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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件及其形成方法-CN202310893865.4在审
发明人：古尔巴格·辛格;李晨豪;李智铭;林其谚;刘承祖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种包括衬底以及形成在衬底中的源极和漏极区的存储器件及其形成方法。存储器件包括形成在衬底上并且在源极和漏极区之间的栅极电介质。存储器件还包括形成在栅极电介质上的栅极结构，并且栅极结构具有平坦的顶面。该存储器件还包括具有第一、第二和第三间隔件的多间隔件结构。在栅极结构的侧壁与源极和漏极区中的一个的顶面上形成第一间隔件。在第一间隔件的侧壁上形成第二间隔件，第二间隔件的介电常数大于第一间隔件的介电常数。在第二间隔的侧壁和第一间隔件的水平表面上形成第三间隔件。
存储器件及其形成方法

[发明专利]集成电路结构、集成电路布局的配置方法以及静态随机存取记忆体结构-CN201811066985.2有效
发明人：葛贝夫·辛格;蔡舜麒;李智铭;林其谚;罗国鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一集成电路结构包含半导体基材、主动区域、栅电极以及毗连接触。此主动区域朝向第一方向，且具有至少一个齿状部位，此齿状部位在半导体基材中沿着第二方向延伸。此栅电极覆盖在主动区域上，并沿着第二方向延伸。毗连接触具有位于栅电极上方的第一部位及位于主动区域上方的第二部位。毗连接触的第二部位的一部分着陆于齿状部位上。
集成电路结构布局配置方法以及静态随机存取记忆体

[发明专利]半导体结构、半导体装置的制造方法以及设计布局的方法-CN201710834344.6有效
发明人：葛贝夫·辛格;李智铭;林其谚;郭文昌;刘洲宗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。
半导体结构装置制造方法以及设计布局

[发明专利]存储器件及其形成方法-CN201811382015.3在审
发明人：古尔巴格·辛格;李晨豪;李智铭;林其谚;刘承祖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种包括衬底以及形成在衬底中的源极和漏极区的存储器件及其形成方法。存储器件包括形成在衬底上并且在源极和漏极区之间的栅极电介质。存储器件还包括形成在栅极电介质上的栅极结构，并且栅极结构具有平坦的顶面。该存储器件还包括具有第一、第二和第三间隔件的多间隔件结构。在栅极结构的侧壁与源极和漏极区中的一个的顶面上形成第一间隔件。在第一间隔件的侧壁上形成第二间隔件，第二间隔件的介电常数大于第一间隔件的介电常数。在第二间隔的侧壁和第一间隔件的水平表面上形成第三间隔件。
间隔件存储器件栅极结构漏极区侧壁衬底源极栅极电介质介电常数间隔件结构水平表面顶面平坦

[发明专利]具有V形区域的半导体器件-CN201310099962.2有效
发明人：陈昭雄;王琳松;林其谚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本文提供了一种具有V形区域的半导体器件或晶体管以及用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括一个或多个v形凹槽，其中生长诸如硅锗的应变单晶半导体材料以形成半导体器件的源极和漏极中的至少一个。一个或多个v形凹槽原位被蚀刻进衬底。当半导体器件的第一部分(例如，第一晶体管)和半导体器件的第二部分(例如，第二晶体管)之间的多晶硅间距小于约60nm时，半导体器件包括高度‑长度比至少超过1.6的源极和漏极中的至少一个。
具有区域半导体器件

[发明专利]金属-氧化物-金属电容器结构-CN201210196065.9有效
发明人：黄俊杰;王琳松;林其谚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种金属-氧化物-金属电容器，其包括第一电极、第二电极、多个第一指状物和多个第二指状物。每个第一指状物和与其相应的第二指状物互相平行并且通过低k电介质材料分隔开。采用保护环包围金属-氧化物-金属电容器以防止潮湿渗透进低k电介质材料。本发明还提供了一种金属-氧化物-金属电容器结构。
金属氧化物电容器结构

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