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[发明专利]包括背面电源轨的半导体器件及制造方法-CN202210241304.1在审
发明人：吴浚宏;钟佳玲;刘书豪;陈亮吟;林舜武;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及包括背面电源轨的半导体器件及制造方法。公开了一种形成半导体器件的方法以及由该方法形成的半导体器件，该方法包括对衬底执行离子注入并蚀刻衬底。在一个实施例中，一种方法包括在衬底的第一侧形成晶体管；对衬底的与第一侧相反的第二侧执行离子注入；在执行离子注入之后，蚀刻衬底以去除衬底并形成第一凹部；以及在第一凹部中形成电介质层。
包括背面电源半导体器件制造方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN201910185703.9在审
发明人：连建洲;陈立民;杨能杰;叶明熙;林舜武;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：采用蚀刻剂移除半导体材料。在一些实施例中，将氧化剂添加到蚀刻剂中，以与周围的半导体材料反应并形成保护层。使用保护层有助于避免蚀刻剂中的其它成分造成的损伤。
蚀刻剂半导体材料保护层氧化剂半导体装置移除损伤

[发明专利]湿蚀刻化学品-CN201710794595.6在审
发明人：杨能杰;连建洲;王育文;黄国彬;叶明熙;林舜武;张诗敏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明以高选择性的湿蚀刻化学品移除多晶硅栅极，而不损伤围绕多晶硅栅极的层状物，其可用于金属栅极置换的整合方法。举例来说，湿蚀刻化学品可包含一或多种碱溶剂，其具有位阻的胺结构；缓冲系统，其包含氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；与水。
化学品湿蚀刻多晶硅栅极氢氧化四甲基铵单乙醇胺高选择性缓冲系统极性溶剂金属栅极胺结构层状物碱溶剂可用位阻移除整合损伤置换

[发明专利]利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法-CN201010280598.6有效
发明人：叶明熙;徐帆毅;林舜武;欧阳晖;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成限定厚度的硬罩幕层于经处理的复晶硅闸极电极层上。在图案化硬罩幕层以及经处理的复晶硅闸极电极层以形成闸极结构后，对基材进行倾斜角离子植入步骤。
利用处理硬罩幕制造半导体元件电极方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN201010192827.9有效
发明人：蔡方文;黄靖宇;林舜武;陈立勋;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供集成电路的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成硬掩模层，于硬掩模层之上形成图案化光致抗蚀剂层，使得部分的硬掩模层暴露出来，以干蚀刻工艺移除暴露出来的硬掩模层，使用氮气等离子体灰化与氢气等离子体灰化其中至少一种方式移除图案化光致抗蚀剂层，以及用湿蚀刻工艺移除剩余的硬掩模层。本发明使用含有硅氧烷高分子的硬掩模层可改善间隙填充能力和/或光致抗蚀剂附着力。含有硅氧烷高分子的硬掩模层不需要实施氧气等离子体处理去提升蚀刻选择比，或不需要使用含氟的湿蚀刻溶液，即可以被移除。可以避免高介电常数介电质以及金属栅极受到损坏，避免层间介电层的介电常数降低，和避免层间介电层损失。
集成电路制造方法

[发明专利]形成半导体元件及其栅极结构的方法-CN200910167343.6有效
发明人：叶明熙;林舜武;陈启群;陈嘉仁;陈薏新;陈建豪;赵元舜;黄国宾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。
形成半导体元件及其栅极结构方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN200910246511.0有效
发明人：蔡方文;叶明熙;王明俊;林舜武;陈启群;魏正泉;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造具有改善的性能的集成电路的方法。此方法包含：提供一基材；形成一硬掩膜层于此基材上；形成此硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于硬掩膜层的未被保护的部分上，其中第一蚀刻制程部分地去除硬掩膜层的未被保护的部分，第二蚀刻制程处理硬掩膜层的未被保护的部分，第三蚀刻制程去除硬掩膜层的其余的未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除硬掩膜层的被保护的部分。
集成电路制造方法

[发明专利]用于形成金属栅极晶体管的方法-CN201010138530.4有效
发明人：叶明熙;林舜武;欧阳晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成金属栅极晶体管的方法。该方法包括：用第一溶液清洗扩散势垒，第一溶液包括至少一种表面活性剂，第一溶液的表面活性剂的量约为临界胶束浓度(CMC)以上。用第二溶液清洗扩散势垒，第二溶液具有物理力以去除扩散势垒上方的颗粒，其中，第二溶液基本不与扩散势垒互相作用。
用于形成金属栅极晶体管方法

[发明专利]构图金属栅极的方法-CN200910210094.4有效
发明人：叶明熙;林舜武;王崇铭;陈启群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结构具有伪栅极，从所述第一、第二、第三和所述第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分别形成第一、第二、第三和第四沟槽，形成金属层以部分地填充所述第一、第二、第三和第四沟槽，在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层，蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层，除去所述第一光致抗蚀剂层，在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层，蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属层，以及除去所述第二光致抗蚀剂层。
构图金属栅极方法

[发明专利]在栅极最后工艺中用于去除伪多晶硅的新方法-CN200910226221.X有效
发明人：叶明熙;徐帆毅;林舜武;古淑瑗;欧阳晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。
栅极最后工艺用于去除多晶新方法

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