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[发明专利]半导体发光装置及其制造方法-CN201710478075.4有效
发明人：梁成锡;李进馥;郭重熙;朴正圭;金廷城 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。该半导体发光装置可包括发射结构、发射结构的限定区上的保护图案层和发射结构上的绝缘图案层。保护图案层可暴露出发射结构的分离的其余区，并且绝缘图案层可至少覆盖发射结构的所述其余区。绝缘图案层可包括开口，其暴露出保护图案层的表面的至少一部分，使得发射结构保持被绝缘图案层和保护图案层中的至少一个覆盖。
半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201610635483.1在审
发明人：李守烈;李进馥;朱铜赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括半导体堆叠、绝缘层、电流扩散层以及第一指形电极和第二指形电极。半导体堆叠包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及穿过第二导电类型半导体层和有源层以暴露第一导电类型半导体层的一部分的沟槽。第一绝缘层设置在沟槽的内侧壁上。电流扩散层设置在第二导电类型半导体层上。第一指形电极设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上。第二绝缘层设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上，以覆盖第一指形电极。第二指形电极设置在沟槽中并且连接至电流扩散层。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件-CN201180073488.5无效
发明人：黄硕珉;李进馥;张泰盛;禹锺均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。
制造氮化物半导体发光器件方法以及由此

[发明专利]半导体发光元件-CN201180073034.8无效
发明人：金载润;黄硕珉;李守烈;蔡昇完;韩在镐;李进馥 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201180072220.X无效
发明人：金载润;金制远;李进馥;黄硕珉;河海秀;李守烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法-CN201180051281.8无效
发明人：蔡昇完;金台勋;李守烈;李进馥;金真焕;李承宰;金甫耕;李锺昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
半导体发光二极管芯片发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201110350751.2有效
发明人：黄硕珉;金载润;李进馥 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。因为使电流集中在指状部的局部区域的现象最小化，所以可以加强对静电放电(ESD)的耐受性并且可以提高光提取效率。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201110301262.8有效
发明人：金载润;李进馥;黄硕珉;李守烈 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN200980142209.9有效
发明人：崔繁在;金裕承;李进馥 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括顺序地堆叠的导电基底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层。第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光器件的总面积的3％至13％，因此实现了高发光效率。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光器件-CN200980145944.5有效
发明人：崔繁在;李相范;李进馥;金裕承;宋尚烨 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。
半导体发光器件

[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备-CN201110053375.0有效
发明人：李守烈;金龙泰;李进馥;金起范 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备。半导体发光器件包括：基底；多个发光单元，设置在基底的顶表面上，发光单元均具有有源层；多个连接部分，形成在其上形成有发光单元的基底上，以将发光单元以并联或串并联构造连接；绝缘层，形成在发光单元的表面上，以防止连接部分和发光单元之间的不期望的连接。发光单元包括至少一个有缺陷的发光单元，与所述有缺陷的发光单元相关的至少一个连接部分被断开。
具有单元阵列半导体发光器件模块照明设备

[发明专利]发光二极管封装体-CN201010256092.1有效
发明人： 李进馥;朴熙锡;金亨根;李永镇 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管封装体，所述发光二极管封装体包括：封装体模具，具有第一腔体和第二腔体，第二腔体的尺寸小于第一腔体的尺寸；第一电极焊盘和第二电极焊盘，分别设置在第一腔体和第二腔体的底表面上；LED芯片，安装在第一电极焊盘上；引线，用于提供LED芯片和第二电极焊盘之间的电连接；模制材料，填充在第一腔体和第二腔体内。
发光二极管封装

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