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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710243114.2有效
发明人：砂村润;金子贵昭;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]通信系统-CN201811288669.X在审
发明人：富泽智;林喜宏;丸山勇一;若田秀幸 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：提供了一种安全通信系统，其中使用由多个通信设备能够同时获取的生物信息来生成公共加密密钥。通信系统包括多个分离的通信设备。通信设备基于能够同时获取的生物信息的特征要素生成相同的公共密钥，并且使用公共密钥执行加密和解密。通信设备包括：生物信息获取单元，用于获取生物信息的特征要素；公共密钥生成单元，用于生成公共密钥；加密/解密单元，用于利用公共密钥来加密发射信息以及解密接收信息；以及通信单元，用于接收发射信息以及发射接收信息。
公共密钥通信设备生物信息发射信息特征要素通信系统生物信息获取单元加密/解密单元安全通信系统公共加密密钥加密和解密发射接收生成单元通信单元解密加密

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201310741171.5有效
发明人：金子贵昭;砂村润;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310379457.3有效
发明人：砂村润;金子贵昭;古武直也;斋藤忍;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201210544128.5有效
发明人：井上尚也;金子贵昭;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其被提供有在多层互连层中的有源元件并且减小了芯片面积。在第一互连层上方提供第二互连层。在第一互连层中提供第一层间绝缘层。半导体层提供在第二互连层中并且与第一层间绝缘层接触。在半导体层上方提供栅极绝缘膜。在栅极绝缘膜上方提供栅电极。至少两个第一通路提供在第一互连层中并且通过它们的上端与半导体层接触。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件-CN201210370204.5有效
发明人：金子贵昭;井上尚也;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件。半导体器件包括逻辑电路和有源元件电路。逻辑电路设置有形成于半导体衬底中的半导体元件。有源元件电路设置有使用半导体层形成的晶体管，该半导体层形成于在半导体衬底上方形成的第一绝缘膜上。由逻辑电路控制有源元件电路。
半导体器件以及使用 sip 器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210166810.5有效
发明人：井上尚也;金子贵昭;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明使得能够降低半导体元件的导通电阻而不会妨碍半导体器件中的防扩散膜的功能，该半导体器件具有使用布线层中的布线作为栅电极并且具有与防扩散膜在同一层中的栅极绝缘膜的半导体元件。第一布线和栅电极嵌入在包括第一布线层的绝缘层的表面层中。防扩散膜形成在第一布线层和第二布线层之间。通过在防扩散膜的上面上与栅电极重叠的区域中以及该区域周围形成凹陷；并且减薄该部分来形成栅极绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201280012204.6有效
发明人：金子贵昭;井上尚也;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，所述半导体器件包括：半导体器件形成于其上的半导体衬底；第一焊盘及第二焊盘；形成于半导体衬底之上的第一绝缘膜；嵌入到设置于第一绝缘膜内的沟槽中的多个布线线路；设置为覆盖第一绝缘膜和多个布线线路的第二绝缘膜；形成于第二绝缘膜之上的半导体层；与半导体层连接的源电极；以及与半导体层连接的漏电极。多个布线线路包括设置于与半导体层相对的位置的栅电极。半导体层、源电极、漏电极和栅电极构成ESD保护器件以释放由ESD浪涌导致的从第一焊盘到第二焊盘的电流。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法-CN201310425396.X有效
发明人：砂村润;金子贵昭;古武直也;齐藤忍;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201210545318.9有效
发明人：金子贵昭;井上尚也;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该半导体器件在互连层中具有晶体管。形成层间绝缘膜。然后在层间绝缘膜中掩埋第一栅电极和第二栅电极。然后，在层间绝缘膜上方、在第一栅电极上方并且在第二栅电极上方形成防扩散膜。然后，在存在于第一栅电极上方的防扩散膜上方形成第一半导体层。然后，在第一半导体层的上表面上方和侧面上并且在防扩散膜上方形成绝缘覆盖膜。然后，在绝缘覆盖膜上方形成半导体膜。然后，选择性地去除半导体膜以留下位于第二栅电极上方的部分，从而形成第二半导体层。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210019869.1有效
发明人：间部谦三;井上尚也;肱冈健一郎;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：位于衬底上的多层布线层，并且其中堆叠了由布线和绝缘层构成的多个布线层；存储电路，其形成在衬底中的存储电路区域，并且具有嵌入在位于多层布线层中的凹部中的电容元件；逻辑电路，其形成在衬底中的逻辑电路区域；上部耦合布线，其堆叠在由下部电极、电容器绝缘膜和上部电极构成的电容元件上；以及帽盖层，其形成在构成逻辑电路的布线的上表面上。上部耦合布线的上表面和帽盖层的上表面构成同一平面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201110135436.8有效
发明人：肱冈健一郎;久米一平;井上尚也;白井浩树;川原润;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件具有：衬底；多层互连，其形成在衬底上，并且具有多个互连层，其中每一个互连层通过堆叠在其中的互连和绝缘层构成；存储器电路，在平面图中其形成于衬底上的存储器电路区域中，并且具有外围电路和在多层互连中嵌入的至少一个电容器元件；以及，逻辑电路，其形成于在衬底上的逻辑电路区域中，其中，电容器元件由下电极、电容器绝缘膜、上电极、嵌入电极和上互连构成；上互连的上表面和在与上互连相同的互连层中形成的构成逻辑电路的互连的顶表面被对齐到相同的平面。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置制造方法-CN201110120262.8有效
发明人：久米一平;川原润;古武直也;齐藤忍;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201010563443.3有效
发明人：川原润;林喜宏;久米一平 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：半导体衬底，该衬底具有形成在其上的晶体管；多层互连，其形成在半导体衬底上并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜组成的多个互连层；以及电容元件，具有全部都被嵌入在多层互连中以组成存储元件的下电极(下电极膜)、电容器绝缘膜和上电极(上电极膜)；并且进一步包括形成在电容元件和晶体管之间的至少一层镶嵌结构的铜互连(第二层互连)；互连中之一(第二层互连)的上表面和电容元件的下表面几乎在同一平面上对齐；并且至少一层铜互连(板线互连)形成在电容元件上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200910222830.8有效
发明人：川原润;林喜宏;久米一平 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；多层布线结构，该多层布线结构被形成在半导体衬底的上方并且其中层压其中的每一个都通过布线和绝缘层形成的多个布线层；以及电容元件，该电容元件具有被掩埋在多层布线结构中的上电极、下电极、以及电容器绝缘层，其中布线层中的至少两个或者更多被提供在被连接至下电极的下电容器布线与被连接至上电极的上电容器布线之间。
半导体器件

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