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[发明专利]电源控制器件、电路以及方法-CN202310146345.7在审
发明人：张智皓;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种电源控制器件，包括第一开关和第二开关。第一开关的第一端子被配置为接收第一电压域中的第一电压信号，第二开关的第一端子被配置为接收不同于第一电压域的第二电压域中的第二电压信号。第二开关的第二端子耦接第一开关的第二端子，控制电路耦接第一开关和第二开关的控制端子。控制电路被配置为响应于第一电压信号的电压电平的降低而接通第一开关。本申请的实施例还涉及电源控制电路以及方法。
电源控制器件电路以及方法

[发明专利]电平位移器-CN201710997126.4有效
发明人：吴尚锜;郑基廷;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
电平位移

[发明专利]选择电路、选择系统以及选择方法-CN202210351107.5在审
发明人：郭家辰;林洋绪;许育豪;李政宏;廖宏仁;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本揭示文件描述用于选择电压供应的选择电路、选择系统以及选择方法。此选择电路包含第一控制开关、第一电压供应开关、第二控制开关以及第二电压供应开关。第一控制开关用以接收控制信号以及第一电压供应。第一电压供应开关电性耦合至第一控制开关，且用以接收第二电压供应。第二控制开关用以接收控制信号以及第二电压供应。第二电压供应开关电性耦合至第二控制开关，且用以接收第一电压供应。第一以及第二电压供应开关用以基于控制信号选择性地输出第一以及第二电压供应。
选择电路系统以及方法

[发明专利]集成电路以及调节电源电压的方法-CN202110126509.0有效
发明人：森阳纪;藤原英弘;张智皓;林洋绪;许育豪;陈炎辉;廖宏仁;郑基廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于调节电源电压的集成电路。在一个方面，集成电路包括金属轨，金属轨，包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点。在一个方面，集成电路包括耦合在金属轨的第一点和金属轨的第二点之间的电压调节器。在一个方面，电压调节器感测金属轨的第二点处的电压，根据在金属轨的第二点处感测的电压，调节金属轨的第一点处的电源电压。本发明的实施例还涉及一种调节电源电压的方法。
集成电路以及调节电源电压方法

[发明专利]时钟电路及其操作方法-CN201810843894.9有效
发明人：杨皓义;李政宏;杨振麟;郑基廷;吴福安;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：时钟电路包括第一锁存器，第二锁存器、第一触发器电路和时钟触发器电路。第一锁存器被配置为基于第一控制信号、使能信号和输出时钟信号生成第一锁存输出信号。第二锁存器连接至第一锁存器并且被配置为响应于第二控制信号生成输出时钟信号。第一触发器电路连接至第一锁存器和第二锁存器，并且被配置为响应于至少第一锁存输出信号或复位信号调整输出时钟信号。时钟触发器电路通过第一节点连接至第一锁存器和第一触发器电路，被配置为响应于输入时钟信号生成第一控制信号，并且被配置为基于至少第一控制信号控制第一锁存器和第一触发器电路。本发明的实施例还提供了一种操作时钟电路的方法。
时钟电路及其操作方法

[发明专利]半导体排列及其形成方法-CN202210210501.7在审
发明人：王博昇;王茹毓;林洋绪;萧有呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本揭示文件提供一种半导体排列及其形成方法。半导体排列包含：包含数个位元格的一记忆体阵列，及用于存取该些位元格的一周边逻辑区块。该周边逻辑区块包含：具有一第一宽度的一第一纳米结构，该第一纳米结构用于提供电力至该周边逻辑区块的一第一逻辑单元；及一第二纳米结构，该第二纳米结构与该第一纳米结构轴向对准且具有小于该第一宽度的一第二宽度、用于提供电力至该周边逻辑区块的一第二逻辑单元。
半导体排列及其形成方法

[发明专利]电源管理电路、片上系统设备、以及电源管理方法-CN202210186367.1在审
发明人：郭家辰;林洋绪;许育豪;李政宏;廖宏仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请提供了电源管理电路、片上系统设备、以及电源管理方法。一种电路包括功率检测器和逻辑电路。功率检测器被配置为根据状态信号和来自第一电源的第一电源信号来输出第一功率管理信号。电路被配置为响应于状态信号而在不同模式下工作。逻辑电路被配置为根据第一功率管理信号和状态信号来输出第二功率管理信号。
电源管理电路系统设备以及方法

