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[发明专利]图像传感器-CN201711430935.3有效
发明人：李贵德;李泰渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器可包括衬底，其包括多个单元像素区并且具有彼此面对的第一表面和第二表面。单元像素区中的每一个可包括：在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件；存储节点，它们设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开，并且面对浮置扩散部件；转移栅极，其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区；以及光电转换部件，它们按次序堆叠在第一表面和第二表面之一上。光电转换部件中的每一个可包括分别设置在其顶表面和底表面上的公共电极和像素电极，并且各个像素电极可电连接至对应的一个存储节点。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201711344138.3有效
发明人：李贵德;李泰渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04N25/00 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，包括：光敏元件，响应于入射光来生成电荷；存储二极管，形成在衬底中，其中存储二极管存储由光敏元件生成的电荷；浮置扩散区域，形成在衬底的顶面中并且与存储二极管间隔开；以及转移栅极，至少部分地埋置在衬底的顶面的下方，其中转移栅极控制电荷从存储二极管向浮置扩散区域转移。
图像传感器

[发明专利]图像传感器像素和图像传感器-CN202210557886.4在审
发明人：赵昇贤;李泰渊;李泰雨 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器像素和图像传感器，图像传感器像素包括衬底和光电转换层，衬底在其光接收表面上具有像素电极，光电转换层包括钙钛矿材料并位于像素电极上。透明电极设置在光电转换层上，并提供了电连接到像素电极并至少部分地延伸穿过衬底的垂直电极。光电转换层包括钙钛矿层、在像素电极和钙钛矿层之间延伸的第一阻挡层以及在透明电极和钙钛矿层之间延伸的第二阻挡层。钙钛矿材料可以具有ABX3、A2BX4、A3BX5、A4BX6、ABX4或An‑1BnX3n+1的材料结构，其中：n是2至6的范围内的正整数；A包括从由Na、K、Rb、Cs和Fr组成的组选择的至少一种；B包括从二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Ga、In、Al、Sb、Bi和Po中选择的至少一种；X包括从Cl、Br和I中选择的至少一种。
图像传感器像素

[发明专利]半导体器件和图像传感器-CN201710741357.9有效
发明人： 李泰渊;李贵德;李明源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和一种图像传感器。半导体器件可以包括：衬底；衬底中的器件隔离图案，以将第一像素和第二像素彼此电隔离；器件隔离图案中的导电图案；以及器件隔离图案的侧表面上的掺杂层。掺杂层的导电类型可以与衬底的导电类型不同。
半导体器件图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201810442999.3有效
发明人：李贵德;李光敏;李泰渊;石井胜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。
图像传感器

[发明专利]用于确定马达的马达角度的方法-CN202111111131.3在审
发明人：李熙光;洪贤硕;南光熙;李泰渊 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社;浦项工科大学校产学协力団
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H02P21/14 文献下载
摘要：一种用于确定马达的马达角度的方法，该方法可以包括：经由实际电流向量与基于模型的有传感器电流向量的向量积、以及实际电流向量与基于模型的无传感器电流向量的向量积来导出有传感器权重和无传感器权重；并且通过将有传感器权重应用于传感器角度并且将无传感器权重应用于无传感器角度来确定最终马达角度。
用于确定马达角度方法

[发明专利]图像传感器及制造其的方法-CN201710700946.2有效
发明人：白寅圭;严祥训;李泰渊;许在成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种配置为提供提高的可靠性的图像传感器可以包括含多种不同元素的电荷钝化层，不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。不同元素可以包括周期表元素的第一族的第一元素以及周期表元素的第二不同的族的第二元素。电荷钝化层可以包括非晶晶体结构。
图像传感器制造方法

[发明专利]用于加成制造的稳定的基质填充的液体可辐射固化树脂组合物-CN201811221774.1有效
发明人：何明波;贝斯·郎德特;任康太;卡洛琳·刘;李泰渊 -专利权人：科思创（荷兰）有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C08F222/14 文献下载
摘要：本文描述并且要求保护用于加成制造的稳定的基质填充的液体可辐射固化树脂组合物。所述树脂包含为脂肪族环氧化物的阳离子可聚合组分、多官能(甲基)丙烯酸酯组分、阳离子型光引发剂、自由基型光引发剂、以及无机填料的基质，其中所述基质进一步包含规定比例的至少一种微米颗粒成分和至少一种纳米颗粒成分。本文还描述和要求保护一种用于使用用于加成制造的基质填充的液体可辐射固化树脂形成三维部件的方法，和由用于加成制造的所述液体可辐射固化树脂制成的所述三维部件。
用于加成制造稳定基质填充液体辐射固化树脂组合

[发明专利]图像传感器-CN201710781134.5有效
发明人：吉珉墡;康世贤;李泰渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器。该图像传感器包括：多条沿第一方向延伸的行线；包括多条第一列线和多条第二列线的多条列线，所述多条列线与所述多条行线相交；以及沿所述多条行线和所述多条列线排列的多个像素，所述多个像素包括多个像素组，所述多个像素组中的每个像素组都包括两个或更多像素。每个像素都包括第一光电元件、第二光电元件、连接到第一光电元件的第一像素电路以及连接到第二光电元件的第二像素电路。在每一像素组中，第一像素电路共享所述多条第一列线之一，第二像素电路共享所述多条第二列线之一。
图像传感器

[发明专利]像素阵列和包括该像素阵列的图像传感器-CN202110436360.6在审
发明人：秋明来;李贵德;李泰渊;全在勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：提供了一种像素阵列和图像传感器。图像传感器包括衬底、像素的像素阵列，每个像素包括像素电路和像素转换装置。像素电路形成在与衬底中的像素对应的像素区中。像素转换装置布置在衬底上以与像素电路竖直叠置。像素电路包括浮置扩散节点、重置开关装置以及包括负载装置和多个开关装置的放大器，负载装置布置在像素区中。
像素阵列包括图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201810092712.9有效
发明人：李贵德;李泰渊;李光敏;石井胜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
图像传感器

[发明专利]图像传感器中的像素、成像单元、用于测距的系统及方法-CN201710706673.2有效
发明人：王一兵;李泰渊;伊利亚·奥夫相尼科夫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H04N13/239 文献下载
摘要：提供了图像传感器中的像素、成像单元、用于测距的系统及方法。在图像传感器中的每个像素内将飞行时间(TOF)技术与模拟振幅调制相结合。像素可为双抽头像素或单抽头像素。像素中的两个光电子接收器电路接收各自的模拟调制信号。接收的光电子电荷在这两个电路之间的分布是由两个模拟调制电压的差(或比值)控制的。在像素内以此方式生成的差分信号为了TOF测量而在时域中被调制。因此，TOF信息通过像素自身内部的基于模拟域的单端差分转换器被添加到接收的光信号。基于TOF的距离测量及其分辨率通过改变调制的持续时间是可控制的。具有这些特征的自主导航系统可在诸如低光、雾、恶劣天气或强环境光的困难的驾驶条件下为驾驶员提供改善的视野。
图像传感器中的像素成像单元用于测距系统方法

[发明专利]图像传感器以及制造图像传感器的方法-CN202010083771.7在审
发明人：金昶和;金宽植;金东灿;朴商秀;李范硕;李泰渊;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
图像传感器以及制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202010004290.2在审
发明人：金昶和;金宽植;金润庆;朴商秀;李范锡;李泰渊;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201911124423.3在审
发明人：李贵德;李泰渊;朴相千 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。
图像传感器

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