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- [发明专利]一种高K电介质硅晶片的抛光方法-CN201510081997.2有效
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)股份有限公司
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2015-02-15
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2020-03-27
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H01L21/02
- 本发明提供了一种高K电介质硅晶片的抛光方法，该方法应用于抛光硅晶片的器件结构，包括步骤：收入硅晶片，该硅晶片具有待抛光的器件结构面，其器件结构面至少包括金属层、阻挡层、介质层以及高K电介质；电化学抛光硅晶片的器件结构面，电化学抛光过程结束后，金属层仍有剩余；化学机械研磨器件结构面的剩余金属层，化学机械研磨过程结束后，剩余金属层和阻挡层被去除至露出介质层；清洗硅晶片并取出；其中，在电化学抛光过程中，对器件结构面未施加任何下压力，或者器件结构面所产生的形变应力在0.1psi以下。采用该方法能够对线宽在45nm以下的硅晶片进行抛光，且大大降低了划伤和粉碎硅晶片的风险，提升了良率和产率。
- 一种电介质晶片抛光方法
- [发明专利]一种减小晶圆表面粗糙度的方法-CN201510081887.6有效
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)股份有限公司
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2015-02-15
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2020-03-27
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H01L21/304
- 本发明涉及半导体生产和制造领域。具体涉及一种减小晶圆表面粗糙度的方法：包括化学机械研磨工艺，化学机械研磨工艺至少包括主研磨工序和去离子水清洗工序，主研磨工序中使用带有研磨颗粒的化学制剂为研磨液对晶圆进行研磨，且去离子水清洗工序中采用的下压力与主研磨工序中采用的下压力相同，以获得表面粗糙度符合要求的晶圆。其中，晶圆的初始平均粗糙度为Ra1，晶圆经过化学机械研磨后所期望达到的预期平均粗糙度为Ra2，在去离子水清洗工序中，化学机械研磨工艺以去离子水为研磨液继续对晶圆进行研磨，以去离子水为研磨液对所述晶圆进行研磨的研磨速率为RR，去离子水清洗工序中对晶圆进行研磨的时间至少为△T＝6*(Ra1‑Ra2)/RR。
- 一种减小表面粗糙方法
- [发明专利]抛光盘及其冷却装置-CN201410235835.5有效
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2014-05-30
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2019-08-16
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B24B37/11
- 本发明揭示了一种抛光盘的冷却装置，应用于抛光盘，该冷却装置包括：开设在抛光盘上的冷却水入口和冷却水出口；开设在抛光盘中的环形的回液槽和回液通道，回液通道的一端与回液槽连通，回液通道的另一端与冷却水出口连通；开设在抛光盘中的冷却水沟槽，冷却水沟槽位于抛光盘中被回液槽包围的区域，冷却水沟槽均匀分布且呈树枝状，每一冷却水沟槽包括主沟槽和侧沟槽，主沟槽的一端与冷却水入口连通，主沟槽的另一端与回液槽连通，侧沟槽的一端分别与主沟槽连通，侧沟槽的另一端分别与回液槽连通。本发明还揭示了一种采用上述冷却装置的抛光盘。
- 抛光及其冷却装置
- [发明专利]一种形成金属互连结构的方法-CN201480079797.7有效
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王坚;贾照伟;金一诺;肖东风;杨贵璞;代迎伟;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2014-07-08
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2019-02-15
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H01L21/768
- 一种形成金属互连结构的方法，能够避免沉积在凹进区域(207)侧壁上的阻挡层(204)被过刻蚀。该方法包括以下步骤：在硬掩膜层(203)和介质层(202)上形成凹进区域(207)；在硬掩膜层(203)上、凹进区域(207)的侧壁和凹进区域(207)的底部沉积阻挡层(204)；在阻挡层(204)上沉积金属(205)并使凹进区域(207)填满金属(205)；采用电抛光工艺去除非凹进区域上的金属(205)，并将凹进区域(207)内的金属(205)过抛光形成凹陷，在电抛光过程中，阻挡层(204)上形成氧化膜(206)；去除形成在硬掩膜层(203)上的阻挡层(204)上的氧化膜(206)，并留下一定厚度的形成在凹进区域(207)侧壁上的阻挡层(204)上的氧化膜(206)；通过刻蚀去除阻挡层(204)和硬掩膜层(203)，该刻蚀对氧化膜(206)具有高选择比，留下来的氧化膜(206)阻止凹进区域(207)侧壁上的阻挡层(204)被过刻蚀。
- 一种形成金属互连结构方法
- [发明专利]晶圆边缘芯片平坦化方法-CN201310167821.X有效
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-05-08
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2018-08-17
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H01L21/304
