专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体模块的制造方法及半导体模块-CN201810200233.4有效
  • 武藤邦治;板东晃司 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-03-12 - 2023-10-27 - H01L23/36
  • 本发明提供半导体模块的制造方法及半导体模块,能够提高半导体模块的可靠性。在半导体模块(SA)装配的树脂模制工序中,以芯片搭载部(TAB1~4)各自的背面从密封体(MR)的背面(BS6)露出的方式对IGBT芯片(10)、二极管芯片、控制芯片、芯片搭载部(TAB1~4)各自的一部分进行树脂模制。在上述树脂模制之后,在密封体(MR)的背面(BS6)上以覆盖芯片搭载部(TAB1~4)各自的背面(露出部)的方式粘贴绝缘层(70),然后,在绝缘层(70)上粘贴TIM层(80)。其中,俯视图中TIM层(80)的区域被包含于绝缘层(70)的区域中。
  • 半导体模块制造方法
  • [发明专利]电子装置-CN201710671430.X有效
  • 板东晃司;武藤晃 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-08-08 - 2023-06-30 - H01L23/50
  • 本发明提供一种电子装置,目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外,半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外,半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。
  • 电子装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202211411337.2在审
  • 板东晃司;孝井健一 - 新光电气工业株式会社
  • 2022-11-11 - 2023-05-12 - H01L23/485
  • 本发明提供一种半导体器件,包括:第一半导体元件;第二半导体元件;第一绝缘基底构件,其包括第五面和第六面;第二绝缘基底构件,其包括第七面和第八面;第一布线,其贯穿第一绝缘基底构件,并且布置在第六面上;第二布线,其贯穿第二绝缘基底构件,并且布置在第八面上;第一布线构件,其与第一半导体元件的第二面相对;以及第二布线构件,其设置在第二布线上。第一布线构件设置在第二绝缘基底构件的第七面上。电流在第一布线构件中沿第一方向流动,并且在第二布线构件中沿与第一方向相反的第二方向流动。
  • 半导体器件
  • [发明专利]电子装置-CN201811011163.4有效
  • 板东晃司;西山知宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-08-31 - 2023-05-09 - H01L23/31
  • 本发明涉及一种电子装置,实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中,嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中,嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处,暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极,以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。
  • 电子装置
  • [发明专利]电子装置-CN201810144702.5有效
  • 板东晃司;武藤邦治;佐藤秀明 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-02-12 - 2023-05-05 - H01L23/04
  • 本发明涉及一种电子装置,其能够提高电子装置的性能。电子装置(EA1)具有第一基板、配置在第一基板之上的配线基板即第二基板(SU2)、容纳第一基板和配线基板(SU2)并且具备边(HSe1)及边(HSe2)的框体(HS)。在配线基板(SU2)上搭载有驱动部件即半导体部件(PDR)。第一半导体部件的栅电极经由配置在边(HSe1)侧的引线(LGH)以及配置在驱动部件(PDR)和边(HSe1)之间的配线(WLGH)与驱动部件(PDR)电连接。并且,第二半导体部件的栅电极经由配置在边(HSe2)侧的引线(LGL)以及配置在驱动部件(PDR)与边(HSe2)之间的配线(WLGL)与驱动部件(PDR)电连接。
  • 电子装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610443218.3有效
  • 武藤邦治;板东晃司;金泽孝光;神田良;田村晃洋;峰岸宏文 - 瑞萨电子株式会社
  • 2016-06-20 - 2021-10-01 - H01L25/07
  • 本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即,半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地,形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即,半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510876267.1有效
  • 御田村和宏;板东晃司;佐藤幸弘;金泽孝光 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-12-03 - 2019-08-13 - H01L23/48
  • 本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的放热特性。例如,半导体装置(PKG1)具有与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第2部分(P2)连接的引线(LD1A(P2))以及与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第3部分(P3)连接的引线(LD1A(P3))。并且,引线(LD1A(P2))与引线(LD1A(P3))分别具有从密封体(MR)突出的突出部分。由此,能够提高半导体装置(PKG1)的放热特性。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510527767.4有效
  • 板东晃司 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-08-25 - 2019-05-28 - H01L21/98
  • 本发明涉及半导体装置的制造方法。提供了一种可以实现半导体装置的小型化的用于制造半导体装置的方法。将凸部压抵一个芯片安装部的除了一个侧表面以外的侧表面,由此将该芯片安装部固定而不用形成对应于芯片安装部的一个侧表面的凸部。同样地,将凸部压抵另一芯片安装部的除了一个侧表面以外的侧表面,由此将另一芯片安装部固定而不用形成对应于另一芯片安装部的一个侧表面的凸部。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]电子装置-CN201711025429.6在审
  • 板东晃司 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-10-27 - 2018-05-11 - H01L23/04
  • 本发明提供电子装置,课题为提高其性能。电子装置(EA1)具有:基板(CS1),具有供半导体芯片搭载的上表面(表面)(CSt)和上表面相反侧的下表面(背面)(CSb);框体(壳体)(HS),经由粘接材料(BD1)固定于基板。框体具有在X方向上分别形成于一个短边侧和另一短边侧的贯通孔。基板配置于上述贯通孔之间。基板的上表面的一部分以与层差面的一部分相对的方式被固定,层差面形成于框体的与下表面(HSb)不同的高度。此外,上述层差面中沿着框体短边延伸的部分即层差面(Hf6)与基板的上表面之间的间隔(距离D1)比上述层差面中沿着框体长边延伸的部分即层差面(Hf5)与基板的上表面之间的间隔(距离D3)大。
  • 电子装置
  • [实用新型]电子装置-CN201720984596.2有效
  • 板东晃司;武藤晃 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-08-08 - 2018-04-13 - H01L23/50
  • 本实用新型提供一种电子装置,目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外,半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外,半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。
  • 电子装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410300535.0无效
  • 板东晃司;三角和幸;秋山龙彦;和泉直生;山崎晓 - 瑞萨电子株式会社
  • 2009-12-25 - 2014-10-01 - H01L27/22
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后,半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外,第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说,设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时,在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时,第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910258845.X有效
  • 板东晃司;三角和幸;秋山龙彦;和泉直生;山崎晓 - 株式会社瑞萨科技
  • 2009-12-25 - 2010-07-07 - H01L27/22
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后,半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外,第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说,设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时,在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时,第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
  • 半导体器件及其制造方法

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