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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN201810642566.2有效
  • 李秉一;具池谋;李晫;车俊昊 - 三星电子株式会社
  • 2018-06-21 - 2023-10-17 - H10B43/20
  • 一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；具有多个栅电极的栅电极堆叠，所述多个栅电极在第一区域中在垂直于衬底的上表面的第一方向上垂直地堆叠并彼此间隔开，并且在平行于衬底的上表面的第二方向上从第一区域到第二区域延伸为具有不同的长度；在第一区域和第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上延伸同时贯穿衬底上的栅电极堆叠的第一隔离区域和第二隔离区域；串隔离区域，在第一区域中设置在第一隔离区域与第二隔离区域之间，并且在第二方向上延伸同时贯穿栅电极堆叠的一部分；以及在第一区域和第二区域中的至少一个中与串隔离区域线形地设置并在第二方向上彼此间隔开的多个辅助隔离区域。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统-CN202310008305.6在审
  • 李秉一;李世勋 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-04 - 2023-07-07 - H10B12/00
  • 本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括：下部结构；堆叠结构，包括栅电极以及与栅电极交替堆叠的层间绝缘层，栅电极在下部结构的第一区域上一个堆叠在另一个上并且彼此间隔开且在下部结构的第二区域上以阶梯形状延伸；沟道结构，穿透第一区域上的栅电极；以及隔离结构，穿透彼此间隔开的栅电极。每个沟道结构包括在第一沟道结构和第二沟道结构之间的沟道弯曲部分。每个隔离结构包括在第一隔离结构和第二隔离结构之间的第一隔离弯曲部分以及在第二隔离结构和第三隔离结构之间的第二隔离弯曲部分。第二隔离结构的上表面的宽度比第三隔离结构的下表面的宽度窄。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [发明专利]包括栅极的半导体器件-CN201810784256.4有效
  • 具池谋;朴庆晋;朴玄睦;李秉一;李晫;车俊昊 - 三星电子株式会社
  • 2018-07-17 - 2022-07-08 - H01L27/11551
  • 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
  • 包括栅极半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201810189489.X有效
  • 李秉一;辛京准;殷东锡;金智慧;李炫国 - 三星电子株式会社
  • 2017-05-04 - 2022-07-01 - H01L27/11556
  • 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：交替地层叠在基板上的栅电极和层间绝缘层；穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层；以及设置在栅电极和沟道层之间在沟道层的外表面上的栅电介质层。此外，沟道层包括第一区和第二区，第一区在垂直于基板的顶表面的方向上延伸，第二区在第一区的下部分中连接到第一区并且第二区在栅电介质层的底部分下面延伸。
  • 半导体器件
  • [发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202110870003.0在审
  • 李世勳;李秉一 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-30 - 2022-04-15 - H01L27/1157
  • 公开了三维半导体存储器装置以及包括三维半导体存储器装置的电子系统。所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和延伸区域；堆叠结构，沿第一方向延伸并且包括堆叠在基底上的栅电极；垂直结构，在单元阵列区域上穿透堆叠结构；模制结构，位于延伸区域的一部分上；第一支撑结构，在堆叠结构之间沿第一方向延伸；第二支撑结构，在延伸区域上穿透堆叠结构并且在第二方向上与第一支撑结构间隔开；以及第三支撑结构，在平面图中围绕模制结构。第二支撑结构的各顶表面和第三支撑结构的顶表面比垂直结构的顶表面高。
  • 三维半导体存储器装置包括电子系统
  • [发明专利]半导体装置和包括其的数据存储系统-CN202110785462.9在审
  • 郑圣勋;李秉一;姜宝锡;李俊熙 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-12 - 2022-02-22 - H01L27/11519
  • 一种半导体装置和包括其的数据存储系统。半导体装置包括外围电路结构和存储单元结构，外围电路结构包括第一衬底和位于第一衬底上的电路元件，存储单元结构包括：第二衬底，位于第一衬底上；第一水平导电层，位于第二衬底上；第二水平导电层，位于第一水平导电层上；栅电极，彼此间隔开并且堆叠在第二水平导电层上；沟道结构，穿过栅电极；以及分隔区域，穿过栅电极、延伸并且彼此间隔开。半导体装置具有贯穿布线区域，贯穿布线区域包括将存储单元结构和外围电路结构电连接的贯穿接触插塞，分隔区域包括相邻于贯穿接触插塞的第一分隔区域，并且第一分隔区域穿过第二水平导电层并且与第一水平导电层间隔开。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]包括栅极的半导体器件-CN202011037677.4有效
  • 具池谋;朴庆晋;朴玄睦;李秉一;李晫;车俊昊 - 三星电子株式会社
  • 2018-07-17 - 2021-12-28 - H01L27/11565
  • 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
