专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN201811158164.1有效
  • 金落显;李信彗;李珉圭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-09-30 - 2023-08-01 - G06F11/10
  • 本发明涉及一种数据存储装置,该数据存储装置包括:具有管芯的非易失性存储装置,该管芯包括字线组,字线被分组在字线组中;以及控制器,该控制器包括:字线健康等级逻辑,该字线健康等级逻辑基于与字线相关的健康等级因子中的每一个的状态信息来确定每个字线的健康等级以及每个字线组的健康等级;存储器,包括字线健康等级表,每个字线的健康等级和每个字线组的健康等级被存储在该字线健康等级表中;以及映射逻辑,该映射逻辑配置成通过对具有最低健康等级的一个字线组和具有最高健康等级的字线组进行映射来生成管理目标逻辑超级块,并且通过对具有中间健康等级的字线组进行映射来生成普通逻辑超级块。
  • 数据存储装置及其操作方法
  • [发明专利]半导体存储器件及其编程方法-CN201810890454.9有效
  • 金南勋;李珉圭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2014-02-18 - 2023-03-17 - G11C11/34
  • 一种半导体存储器件的编程方法包括以下步骤:在第n编程循环中,将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组、将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组、以及判断第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元;以及在第n+1编程循环中,将第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至第一存储器单元组中的第一快单元,以及将第二编程脉冲增加了步进电压的第四编程脉冲施加至第一存储器单元组中的第一慢单元和第二存储器单元组。
  • 半导体存储器件及其编程方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201510105338.8有效
  • 安致昱;李珉圭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2015-03-11 - 2021-05-18 - G11C16/34
  • 一种半导体器件包括存储器区块,所述存储器区块包括耦接至字线的存储器单元;以及适于对耦接至选中字线的存储器单元执行编程操作和验证操作的操作电路,其中,当执行编程操作时,操作电路施加第一编程允许电压至第一编程故障单元的位线以保持编程故障状态,并且施加具有与第一编程允许电压不同的电压电平的第二编程允许电压至第二编程故障单元的位线,以将编程通过状态改变为编程故障状态。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体存储器件、具有其的存储系统及其操作方法-CN201510050410.1有效
  • 安致昱;李珉圭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2015-01-30 - 2020-09-22 - G11C16/34
  • 本发明的一个实施例可以提供一种半导体存储器件,其包括:存储器单元阵列,存储器单元阵列包括多个存储器单元;外围电路单元,其被配置成针对选自多个存储器单元的存储器单元执行编程操作,其中,第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行;以及控制逻辑,其被配置成控制外围电路单元来执行第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作,并且将在第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压,以及将在第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比第二编程电压大第二步进电压。
  • 半导体存储器件具有存储系统及其操作方法
  • [发明专利]半导体存储器件及其编程方法-CN201410054311.6有效
  • 金南勋;李珉圭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2014-02-18 - 2018-09-07 - G11C7/10
  • 一种半导体存储器件的编程方法包括以下步骤:在第n编程循环中,将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组、将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组、以及判断第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元;以及在第n+1编程循环中,将第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至第一存储器单元组中的第一快单元,以及将第二编程脉冲增加了步进电压的第四编程脉冲施加至第一存储器单元组中的第一慢单元和第二存储器单元组。
  • 半导体存储器件及其编程方法
  • [发明专利]手术机器人系统-CN201280037619.9有效
  • 崔胜旭;元钟硕;李珉圭 - 韩商未来股份有限公司
  • 2012-05-24 - 2016-10-26 - A61B34/30
  • 一种手术机器人系统,包括:手术机器人本体;第一动力源,连接在本体,用于提供被本体控制的驱动力;第一机械臂,连接在本体,从第一动力源接收驱动力而进行动作;机器人器械(robotic instrument),安装在第一机械臂,从第一动力源接收驱动力进行动作;第二动力源,连接在本体,用于提供被本体控制的驱动力;手持式器械(handheld instrument),从第二动力源接收驱动力进行动作,并由使用者以手动进行操作。通过在手术机器人追加能够向单独的器械提供驱动力的驱动源,当要追加使用手持式器械时,能够直接从手术机器人接收动力源,并且追加的器械通过与机器人进行通信,能够被机器人控制,根据追加动力源的规格制作的手持式器械可以像机器人安装用器械一样使用,其结果,能够提高手术机器人的应用性和扩展性。
  • 手术机器人系统
  • [发明专利]半导体器件及编程失败单元-CN201410208449.7在审
  • 林仁根;李珉圭;安致昱 - 爱思开海力士有限公司
  • 2014-05-16 - 2015-05-27 - G11C16/34
  • 半导体器件包括存储块,存储块包括被配置成形成偶数页面的偶数存储器单元和被配置成形成奇数页面的奇数存储器单元。半导体器件还包括操作电路,操作电路被配置成对偶数存储器单元和奇数存储器单元执行的编程操作。第一验证操作可以分别验证偶数存储器单元和奇数存储器单元,第二验证操作可以同时验证偶数存储器单元和奇数存储器单元。此外,操作电路被配置成响应于验证结果值而根据相邻编程失败单元的数目来选择性地执行第一验证操作和第二验证操作。
  • 半导体器件编程失败单元

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