器用于检测积存在上述流通配管中比上述流通阀靠上游侧的上游侧区域内的处理液、或者积存在从上述上游侧区域分支并能预先积存上述处理液的分支区域的处理液，在上述供给阀及上述流通阀的关闭状态下，基于积存在上述上游侧区域或上述分支区域的处理液来检测来自上述供给阀的漏液。
处理装置以及方法

[发明专利]显影单元、基板处理装置、显影方法及基板处理方法-CN201780008307.8有效
发明人：田中裕二;浅井正也;春本将彦;金山幸司 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明由旋转卡盘来保持已将含有金属的涂布液的膜曝光成规定图案的基板。利用狭缝喷嘴对由旋转卡盘所支承的基板的被处理面供给显影液。利用清洗喷嘴对被供给显影液后的基板的被处理面供给去除金属或使金属溶解的清洗液。
显影单元处理装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN202010823739.8有效
发明人：山口贵大;山口直子;藤田惠理;髙桥贤二郎;樋口鲇美;脇田明日香;相原友明;田原香奈 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。基板处理装置(1)包括：药液罐(30)；与药液罐连接的第一循环配管(31)；泵，向第一循环配管(31)送出药液罐内的药液；第二循环配管(32)，与第一循环配管(31)分支连接；过滤器(39)，安装于第一循环配管(31)中的比第二循环配管(32)的连接位置(P2)更靠上游侧的上游侧部分(33)；以及压力调整单元，调整流经上游侧部分(33)的药液的压力。压力调整单元包括调整第二循环配管的开度的调节器(71)。调节器(71)使在基板处理装置的循环空闲状态下流经上游侧部分(33)的药液的压力与在基板处理装置的就绪状态下流经上游侧部分的药液的压力一致或接近。
处理装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201780013897.3有效
发明人：中井仁司;金松泰范;安藤幸嗣;岩田智巳 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在将内侧杯部(24)的上端配置于较外侧杯部(25)的上端靠下方的位置的外侧杯相对状态下，一面以通过外侧杯部(25)的内侧面接收从上表面(91)飞散的液体的方式使基板(9)以较高的转速旋转，一面朝上表面(91)上依次供给纯水、混合液及有机溶剂。接着，在内侧杯部(24)的内侧面被配置于基板(9)的周围的内侧杯相对状态下，朝上表面(91)供给填充材料溶液，在上表面(91)上填充填充材料溶液。由此，防止填充材料溶液与纯水在内侧杯部(24)内混合，从而防止填充材料溶液的胶状化等。通过供给将有机溶剂与纯水混合而成的混合液，抑制形成于上表面(91)的图案要素的倒塌。
处理方法装置

[发明专利]衬底洗净装置及衬底洗净方法-CN202210659023.8在审
发明人：中村一树;石井淳一;筱原智之;髙桥拓马 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底洗净装置及衬底洗净方法。本发明通过衬底保持部将衬底以水平姿势保持。在处理位置，通过下表面刷子将由衬底保持部保持的衬底的下表面洗净。在与由衬底保持部保持的衬底于上下方向重叠且位于处理位置的下方的待机位置，通过刷子洗净部将下表面刷子洗净。下表面刷子通过下表面刷子升降驱动部在处理位置与待机位置之间升降。
衬底洗净装置方法