[发明专利]用于存储器设备的功率斜变顺序控制-CN202210006129.8在审
发明人：张宜菁;林洋绪;许育豪;李政宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储器设备的功率斜变顺序控制。公开了支持多个功率斜变顺序或模式的存储器设备。例如，电平移位器设备可操作地连接到存储器设备中的存储器宏。电平移位器设备接收至少一个选通信号。基于至少一个选通信号的状态，电平移位器设备输出一个或多个信号，这些信号根据一个或多个功率斜变模式引起或控制存储器宏中的或由存储器宏接收的电压信号斜升、斜降或既斜升又斜降。
用于存储器设备功率顺序控制

[发明专利]写入辅助电路和将位线电压负升压的方法-CN201911062996.8有效
发明人：谢维哲;郑基廷;林洋绪;吴尚锜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
写入辅助电路将位线电压升压方法

[发明专利]静态随机存取存储器外围电路的布局-CN201910639634.4有效
发明人： 林洋绪;田倩绮;郑基廷;李奇隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种静态随机存取存储器(SRAM)外围电路，包含设置在第一导电类型的第一阱区中的第一n型晶体管及第二n型晶体管，所述第一阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第一距离。所述静态随机存取存储器外围电路包含设置在第二导电类型的第二阱区中的第一p型晶体管及第二p型晶体管。所述第二阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第二距离。所述第二阱区设置成在行方向上邻近于第一阱区。
静态随机存取存储器外围电路布局

[发明专利]存储器器件及其预充电操作的方法-CN202110734825.6在审
发明人：王博昇;林洋绪;李政宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开描述了具有预充电电路的存储器件的实施例。存储器器件可以包括存储器单元，并且预充电电路可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极端子，耦接到参考电压的第一源极/漏极(S/D)端子以及耦接到存储器单元的第一端子的第二S/D端子。第二晶体管包括第二栅极端子，耦接到参考电压的第三S/D端子以及耦接到存储器单元的第二端子的第四S/D端子。第一和第二晶体管被配置为响应于分别将控制信号施加到第一和第二栅极端子而使参考电压通过。本发明的实施例还涉及存储器器件及其预充电操作的方法。
存储器器件及其充电操作方法

[发明专利]位线逻辑电路、存储器电路及其位线偏置方法-CN201811007574.6有效
发明人：吴尚锜;郑基廷;张琮永;林洋绪;马合木提·斯楠吉尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种存储器电路包括：电压节点；多个存储器单元；位线，与多个存储器单元耦合；以及开关电路，耦合在电压节点与位线之间。开关电路配置为响应于位线上的电压电平将电压节点与位线耦合。本发明的实施例还提供了位线逻辑电路和存储器电路的位线偏置方法。
逻辑电路存储器电路及其偏置方法

[发明专利]功率检测电路、系统以及方法-CN202110227719.9在审
发明人：郭家辰;郑基廷;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：提供了一种功率检测电路、系统以及方法。该功率检测电路包括比较电路，该比较电路用于响应于输入信号而产生输出信号。该输出信号配置为响应于输入信号达到第一阈值而从第一值改变为第二值。该输出信号配置为响应于输入信号随后达到第二阈值而从第二值变为第一值。限流电路连接至比较电路，并且可操作以限制比较电路的泄漏电流。
功率检测电路系统以及方法

[发明专利]存储装置及其写入驱动器和操作方法-CN201910293180.X有效
发明人：吴尚锜;李政宏;苏建国;郑基廷;许育豪;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。
存储装置及其写入驱动器操作方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202110157558.0在审
发明人：王博昇;郑朝元;田倩绮;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种形成集成电路的方法包括：将集成电路的第一单元布局设计放置在布局设计上；以及基于布局设计制造集成电路。放置第一单元布局设计包括：根据第一准则集合，将第一有源区域布局图案与第一单元边界相邻放置，将第二有源区域布局图案与第二单元边界相邻放置，以及将第一有源区域布局图案集合放置在第一和第二有源区域布局图案之间。第一准则集合包括选择具有第一驱动强度的第一类型的晶体管和具有第二驱动强度的第二类型的晶体管。在一些实施例中，第一有源区域布局图案、第二有源区域布局图案和第一有源区域布局图案集合沿第一方向延伸，并且处于第一布局层级上。本发明的实施例还涉及一种集成电路。
集成电路及其形成方法

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