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[发明专利]一种MEMS谐振器件的封装结构及封装结构制造方法-CN202310891299.3在审
发明人： 林日乐;王广元;曹凯聪;张婷婷;肖凌 -专利权人：重庆天箭惯性科技股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS谐振器件的封装结构及封装结构制造方法，本方法包括：获取第一硅片层作为衬底层；获取第二硅片层作为MEMS谐振器件，将MEMS谐振器件的第一表面与衬底层的上表面键合；获取第三硅片层作为盖板层，将盖板层的第一表面与MEMS谐振器件的第二表面键合；获取第四硅片层，对第四硅片层进行沉积操作，得到引线层，将引线层的第一表面与盖板层的第二表面连接，得到MEMS谐振器件的封装结构。本发明提供了一种MEMS谐振器件的封装结构及封装结构制造方法，包括盖板层、MEMS谐振器件以及衬底层都为相同的硅基材料，整个结构热适配性优，避免谐振器件的热失配，提高了性能稳定性，能适用于不同种类型如晶圆级、器件级的MEMS器件的封装，工艺适配性、灵活性高。
一种 mems 谐振器件封装结构制造方法

[发明专利]一种枫叶状MEMS环形振动陀螺谐振子结构-CN202310714213.X在审
发明人：张婷婷;林日乐;曹凯聪;王广元;肖凌 -专利权人：重庆天箭惯性科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01C19/5684 文献下载
摘要：本发明提供一种枫叶状MEMS环形振动陀螺谐振子结构，包括：基底、环形谐振子、以及电极；环形谐振子和基底键合，包括：具有空腔的圆环状谐振质量、设于圆环状谐振质量的内腔中心的中心锚点、以及连接中心锚点和圆环状谐振质量之间的若干枫叶状弹性支撑梁结构；电极和基底键合，包括：驱动电极、检测电极、第一控制电极、第二控制电极、以及接地电极。本发明能避免应力集中，降低残余应力的影响；同时支撑结构简单，自然对称，工艺实现容易，受加工误差的影响小，可以保证工艺一致性，能有效提升工艺容差；悬臂梁内弧形的设计能提升结构刚度，提高谐振子结构的抗冲击性能；内弧形的设计能加大电极的有效面积，提高激励效率，提升谐振子结构的灵敏度。
一种枫叶 mems 环形振动陀螺谐振子结构

[发明专利]一种微型三维叠装的MEMS谐振器件-CN201911128592.4有效
发明人： 林日乐;谢佳维;王伟;李文蕴;蒋昭兴;罗华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型三维叠装的MEMS谐振器件，包括外壳及密封外壳敞口的盖帽，还包括可导电的芯片支架，芯片支架与谐振芯片热膨胀系数相同，谐振芯片包括谐振梁及固定部，谐振芯片通过固定部安装在芯片支架上且使谐振梁悬空，芯片支架安装在外壳内壁上且与外壳电气连接，芯片支架下方的外壳内底面设有集成芯片安装槽，集成芯片安装槽内安装有与外壳电气连接的集成芯片。采用芯片支架连接谐振芯片与外壳，避免了谐振芯片受外壳形变及热应力的影响；采用三维叠装结构安装谐振芯片、芯片支架及集成芯片，有效地缩小了MEMS谐振器件的体积，本发明公开的微型三维叠装的MEMS谐振器件能够在满足MEMS谐振器件稳定性要求的前提下实现MEMS谐振器件的小型化。
一种微型三维 mems 谐振器件

[发明专利]一种微型三维叠装的MEMS谐振器件的制造方法-CN201911128567.6有效
发明人： 林日乐;谢佳维;王伟;赵建华;翁邦英;李文蕴;罗华;蒋昭兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型三维叠装的MEMS谐振器件的制造方法，微型三维叠装的MEMS谐振器件包括外壳、盖帽及芯片支架，谐振芯片通过固定部安装在芯片支架上且使谐振梁悬空，芯片支架安装在外壳内壁上且与外壳电气连接，外壳内底面设有集成芯片安装槽，集成芯片安装槽内安装有与外壳电气连接的集成芯片，微型三维叠装的MEMS谐振器件的制造方法包括：制作谐振芯片；制造芯片支架；将谐振芯片贴装在芯片支架上；将集成芯片安装在集成芯片安转槽内，并将集成芯片与外壳电气连接；将芯片支架安装在外壳内，并将芯片支架与外壳电气连接；将盖帽盖在外壳敞口处进行气密封。与现有技术相比，本发明在满足MEMS谐振器件稳定性要求的前提下实现MEMS谐振器件的小型化。
一种微型三维 mems 谐振器件制造方法

