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[发明专利]一种新型Doherty功率放大器-CN201911160328.9有效
发明人：程知群;张志维;刘国华;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型Doherty功率放大器。本发明输入信号经所述的功率分配器分成两路后，一路信号直接输入给主功率放大器支路，另外一路先经过第二相位延迟线后再输入给辅功率放大器支路。主功率放大器支路的输出信号经过第一相位延迟线后进入补偿相位及合路网络，辅功率放大器支路的输出信号直接进入补偿相位及合路网络，两路信号通过补偿相位及合路网络后输出。本发明通过补偿传统Doherty功率放大器主辅支路存在相位差，减小了高功率阶段主功放支路功率的泄露以及避免了低功率阶段主功放负载阻抗的减小，提高了Doherty功放的输出功率和效率。
一种新型 doherty 功率放大器

[发明专利]一种自输入控制的负载调制类功率放大器及其实现方法-CN201910062286.9有效
发明人：程知群;张志维;刘国华;柯华杰;李素东;杨仁好 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种自输入控制的负载调制类功率放大器及其实现方法，本发明第三正交耦合器将输入信号均分为两路。第一正交耦合器将一路输出信号通过功率放大电路转化成两路正交信号输出，两路功率放大电路输出的信号再接入第二正交耦合器的输入端后输出给负载。在第二正交耦合器的隔离端接入所需的控制信号进行负载调制的目的。控制信号通过将另一路输出信号进行相位调整和功率放大来实现。本发明通过使用正交耦合器引入控制信号来实现的负载调制类功率放大器，并且该控制信号由输入信号通过控制信号产生电路根据需求产生所需的幅度和相位的控制信号，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，提高了负载调制类功放功率回退范围内的效率。
一种输入控制负载调制功率放大器及其实现方法

[发明专利]伪Doherty式自输入控制的负载调制平衡类功率放大器及其实现方法-CN202010451995.9在审
发明人：程知群;张志维;柯华杰;刘国华 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本发明公开了伪Doherty式自输入控制的负载调制平衡类功率放大器及其实现方法，包括两个正交耦合器、两个功率放大电路、控制信号电路、功分器、相位延迟线和隔离电阻，其中，控制信号电路通过将功分器输出的信号进行功率放大来实现所需的控制信号。同时，将平衡类功放设置成峰值功放，控制信号电路设置成载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征。对于现有技术，本发明通过使用正交耦合器引入自输入的控制信号来实现的负载调制类功率放大器，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，并且将平衡类功放当作峰值功放，控制信号电路当作载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征，提高了负载调制类功放功率回退范围和此范围内的效率。
doherty 输入控制负载调制平衡功率放大器及其实现方法

[发明专利]一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法-CN201710436098.9有效
发明人：程知群;张明;李江舟;刘国华;董志华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，包括紧凑型输出匹配网络、GaN HEMT晶体管、基于切比雪夫低通滤波器原型的输入匹配网络，其中，紧凑型输出匹配网络为LC低通匹配网络，为了增强带宽性能，使用开路扇形微带传输线代替并联电容器。输入匹配网络采用基于切比雪夫低通原型的多级低通匹配网络进行设计，以系统地提高带宽。相对现有技术，本发明通过采用一种新型的晶体管输出阻抗计算方法，改进传统J类放大器的输入输出匹配网络，增强了J类放大器的效率和带宽，使其在更宽的带宽内有效地放大信号。
一种基于紧凑型输出匹配网络宽带高效功率放大器实现方法

[发明专利]增强带宽的可重构负载调制类功率放大器及其实现方法-CN201910062264.2在审
发明人：程知群;张志维;刘国华;柯华杰;李素东;杨仁好 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强带宽的可重构负载调制类功率放大器的实现方法。本发明包括两个正交耦合器、两个功率放大电路，第一正交耦合器用于将输入信号转化成两路正交信号输出。隔离电阻接在正交耦合器的隔离端使输入输出信号达到良好的隔离。经第一正交耦合器输出的信号通过两路功率放大电路进行功率放大。两路功率放大电路输出的信号再接入第二正交耦合器的输入端，随后输出给负载。在第二正交耦合器的控制端接入所需的控制信号进行可重构负载调制。本发明通过使用正交耦合器外加控制信号来实现可重构的负载调制类功率放大器，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，提高了负载调制类功放的高效率功率回退范围。
正交耦合器负载调制功率放大器可重构功率放大电路两路输出控制信号带宽隔离电阻工作带宽功率放大功率回退输出信号信号通过信号转化正交信号高效率隔离端控制端输入端功放隔离

[发明专利]一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法-CN201610888848.1有效
发明人：程知群;李江舟;董志华;刘国华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给主功率放大电路和辅助功率放大电路，主功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T1，辅助功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T3，合路后将功率输出给负载，合路输出端并接四分之一波长短接线T2。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络同时在输出端并联四分之一波长短接线方案，减小了负载调制网络的阻抗变换比，有效地抑制负载阻抗随频率的漂移，极大地拓宽了Doherty功率放大器的工作带宽。
一种基于改进负载调制网络拓展带宽 doherty 功率放大器及其实现方法

