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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件以及使用其的编程方法-CN202210116399.4在审
发明人： 柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种包括多个存储区块及多个源极开关的存储器件以及使用其的编程方法。源极开关中的每一者对应于存储区块中的一者，且源极开关中的每一者耦合到存储区块中的对应一者的共用源极线。与存储区块之中针对编程操作的被选择存储区块对应的被选择源极开关被配置成在编程操作的编程周期期间将被选择存储区块的共用源极线偏置到参考电压。与存储区块之中针对编程操作的未被选择存储区块对应的未被选择源极开关被配置成在编程操作的编程周期期间使未被选择存储区块的共用源极线浮动。
存储器件以及使用编程方法

[发明专利]随机数产生系统及其随机数产生方法-CN201710941000.5有效
发明人：何文乔;柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明提供一种随机数产生系统及其随机数产生方法。随机数产生系统包括随机数产生器、随机数选择电路及随机数逻辑电路。随机数产生器接收随机数要求信号，以提供具有n个比特的第一随机数列，其中n为一正整数。随机数选择电路接收随机数要求信号，以提供具有n个比特的比特选择信号，其中比特选择信号为时变信号且决定于所接收的随机数要求信号。随机数逻辑电路接收随机数要求信号、第一随机数列及比特选择信号，反应该随机数要求信号利用比特选择信号调整第一随机数列，以提供第二随机数列。本发明可将随机数产生器所产生的随机数进行二次处理，并且输出经处理后的随机数，以提高随机数的不可预测性。
随机数产生系统及其方法

[发明专利]随机数产生系统及其随机数产生方法-CN201710965357.7有效
发明人：何文乔;柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06F21/72 文献下载
摘要：本发明提供一种随机数产生系统及其随机数产生方法。随机数产生系统包括随机数产生器、随机遮罩电路、比特缩减逻辑电路及接收器。随机数产生器提供随机数列。随机遮罩电路接收随机数列以提供随机数遮罩数列及随机遮罩指示数列，其中随机遮罩指示数列中为第一逻辑准位的比特对应随机数遮罩数列中为高阻抗状态的比特。比特缩减逻辑电路接收随机数列及随机遮罩指示数列，以提供比对金钥。接收器接收随机数遮罩数列，以提供验证金钥，其中验证金钥相同于比对金钥。
随机数产生系统及其方法

[发明专利]内存电路及内存编程方法-CN202011547642.5在审
发明人：何文乔;柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种内存电路及内存编程方法，适用于编程闪存，包括电荷泵电路，产生泵电压与泵电流；电压调节器，耦接电荷泵电路，并根据泵电压与泵电流产生编程电压与编程电流以编程闪存；电压传感器，耦接电压调节器以监视编程电压的电压值；以及多个开关电路，其中每个开关电路的一端耦接电压传感器，另一端耦接闪存，且所述多个开关电路的导通个数根据所述编程电压的所述电压值决定。
内存电路编程方法

[发明专利]电子装置及其操作方法-CN201811037728.6有效
发明人： 柳弼相;何文乔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种电子装置及其操作方法，用以正确地触发电子装置的初始化操作。电子装置包括多个闩锁器与上电重置生成器。多个闩锁器耦接至多个存储单元，并配置为监控多个存储单元的存储数据。上电重置生成器耦接至多个闩锁器，并配置为根据至少一存储单元的数据损坏，生成上电重置脉冲以重置电子装置。根据多个存储单元的存储数据与相对应的硬件编码数据，在电子装置的初始化操作期间检测数据损坏。
电子装置及其操作方法

[发明专利]非挥发性半导体储存装置及其读取方法-CN201810471547.8有效
发明人： 柳弼相;何文乔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种能够消除位元线泄漏对读取的影响的非挥发性半导体储存装置及其读取方法。所述非挥发性半导体储存装置包括：存储器阵列；半导体井，具有多个抹除单元；以及源极开关阵列，具有多个源极开关。所述源极开关中的每一个耦接到所述半导体井的一个抹除单元的共用源极线。在读取操作期间，所述源极开关中只有耦接到所述半导体井的所述抹除单元中用于进行读取的被选择抹除单元的一个源极开关被致能。因此，防止位元线泄漏影响对存储器阵列的存储器晶胞的读取操作，从而提高非挥发性半导体储存装置的可靠性。
挥发性半导体储存装置及其读取方法

