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[发明专利]半导体装置-CN201910717074.X有效
发明人：陈奕寰;周建志;林大为;段孝勤;亚历山大卡尔尼斯基;郑光茗;萧世崇;郭玉宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括布置于衬底内的源极区和漏极区。导电栅极设置于衬底的掺杂区上方。栅极介电层设置于源极区与漏极区之间且使导电栅极与掺杂区分离。栅极介电层的最底部表面位于衬底的最顶部表面下方。第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物分别沿导电栅极的第一侧和第二侧布置。第一侧壁间隔物的内部部分和第二侧壁间隔物的内部部分分别覆盖栅极介电层的第一顶部表面和第二顶部表面。漏极延伸区和源极延伸区分别使漏极区和源极区与栅极介电层分离。
半导体装置

[发明专利]完全硅化栅控装置及其形成方法-CN201910070502.4有效
发明人：陈奕寰;周建志;林大为;段孝勤;亚历山大·卡尔尼斯基;郑光茗;吴佳泓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种完全硅化(fully silicided，FUSI)栅控装置及其形成方法，所述方法包括：在衬底上方的栅极结构上形成掩模层，栅极结构包括多晶硅层。在栅极结构的相对侧上的衬底内形成第一源极区及第一漏极区，栅极结构是在第一源极区及第一漏极区之前形成。执行第一移除工艺，以移除掩模层的一部分，并暴露出多晶硅层的上部表面。第一源极区及第一漏极区是在第一移除工艺之前形成。形成与多晶硅层的上部表面直接接触的导电层。导电层是在第一移除工艺之后形成。将导电层和多晶硅层转换成完全硅化层。完全硅化层较薄且厚度均匀。
完全硅化栅控装置及其形成方法

[实用新型]备援电源供应器-CN202221993302.X有效
发明人： 林大为;蔡平雄 -专利权人：全汉企业股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种备援电源供应器，其包含一外壳、一主电路板、一第一电源模块以及一第二电源模块。主电路板容置在外壳内，主电路板具有一长边方向及一短边方向，且长边方向与短边方向垂直。第一电源模块设置在主电路板，第一电源模块具有一第一电源输入埠，且第一电源输入埠外露于外壳之外表面。第二电源模块设置在主电路板，第二电源模块具有一第二电源输入埠，且第二电源输入埠外露于外壳之外表面，第一电源模块与第二电源模块间隔配置，第一电源模块与第二电源模块之间具有一通道，且通道与长边方向平行，对应通道其中一端配置有一风扇。本申请能在不改变整体体积的前提下提供较大的空间作为散热用的通道，达到较佳的热交换效率。
电源供应

[发明专利]内连线结构的形成方法-CN202210216805.4在审
发明人：陈建汉;林大为;陈逸棠;邱建智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：描述一种形成内连线结构的方法。在一些实施例中，方法包含形成罩幕结构于介电层上，而罩幕结构包含第一层、设于第一层上的第二层、及设于第二层上的第三层。方法还包含形成具有第一尺寸的第一开口于第一层中，以及形成多层结构于第一层上方。多层结构包含设于第一开口中及第一层上方的底层、设于底层上的中间层、及设于中间层上的光阻层。方法还包含形成具有第二尺寸的第二开口于底层中，以暴露出部分的介电层，而第二尺寸小于第一尺寸。方法还包含延伸第二开口至介电层。
连线结构形成方法

[发明专利]抛光组合物及其使用方法-CN202180009070.1在审
发明人：黄亭凯;林大为;胡斌;温立清;梁燕南 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种抛光组合物，包括磨料；pH调整剂；阻挡摸移除速率增强剂；低k移除速率抑制剂；含唑腐蚀抑制剂；以及钌移除速率增强剂。一种抛光基材的方法，其包括下述步骤：施加本文所述的抛光组合物至基材的表面，其中所述表面包含钌或硬掩膜材料；使衬垫与该基材的表面接触，并相对于该基材移动该衬垫。
抛光组合及其使用方法

[发明专利]抛光组合物及其使用方法-CN202180009131.4在审
发明人：黄亭凯;林大为;胡斌;温立清;梁燕南 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种抛光组合物，包括磨料；pH调整剂；阻挡层移除速率增强剂；低k移除速率抑制剂；含唑腐蚀抑制剂；以及硬掩膜移除速率增强剂。一种抛光基材的方法，包括以下步骤：施加本文所述的抛光组合物至基材的表面，其中该表面包含钌或硬掩膜材料；使衬垫与该基材的表面接触，并相对于该基材移动该衬垫。
抛光组合及其使用方法

[发明专利]阻挡物钌的化学机械抛光浆料-CN201910221524.6有效
发明人： 林大为;胡斌;温立清 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：用于抛光至少部分包含钌和铜的表面或基底的浆料，其中所述浆料包含碱金属氢氧化物、氧化卤素化合物和卤烷基苯并三唑。浆料还可以包含磨料、酸和任选的烷氧基化醇。通过这些组分，浆料表现出高的钌相对于铜的去除速率比。
阻挡化学机械抛光浆料

[发明专利]半导体结构与其制作方法-CN202110436335.8在审
发明人：陈建汉;邱建智;张世郁;林大为;陈逸棠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构与其制作方法。半导体内连线结构包括导电线路电性耦接至主动半导体装置，第一蚀刻停止层形成于导电线路上；第一介电层，形成于第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层形成于第一介电层上；第二介电层形成于第二蚀刻停止层上；以及内连线结构电性耦接至导电线路并延伸穿过第一蚀刻停止层、第一介电层、第二蚀刻停止层、与第二介电层。内连线结构包括通孔，延伸穿过第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层、与第一介电层；以及沟槽，延伸穿过第二介电层。
半导体结构与其制作方法