[发明专利]衬底清洗装置-CN202210659024.2在审
发明人：筱原智之;冈田吉文;冲田展彬;筱原敬;石井淳一;中村一树;髙桥拓马 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的衬底清洗装置包含衬底保持部、第1清洗件、第2清洗件及第3清洗件。衬底保持部以水平姿势保持圆形状的衬底。第1清洗件在俯视时，以通过衬底外缘的第1点的方式在衬底的上方进行扫描，由此清洗衬底的上表面。第2清洗件在俯视时，通过接触于衬底外缘的第2点来清洗衬底的外周端部。定义通过第1点与第2点的假想性第1直线、及通过衬底的中心且与第1直线平行的假想性第2直线。第3清洗件配置在衬底的下方且隔着第2直线而与第1清洗件及第2清洗件相反的区域，清洗衬底的下表面。
衬底清洗装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202210638903.7在审
发明人：胡灵达;鳅场真树;铃木圭 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于从基板上去除有机膜的基板处理方法以及基板处理装置，提供能够抑制药液成本的负担和废液处理的负荷，并且能够高效率地从基板上去除有机膜的基板处理方法和基板处理装置。用于从基板上去除有机膜的基板处理方法具有：a)通过向基板处理室内导入含臭氧气体，使含臭氧气体充满所述基板处理室内的至少所述基板上方的空间的工序；b)在所述工序a)之后，开始经由所述空间向所述基板上进行包含硫酸的加热后的药液的喷雾的工序；c)继续通过所述工序b)开始的所述喷雾的工序；d)停止在所述工序c)中继续的所述喷雾的工序。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202180021242.7在审
发明人：山口侑二 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在超临界干燥处理中，一边防止因气液界面的产生而引起的基板的污染，一边通过处理流体以较高的置换效率置换附着于基板的液体。为了该目的，本发明的基板处理方法具备如下步骤：第一步骤(步骤S104)，对收容基板的腔室内导入气相的处理流体；第二步骤(步骤S105)，使腔室内的处理流体自气相不经由液相而变化为超临界状态；第三步骤(步骤S106)，使腔室内的处理流体自超临界状态变化为液相；第四步骤(步骤S107)，使腔室内的处理流体自液相变化为超临界状态；及第五步骤(步骤S108)，使腔室内的处理流体自超临界状态不经由液相而变化为气相并自腔室排出。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、学习完成模型的生成方法及学习完成模型-CN202180029372.5在审
发明人：阿野诚士;小路丸友则 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置(100)具备基板保持部(120)、药液供给部(130)、基板信息取得部(22a)、药液处理条件信息取得部(22b)、及控制部(22)。基板信息取得部(22a)取得包含硬化层厚度信息或离子注入条件信息的基板信息，该硬化层厚度信息表示处理对象基板的抗蚀层中的硬化层的厚度，该离子注入条件信息表示在抗蚀层形成硬化层的离子注入的条件。药液处理条件信息取得部(22b)基于基板信息，自学习完成模型取得表示关于处理对象基板的药液处理条件的药液处理条件信息。控制部(22)根据药液处理条件信息来控制基板保持部(120)及药液供给部(130)，以利用药液对处理对象基板进行处理。
处理装置方法习用数据生成学习方法学习完成模型

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201780008426.3有效
发明人：桥本光治 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：从低表面张力液体供给单元向基板的上表面供给低表面张力液体，从而在基板上形成低表面张力液体的液膜。通过在有机溶剂的液膜的中央区域形成开口并使开口扩展，从基板的上表面排除液膜。一边从低表面张力液体供给单元朝向设置于开口的外侧的着落点向液膜供给低表面张力液体，一边使着落点以追随开口的扩展的方式移动。一边使干燥喷头的相对面与设定于开口的内侧的干燥区域相对并在相对面和干燥区域之间的空间形成湿度比该空间外的湿度低的低湿度空间，一边使干燥区域和相对面以与追随开口的扩展的方式移动。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置及基板反转方法-CN202180023968.4在审
发明人：高山祐一 -专利权人： 株式会社斯库林集团
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明关于一种基板处理装置(1)及基板搬送方法。基板处理装置(1)具备支撑部(25)、搬送机构(23)及反转机构(26)。搬送机构(23)具备第1吸引部(42)与手部驱动部(45)。反转机构(26)具备第2吸引部(72)与旋转驱动部。当搬送机构(23)将基板(W)搬送至支撑部(25)时，第1吸引部(42)位于基板(W)的上方，第1吸引部(42)使气体沿着基板(W)的上表面流动而将基板(W)朝上方吸引，且手部驱动部(45)使第1吸引部(42)移动至支撑部(25)。当反转机构(26)自支撑部(25)接收基板(W)时，第2吸引部(72)位于被支撑于支撑部(25)的基板(W)的上方，且第2吸引部(72)使气体沿着基板(W)的上表面流动而将基板(W)朝上方吸引。
处理装置反转方法