[发明专利]一种拓展带宽的非对称Doherty功率放大器及其实现方法-CN201610888690.8有效
发明人：程知群;李江舟;董志华;刘国华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种拓展带宽的非对称Doherty功率放大器及其实现方法，采用非对称功分器用于将输入功率进行不等分，并将功率较小的第一信号输出给所述主功率放大电路以及将功率较大的第二信号输出给所述辅助功率放大电路；主功率放大电路的输出端与阻抗变换器T1的一端相连接，辅助功率放大电路的输出端与第二阻抗变换器T2的一端相连接，第二阻抗变换器T2的另一端与第三阻抗变换器T3的一端相连接，阻抗变换器T1的另一端与第三阻抗变换器T3的另一端相连接，并共同与负载的一端相连接。采用本发明的技术方案，使Doherty功放在功率回退9dB时仍然能够保持高效率的同时增大了非对称Doherty功放的工作带宽。
一种拓展带宽对称 doherty 功率放大器及其实现方法

[发明专利]一种宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法-CN201610889946.7有效
发明人：程知群;张明;刘国华;董志华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法，其中，三路等分功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路、第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比且缩小了Doherty功率放大器的尺寸，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
一种新型宽带 doherty 功率放大器及其实现方法

[发明专利]一种连续EF类高效率宽带功率放大器及其实现方法-CN201610309332.7有效
发明人：程知群;李江舟;张明;董志华;刘国华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种连续EF类高效率宽带功率放大器及其实现方法，包括基波输入匹配网络、E类功率放大器、连续型谐波控制网络以及基波输出匹配网络，其中，基波输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端接E类功率放大器的输入端；E类功率放大器的输出端与连续型谐波控制网络的输入端相连接，连续型谐波控制网络的输出端与基波输出匹配网络的输入端相连接，基波输出匹配网络的输出端作为功率输出。相对于现有技术，本发明在对“连续类思想”进行深入研究的基础上，提出新型基波输出匹配网络和连续型谐波控制网络，能够极大抑制负载阻抗随工作频率的漂移，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
一种连续 ef 高效率宽带功率放大器及其实现方法

[发明专利]一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器-CN201610307653.3有效
发明人：程知群;张明;李江舟;刘国华;董志华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本发明提供一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端和峰值功率放大电路的输出端与负载调制网络相连接，经负载调制网络将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过在E类功率放大器中利用谐波控制电路控制高次谐波，并通过谐波控制网络将负载阻抗变换到需要的基波阻抗，同时在奇次谐波频率上开路，在偶次谐波频点上短路，实现波形整形的目的，在理论上功放管没有功率损耗，使得功放的理想漏极效率可以达到100％。
一种基于谐波控制高效率 doherty 功率放大器

[发明专利]一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法-CN201610888767.1有效
发明人：程知群;张明;刘国华;董志华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和新型负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与峰值功率放大电路的输出端相连接将功率合路输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络，增大低输入功率状态下主功放的负载阻抗，提高了Doherty功放的高效率功率回退范围。
一种提高功率动态范围 doherty 功率放大器及其实现方法

[发明专利]AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法-CN201510160791.9有效
发明人：程知群;王凯;董志华;刘国华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；然后在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h‑BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
衬底蓝宝石移除层压力传感器工艺实现粘贴孔洞范德瓦耳斯力衬底剥离陶瓷载体外延材料外延生长转移器件常规的结构层金属铜单晶漏极帽层源极腐蚀生长

[发明专利]基于垂直沟道的MISFET器件及其制备方法-CN201710087137.9在审
发明人：董志华;张佩佩;张辉;蔡勇;刘国华;柯华杰;周涛;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
基于垂直沟道 misfet 器件及其制备方法

[发明专利]基于垂直沟道的MESFET器件及其制备方法-CN201710086828.7在审
发明人：董志华;张辉;张佩佩;蔡勇;刘国华;柯华杰;周涛;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。
基于垂直沟道 mesfet 器件及其制备方法

[发明专利]基于垂直沟道的异质结场效应管器件及其制备方法-CN201710086528.9在审
发明人：董志华;蔡勇;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直沟道的异质结场效应管器件(VC‑HFET)及其制备方法。所述异质结场效应管器件包括源极、漏极、栅极以及至少一异质结沟道，所述异质结沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述异质结沟道位于异质结构内，所述异质结构包括第二半导体和环绕第二半导体设置的第一半导体，第一半导体的禁带宽度大于第二半导体，且所述异质结沟道内形成有二维电子气或二维空穴气，所述源极与漏极经所述二维电子气或二维空穴气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的异质结场效应管器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
基于垂直沟道异质结场效应器件及其制备方法

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