[发明专利]一种多自由度缓冲石英芯片-CN202011241580.5在审
发明人： 林日乐;谢佳维;李文蕴;甘海波 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种多自由度缓冲石英芯片，包括敏感单元、载台、第一挠性支撑部、隔离框、第二挠性支撑部及固定块，其中：敏感单元的非谐振部与载台相连；载台通过第一挠性支撑部与隔离框内侧连接，第一挠性支撑部在X、Y方向的刚度小于在Z方向的刚度；隔离框外侧通过第二挠性支撑部与固定块连接，第二挠性支撑部在Z方向的刚度小于在X、Y方向的刚度；固定块用于支撑石英芯片。本发明公开了具有X、Y、Z三方向多个自由度缓冲的石英芯片结构，能有效避免敏感单元振动能量耗散，提高了敏感单元振动的稳定性，同时也衰减了通过固定块传递的三个方向上的外部振动、温度因素对敏感单元的影响，提高了石英芯片的环境适应性。
一种自由度缓冲石英芯片

[发明专利]一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法-CN201811319218.8有效
发明人： 林日乐;谢佳维;赵建华;翁邦英;李文蕴;徐洲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法，采用与谐振芯片热膨胀系数相同材料制造芯片支架，并通过所述芯片支架将谐振芯片固定安装在MEMS谐振器件的封装外壳内，然后对封装外壳进行密封加工，完成EMS谐振器件的制造。该方法制造出的MEMS谐振器件，受外部形变或温度变化产生的应力影响小，稳定性好，环境适应性强，同时降低了制造工艺难度。
一种稳定性 mems 谐振器件制造方法

[发明专利]一种高稳定性MEMS谐振器件-CN201811320129.5在审
发明人： 林日乐;蒋昭兴;李文蕴;谢佳维;王伟;文路 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性MEMS谐振器件，采用与谐振芯片热膨胀系数相同的芯片支架，避免了谐振芯片因与芯片支架之间产生热应力而变形，且芯片支架下端通过下支撑脚安装在外壳底座内，与外壳底座接触面积小，减小了芯片支架与外壳底座之间的热应力对芯片支架造成的形变，下支撑脚通过横梁与上支撑脚连接，能够有效减少下支撑脚的形变传递到上支撑脚，从而减少因热应力或其他原因导致的外壳底座形变对谐振芯片的影响，提高了MEMS谐振器件的环境适应性，保证了谐振芯片谐振频率的稳定性。
芯片支架外壳底座谐振芯片谐振器件热应力下支撑形变高稳定性上支撑脚环境适应性热膨胀系数谐振频率有效减少横梁减小下端变形传递保证

[发明专利]一种石英谐振敏感芯片-CN201711046708.0在审
发明人： 林日乐;李文蕴;谢佳维;赵建华;满欣 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H03H9/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英谐振敏感芯片，包括谐振敏感单元及固定块，还包括第一挠性桥、隔离框及第二挠性桥，其中，第一敏感单元设置在隔离框内，与隔离框通过第一挠性桥连接，隔离框通过两个第二挠性桥分别与两个固定块连接。与现有技术通过优化敏感单元的振动节点位置，使检测模态的振动节点位置处于固定块支撑结构位置，从而避免振动能量耗散，提高频率稳定性的方式相比，本发明中的石英谐振敏感芯片不存在因为工艺误差导致优化效果不理想的问题，且振动能量耗散小，频率稳定性高。
一种石英谐振敏感芯片

[实用新型]开孔式晶体芯片-CN201620759870.1有效
发明人： 林日乐;李文蕴;谢佳维;满欣;赵建华;翁邦英 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H03H9/215 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开孔式晶体芯片，包括由两个平行谐振臂组成的音叉结构和安装区，其特征在于在安装区设有隔离孔，所述隔离孔采用湿法腐蚀工艺完全蚀穿，形成沿Z轴即厚度方向贯穿上下表面的通孔。本实用新型在晶体芯片安装区加工出隔离孔，能避免安装区的能量耗散，提高了谐振器的品质因数，同时避免外界的振动与温度变化通过安装区传递到音叉结构，从而提高了谐振器的稳定性；还采用在石英晶体芯片音叉上腐蚀加工出双面对称的槽体结构，开槽的音叉结构可在槽体的两侧和音叉的侧面形成配对的电极，增加了电极设计的灵活性，有利于优化电极布局，从而有效地提升电极的激励效率。
开孔式晶体芯片

[实用新型]一体式晶体掩膜-CN201520983398.5有效
发明人：李文蕴;林日乐;林丙涛;董宏奎;谢佳维;满欣 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种一体式晶体掩膜，包括位于基片上的石英晶体振荡器芯片结构，以及与所述石英晶体振荡器芯片结构同基片，且与所述石英晶体振荡器芯片结构同时制作成形的晶体掩膜。本实用新型公开的一体式晶体掩膜，实现了振荡器芯片的一体化镀膜，即在对振荡器芯片进行侧面电极镀膜时，可直接利用同一基片上的晶体掩膜，对振荡器芯片进行三维电极镀膜工艺，这种一体式晶体掩膜工艺，提高了振荡器芯片的电极成形精度，降低了振荡器芯片电极成形精度对晶体振荡器性能的影响。
体式晶体