- 本发明揭示了一种晶圆边缘芯片平坦化方法，包括步骤：提供待研磨晶圆，待研磨晶圆上分布若干待研磨芯片；将待研磨晶圆吸附于研磨头下，研磨头具有边缘区域和中心区域，研磨头的边缘区域内的下压力作用于待研磨晶圆的边缘区域，研磨头的中心区域内的下压力作用于待研磨晶圆的中心区域；将吸附有待研磨晶圆的研磨头移至研磨垫上；设置研磨头的边缘区域内的下压力为4.5‑6.0psi，研磨头的中心区域内的下压力为3.5‑4.5psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从初始值研磨至第一设定值；以及设置研磨头的边缘区域内的下压力为0.8‑1.5psi，研磨头的中心区域内的下压力为0.7‑1.2psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从第一设定值研磨至目标值。
- 边缘芯片平坦方法
- [发明专利]具有晶圆检测装置的研磨头-CN201210491738.3有效
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2012-11-27
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2017-07-25
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B24B37/11
- 本发明公开了一种具有晶圆检测装置的研磨头，研磨头与晶圆接触的表面具有数个相对独立的区域，每一区域与一相应的气体管路相连通，通过各气体管路可向各区域注入气体或将各区域抽真空，研磨头包括晶圆检测装置，具有基体，基体的底部开有开口，基体收容一基座，基座放置在基体的底部，基座的顶部设有弹性丝杆，基体的顶部设有压力传感器，压力传感器位于弹性丝杆顶部的正上方，晶圆检测装置可设置在研磨头上的任一区域内；及多孔板，具有若干通孔，多孔板的表面包覆一与晶圆接触的薄膜，薄膜能从多孔板的通孔中吸出而顶起晶圆检测装置的基座，使弹性丝杆抵压压力传感器。
- 具有检测装置研磨
- [发明专利]晶圆载台-CN201510369511.5在审
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2015-06-29
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2017-01-11
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H01L21/673
- 本发明揭示了一种晶圆载台，包括：承载座，承载座的一面作为支撑面将晶圆托起至水平，支撑面仅支撑晶圆的一部分；限位柱，分布在同一圆周上，圆周的圆心为支撑面的中心，半径为晶圆的半径，且限位柱位于同一水平面上；传感器，在竖直方向上传感器处于支撑面的下方，在水平方向上传感器不超出圆周，传感器向上发射信号，并接收反射回来的信号，信号不被承载座或限位柱所阻挡。本发明所揭示的晶圆载台，能够识别晶圆在晶圆载台上所处的状态，为操作者提供警示，从而避免了晶圆被压碎。
- 晶圆载台
- [发明专利]防溅射护罩-CN201510242511.9在审
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2015-05-13
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2017-01-04
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B08B3/02
- 本发明揭示了一种防溅射护罩，包括：罩体，罩体的正面为防溅射面，防溅射面上设置有小孔；流体通道，流体通道位于罩体的背面，流体通道包括流通管和收缩管，流通管与收缩管连通，另流体通道通过收缩管与小孔直接或间接连通；其中，流体通道供流体通过，流体由流通管的一端进入流体通道，由流通管的另一端流出流体通道，流体的压强在小孔处形成负压。本发明提供的防溅射护罩，不仅起到了防溅射作用，还能够对有需要的区域进行重点防护，防止相应区域内有液滴滴落，从而消除了污染晶圆的风险。
- 溅射护罩
- [发明专利]一种化学机械研磨方法-CN201510252443.4在审
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2015-05-18
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2017-01-04
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B24B37/04
- 本发明涉及半导体生产和加工领域，更具体地说，涉及一种化学机械研磨方法。本发明提供了一种化学机械研磨方法，用于去除晶圆表面的金属膜，包括步骤：施加第一下压力，将晶圆表面的铜膜由初始厚度抛光至1000～2500；施加第二下压力，抛光所述晶圆5～10s；施加第三下压力，并采用光学终点检测法将剩余的铜膜抛光至50～100；其中，光学终点检测法监测晶圆表面的光学参数，当光学参数出现拐点时，即刻停止对晶圆抛光，结束化学机械研磨工艺。采用本发明提供的技术方案，能够在晶圆表面留存极薄厚度的铜膜，为后续无应力抛光工艺留下了操作空间。
- 一种化学机械研磨方法
- [发明专利]化学机械研磨装置及方法-CN201510253083.X在审
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杨贵璞;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2015-05-18
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2017-01-04
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B24B37/34
- 本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明揭示了一种化学机械研磨装置，包括研磨部件、夹持部件以及驱动部件，研磨部件与驱动部件相连并通过夹持部件加以固定，研磨部件用于固持晶圆，化学机械研磨装置还包括清洗池以及多个清洗喷嘴，其中部分的清洗喷嘴设置于清洗池内，化学机械研磨装置处于清洗状态时，研磨部件移动至清洗池构成的清洗空间，位于清洗池内的清洗喷嘴指向研磨部件的底面及侧面；另至少有一个清洗喷嘴设置为高于研磨部件的顶面且指向夹持部件，或指向研磨部件的顶面。同时，本发明还揭示了相应的化学机械研磨方法。采用本发明提供的技术方案，能够避免结晶的产生，并提高效率。
- 化学机械研磨装置方法
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