  • 包括栅极半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202110584684.4在审
  • 徐裕轸;郑恩宅;李秉一;李璱;李俊熙;郑昌大;崔凤贤;高木世济 - 三星电子株式会社
  • 2021-05-27 - 2021-12-03 - H01L27/11565
  • 一种半导体器件包括：图案结构；在图案结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括栅极和层间绝缘层；以及穿透堆叠结构并接触图案结构的垂直结构。图案结构包括顺序堆叠的下图案层、中间图案层和上图案层，垂直结构包括穿透上图案层和中间图案层并延伸到下图案层中的垂直存储结构，中间图案层包括第一部分、从第一部分延伸并具有减小的厚度的第二部分、以及第三部分，该第三部分从第一部分延伸，具有增加的厚度并接触垂直存储结构。中间图案层的第二部分具有侧表面，该侧表面在形成从第一部分的上表面弯曲的表面的同时降低，并接触上图案层。
  • 半导体器件
  • [发明专利]三维半导体存储器件-CN202110056565.1在审
  • 南丞祐;李秉一;徐裕轸 - 三星电子株式会社
  • 2021-01-15 - 2021-10-12 - H01L27/11563
  • 三维半导体存储器件可以包括：水平结构，可以位于衬底的上表面上，并且可以包括顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案；堆叠结构，包括堆叠在所述水平结构上的电极；垂直图案，延伸穿过所述电极并且连接到所述第一水平图案；和分隔结构，与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中。最下面的电极可以具有彼此面对的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间。所述第二水平图案可以具有彼此面对的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间。所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离可以小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。
  • 三维半导体存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201710307715.5有效
  • 李秉一;辛京准;殷东锡;金智慧;李炫国 - 三星电子株式会社
  • 2017-05-04 - 2021-09-28 - H01L27/11556
  • 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：交替地层叠在基板上的栅电极和层间绝缘层；穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层；以及设置在栅电极和沟道层之间在沟道层的外表面上的栅电介质层。此外，沟道层包括第一区和第二区，第一区在垂直于基板的顶表面的方向上延伸，第二区在第一区的下部分中连接到第一区并且第二区在栅电介质层的底部分下面延伸。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202110213536.1在审
  • 金俊成;李秉一;郑圣勋;陈俊彦 - 三星电子株式会社
  • 2021-02-25 - 2021-09-10 - H01L27/11521
  • 提供具有提高的可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：模制结构，包括在第一基板上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，穿透模制结构并与每个栅电极的相应水平面交叉；在模制结构中的多个第一绝缘图案，第一绝缘图案包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及在第一绝缘图案中的第一贯穿通路，第一贯穿通路穿透第一基板和模制结构。栅电极包括第一字线和在第一字线上的第二字线。从第一字线到第一贯穿通路的第一距离不同于从第二字线到第一贯穿通路的第二距离。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110219013.8在审
  • 郑圣勋;李秉一;李俊熙 - 三星电子株式会社
  • 2021-02-26 - 2021-08-27 - H01L27/11524
  • 一种半导体装置，包括：衬底，其包括下水平层和上水平层，并且具有单元阵列区和连接区；电极结构，其包括堆叠在衬底上方并且从单元阵列区延伸至连接区的电极；单元阵列区上的垂直沟道结构，其贯穿电极结构，并且连接至衬底；以及连接区上的分离结构，其贯穿电极结构。下水平层具有：与分离结构的第一部分接触的第一顶表面，与分离结构的第二部分接触的第二顶表面，以及拐点，在该拐点处，下水平层的高度在第一顶表面与第二顶表面之间突然改变。
  • 三维半导体存储器装置
  • [发明专利]三维非易失性存储器装置及其制造方法-CN202011446347.0在审
  • 郑圣勋;李秉一;姜宝锡 - 三星电子株式会社
  • 2020-12-09 - 2021-08-13 - H01L27/11582
  • 提供了三维非易失性存储器装置及其制造方法。该三维非易失性存储器装置包括：基板，其包括单元区域和具有阶梯结构的延伸区域；垂直结构，其在基板上；堆叠结构，其在基板上具有电极层和层间绝缘层；隔离绝缘层，其在基板上并隔离开电极层；以及通孔布线区域，其与单元区域或延伸区域相邻并具有穿过基板的通孔，其中，单元区域包括其中布置有正常单元的主单元区域和边缘单元区域，隔离绝缘层包括在主单元区域中的主隔离绝缘层和在边缘单元区域中的边缘隔离绝缘层，并且主隔离绝缘层的下表面高于基板的上表面并具有与边缘隔离绝缘层的下表面不同的深度。
  • 三维非易失性存储器装置及其制造方法
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