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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201810642566.2有效
发明人：李秉一;具池谋;李晫;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；具有多个栅电极的栅电极堆叠，所述多个栅电极在第一区域中在垂直于衬底的上表面的第一方向上垂直地堆叠并彼此间隔开，并且在平行于衬底的上表面的第二方向上从第一区域到第二区域延伸为具有不同的长度；在第一区域和第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上延伸同时贯穿衬底上的栅电极堆叠的第一隔离区域和第二隔离区域；串隔离区域，在第一区域中设置在第一隔离区域与第二隔离区域之间，并且在第二方向上延伸同时贯穿栅电极堆叠的一部分；以及在第一区域和第二区域中的至少一个中与串隔离区域线形地设置并在第二方向上彼此间隔开的多个辅助隔离区域。
半导体器件

[发明专利]包括栅极的半导体器件-CN201810784256.4有效
发明人：具池谋;朴庆晋;朴玄睦;李秉一;李晫;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
包括栅极半导体器件

[发明专利]包括栅极的半导体器件-CN202011037677.4有效
发明人：具池谋;朴庆晋;朴玄睦;李秉一;李晫;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
包括栅极半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110642070.7在审
发明人：金英宇;郑多云;李晫;李桢敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；在第二区域中的基板中的绝缘图案，限定基板的有源图案；栅电极，彼此间隔开并堆叠在基板的上表面上并且在第一方向上延伸；第一分隔区域，在第一方向上延伸并与有源图案接触；第二分隔区域，在第一分隔区域之间在第一方向上延伸；以及沟道结构，在第一区域中贯穿栅电极。第二分隔区域中的至少一个与在绝缘图案下方的基板接触。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201910275192.X在审
发明人：姜秀彬;李秉一;具池谋;徐裕轸;李晫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
堆叠结构半导体装置基底栅电极穿过材料形成结构间隔结构设置分离线外部延伸

[发明专利]垂直型存储器装置-CN201811522184.2在审
发明人：李晫;姜秀彬;具池谋;徐裕轸;李秉一;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
单元阵列区栅电极层沟道结构连接区存储器装置垂直型穿透虚设台阶结构堆叠基底狭缝邻近

[发明专利]垂直存储器件-CN201810825306.9在审
发明人：李秉一;具池谋;朴玄睦;李晫;车俊昊;洪祥准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
绝缘图案栅极电极上表面方向延伸衬底栅极电极结构垂直存储器沟道结构下表面相邻栅极电极方向顺序方向远离延伸穿过侧壁堆叠

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