[发明专利]存储器存储装置-CN201710372748.8有效
发明人：何文乔;柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器存储装置，包括多条字元线以及多条位元线、存储器晶胞阵列以及存储器控制器。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞用以存储数据。各存储器晶胞耦接至对应的字元线以及位元线。存储器控制器用以对存储器晶胞阵列进行读取操作。在存储器控制器致能字元线的同时，存储器控制器对位元线的一部分或全部进行预充电操作。
存储器存储装置

[发明专利]快闪存储器装置及其擦除方法-CN201410022779.7有效
发明人： 柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器装置及其擦除方法，检测对应该擦除指令的存储器区块是否已被擦除，若对应擦除指令的存储器区块未被擦除才预程序化存储器区块。本发明可延长快闪存储器装置的使用寿命。
擦除快闪存储器存储器区块擦除指令程序化存储器使用寿命区块检测

[发明专利]具有电源切换功能的非易失性存储器-CN201310272467.7有效
发明人： 柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器，包括第一开关、开关控制器以及供电需求装置。第一开关包括第一端、第二端、第三端以及第一控制端。该非易失性存储器可包括第二开关，其具有第四端、第五端、第六端以及第二控制端。开关控制器耦接该第一开关的该第一控制端与该第二开关的第二控制端，用以传送第一控制信号至第一开关以控制第三端连接到第一端或第二端，以及传送第二控制信号至第二开关以控制该第四端连接到第五端或第六端。供电需求装置从该第一开关的该第三端接收第一电压，以及传送第二电压至第二开关的该第四端。
具有电源切换功能非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器系统及偏压非易失性存储器的方法-CN201310364202.X在审
发明人： 柳弼相;叶润林 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器系统及偏压非易失性存储器的方法。非易失性存储器系统包括存储器单元阵列及耦接至存储器单元阵列的偏压电路。偏压电路包括控制器及偏压产生器。控制器用以在抹除周期后对存储器单元阵列进行抹除确认动作，其中当存储器单元阵列的至少一部份未通过抹除确认动作时，控制器产生一控制信号且传送该控制信号至偏压产生器。偏压产生器提供第一电压至存储器单元阵列，直至接收到从控制器传送的控制信号为止。当偏压产生器接收从控制器的控制信号时，偏压产生器根据控制信号，增加提供至存储器单元阵列的第一电压至一第二电压。
非易失性存储器系统偏压方法

[发明专利]串列式快闪存储器的抹除方法-CN201110228318.1有效
发明人： 柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种串列式快闪存储器的抹除方法，至少包括以下步骤：提供欲抹除的区块，其中上述区块包括N个扇区；对区块执行前程式化程序；施加抹除脉冲于区块；选择N个扇区的最先者做为待测扇区；判断待测扇区是否通过扇区抹除验证；若是，检查待测扇区的复数个位元组存储单元，并将待测扇区的扇区地址储存于暂存器中；若否，选择N个扇区的下一者以更新待测扇区，并检查暂存器，移除N个扇区中已通过扇区抹除验证的扇区的复数个字元线的负偏压，且施加抹除脉冲于区块。
串列闪存方法

[发明专利]切换电路和快闪存储器装置-CN201110197320.7无效
发明人： 柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种切换电路，适用于快闪存储器的扇区，包括：电压位准移位器和晶体管。电压位准移位器用以接收泵电位和使能信号，并根据使能信号产生输出信号，其中上述泵电位高于上述快闪存储器的一工作电位。晶体管包括：接收输出信号的栅极、接收接地电位的源极，以及耦接到扇区的记忆单元阵列的阵列电位的漏极。本发明实施例的切换电路以及快闪存储器装置，可以降低读取过程中的阵列电位，并使感测放大器取得更好的读取感测边界。
切换电路闪存装置

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