[发明专利]用于钴应用的化学机械抛光浆料-CN201810516084.2有效
发明人：梁燕南;温立清;胡斌;李孝相;张书维;蔡林松;林大为 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于钴应用的化学机械抛光浆料。一种对包含钴的表面或基材进行抛光的浆料。所述浆料进一步包含各自具有磷酸根基团、长链烷基或二者的阴离子和/或阳离子表面活性剂。所述浆料还包含腐蚀抑制剂、磨料、去除速率增强剂、溶剂、pH调节剂和螯合剂。所述浆料的pH优选为8或更高。
用于应用化学机械抛光浆料

[发明专利]抛光组合物及其使用方法-CN202080003981.9在审
发明人：梁燕南;温立清;胡斌;林大为 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C09G1/00 文献下载
摘要：一种抛光组合物包括：磨料；pH调节剂；阻挡膜移除速率增强剂；第一低k移除速率抑制剂；第二低k移除速率抑制剂；含唑腐蚀抑制剂；及钴腐蚀抑制剂。本公开涉及使用本文所述的抛光组合物抛光包含钴的基底的方法。
抛光组合及其使用方法

[实用新型]防火型10kV变压器设备柜-CN202022153332.7有效
发明人：孙建亭;王清柱;杜旭升;苏兴玲;林大为;王佳琦;胡言思;朱明红;耿博文 -专利权人：通化电力勘测设计有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H02B1/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防火型10kV变压器设备柜，包括柜体包括内壳体和外壳体，内壳体和外壳体之间设有阻燃件；通风口设置于柜体的一个侧壁上；悬挂式干粉灭火器设置于柜体的顶棚上，其上设有烟感探测器和温感探测器；遮挡板设置在有通风口的侧壁上，遮挡板包括滑块，通风口所在的侧壁的内壳体上设有滑道，滑道靠近底壁设置，滑块设置于滑道内，滑块上设有移动板，移动板上包括网状条和实板条，网状条和实板条间隔设置，滑块位于滑道最底端时，网状条与通风口对应；电动伸缩杆，设置于滑块的下方；控制单元，与烟感探测器和温感探测器通讯连接，控制单元与电动伸缩杆电连接。能够提高防火等级，提高灭火效率，结构简单，维护方便。
防火 10 kv 变压器设备

[发明专利]一种刺榆组培苗的生根培养及育苗方法-CN201910805240.1有效
发明人：冒文娟;张玉杰;林大为;张承妹;苏涌 -专利权人：上海杉一植物科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种刺榆组培苗的生根培养及育苗方法，包括以下步骤：1)生根材料的选取；2)瓶内生根培养；3)瓶内炼苗；4)营养钵苗抚育，得刺榆苗；采用该方法解决了刺榆用传统播种、扦插、嫁接繁殖出苗率低的问题，培育出的刺榆组培苗根系须根较多、根系活力强、植株叶片浓绿、生长较快，还可以免除一般组培苗的洗苗过程直接进行种植，节省人力成本，更适于工业化规模生产，培育出的刺榆组培苗生根率达到95.3％以上，成活率能达到96.9％以上；本发明适用于刺榆组培苗的育苗。
一种刺榆组培苗生根培养育苗方法

[发明专利]半导体装置、其形成方法及集成芯片-CN202010017314.8在审
发明人： 林大为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各种实施例涉及一种半导体装置。半导体装置包含半导体衬底。栅极介电质设置在半导体衬底上方。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区设置在半导体衬底中及栅极介电质的相对侧上。栅极电极设置在栅极介电质上方。第一防凹陷结构嵌入栅极电极中，其中第一防凹陷结构的周界设置在栅极电极的周界内。另提供一种半导体装置的形成方法和包括半导体装置的集成芯片。
半导体装置形成方法集成芯片

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201811107942.4有效
发明人：陈奕寰;陈奕升;范富杰;刘思贤;林大为;郑光茗;周建志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种集成电路以及一种集成电路的形成方法。此集成电路可包含设置于半导体基板中的内部环形隔离结构。再者，此内部环形隔离结构界定出装置区。设置内部环形井于半导体基板中，并围绕此内部环形隔离结构。配置复数个虚设栅极于内部环形井之上。再者，配置此些虚设栅极于层间介电层中。
集成电路及其形成方法

[发明专利]一种耐盐碱速生白榆无性系不定芽组培生根方法-CN201810037076.X有效
发明人：慕德宇;梁玉;王强;范小莉;房用;慕宗昭;林大为;冒文娟 -专利权人：山东建筑大学;山东省林业科学研究院
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明属于植物培养技术领域，具体涉及一种耐盐碱速生白榆无性系不定芽组培生根方法。包括耐盐碱速生白榆无性系不定芽的选择与接种，不定芽生根的条件是：在本发明研发的配方中(EM生根+IBA1mg/L+2％S)进行，培养温度为白天26℃(±2℃)/夜间18℃(±2℃)、相对空气湿度90％环境培养、每天光照12小时，光照强度2000—3500勒克斯。采用本发明的配方和方法，白榆不定芽生根率达96％；且用于生根的不定芽材料利用率比前期提高20‑35％以上。
一种盐碱速生无性不定芽组培生根方法

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