[实用新型]一种石英振梁加速度计-CN201420020970.3有效
发明人：林丙涛;林日乐;翁邦英 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英振梁加速度计，包括加速度敏感元件，所述加速度敏感元件由位于同一平面的U型质量块、振梁、第一挠性桥、第二挠性桥、第一连接块、第一连接梁、隔离框、第二连接梁、第二连接块、第一固定块和第二固定块构成。在加速度敏感元件的上下表面设有上下限位片，上限位片和下限位片两端通过粘接层分别与第一固定块和第二固定块的上下表面粘接固定。上限位片和下限位片位于U型质量块上方和下方且与U型质量块的间距为粘接层的厚度。本实用新型通过限位片，起到对加速度敏感元件质量块运动的位移量限制和阻尼作用，提高了加速度计的抗冲击和抗振动能力，灵敏度也得到进一步的提高。
一种石英加速度计

[实用新型]一种谐振式加速度传感器件-CN201420012761.4有效
发明人：林丙涛;林日乐;翁邦英 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种谐振式加速度传感器件，包括谐振敏感元件、U型质量块、第一挠性桥、第二挠性桥、C形连接块、连接梁、环形连接块、第一固定块和第二固定块。所述谐振敏感元件由第一基部、第二基部以及固接于二者之间的第一振梁和第二振梁构成，两振梁正面设有矩形凹槽，该凹槽的开口方向与两振梁的振动方向垂直，所述凹槽的内壁覆盖有第一激励电极，振梁的两侧壁分别覆盖有第二激励电极，第一振梁和第二振梁通过电极与激励电源的连接使两者振动方向相反。本实用新型有利于器件的微型化，并可有效提升振梁谐振稳定性，器件的灵敏度更高，同时降低了电极的制作难度。
一种谐振加速度传感器件

[发明专利]谐振式加速度传感器件-CN201410009866.9有效
发明人：林丙涛;林日乐;翁邦英 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振式加速度传感器件，包括谐振敏感元件、U型质量块、第一挠性桥、第二挠性桥、C形连接块、连接梁、环形连接块、第一固定块和第二固定块。所述谐振敏感元件由第一基部、第二基部以及固接于二者之间的第一振梁和第二振梁构成，两振梁正面设有矩形凹槽，该凹槽的开口方向与两振梁的振动方向垂直，所述凹槽的内壁覆盖有第一激励电极，振梁的两侧壁分别覆盖有第二激励电极，第一振梁和第二振梁通过电极与激励电源的连接使两者振动方向相反。本发明有利于器件的微型化，并可有效提升振梁谐振稳定性，器件的灵敏度更高，同时降低了电极的制作难度。
谐振加速度传感器件

[实用新型]一种利于微型化的石英谐振元件-CN201320635044.2有效
发明人：林丙涛;林日乐;班亚娟;赵建华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利于微型化的石英谐振元件，包括基部和两谐振梁，谐振梁的正面和背面中至少有一个面上设有凹槽，凹槽由两侧平行的深凹槽和位于两个深凹槽之间且与两个深凹槽连为一体的浅凹槽构成。在凹槽的内壁以及谐振梁的两侧壁上分别覆盖有电极，两根谐振梁通过与激励电源不同极性的连接使之振动方向相反。本石英谐振元件通过设置深凹槽，增加凹槽的侧壁陡直度，激励电极对之间的作用距离更短，谐振梁内的场强增大，电极的激励效率提高，适于谐振器微型化制作。此外，设置深凹槽后，单个谐振梁左右两端的对称性得到有效提升，左右两个谐振梁为反向振动，谐振元件谐振的稳定性增强。
一种利于微型石英谐振元件

[发明专利]石英谐振元件-CN201310480793.7有效
发明人：林丙涛;林日乐;班亚娟;赵建华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英谐振元件，包括基部和两谐振梁，谐振梁的正面和背面中至少有一个面上设有凹槽，凹槽由两侧平行的深凹槽和位于两个深凹槽之间且与两个深凹槽连为一体的浅凹槽构成。在凹槽的内壁以及谐振梁的两侧壁上分别覆盖有电极，两根谐振梁通过与激励电源不同极性的连接使之振动方向相反。本石英谐振元件通过设置深凹槽，增加凹槽的侧壁陡直度，激励电极对之间的作用距离更短，谐振梁内的场强增大，电极的激励效率提高，适于谐振器微型化制作。此外，设置深凹槽后，单个谐振梁左右两端的对称性得到有效提升，左右两个谐振梁为反向振动，谐振元件谐振的稳定性增强。
石英谐振元件

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