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[发明专利]半导体器件-CN201711171980.1有效
发明人：洪承秀;李正允;成金重;郑铉澔;郭玟灿;闵庚石;吴怜默;禹宰勋;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
半导体器件

[发明专利]半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法-CN201711120568.7有效
发明人：李相炫;李正允;朴胜周;成金重;吴怜默;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种能够改善操作性能和可靠性的半导体器件，该半导体器件可以包括用于隔离在长度方向上相邻的栅电极的栅极绝缘支撑物。该半导体器件包括：在基板上的第一栅结构，第一栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第一栅极间隔物；在基板上的第二栅结构，第二栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第二栅极间隔物，其中第二栅结构的第一短侧面对第一栅结构的第一短侧；以及栅极绝缘支撑物，设置在第一栅结构的第一短侧和第二栅结构的第一短侧之间并在不同于第一方向的第二方向上纵向地延伸，栅极绝缘支撑物在第二方向上的长度大于第一栅结构和第二栅结构的每个在第二方向上的宽度。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201711392708.6有效
发明人：闵庚石;石城大;李正允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：半导体装置包括：在基底上的器件隔离层、由器件隔离层限定的第一有源图案以及源极区和漏极区。第一有源图案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区。源极区和漏极区填充第一有源图案中的一对凹进区。源极区和漏极区中的每个包括位于凹进中的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的每个具有其宽度小于源极区和漏极区中的所述每个的下部的宽度的上部。第二半导体图案具有其宽度小于第二半导体图案的下部的宽度的上部。第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201711394204.8有效
发明人：成金重;李正允;洪承秀;闵庚石;朴胜周;吴怜默;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201710641779.9有效
发明人：朴胜周;李正允;闵庚石;成金重;林青美;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。
半导体装置

[发明专利]包括凹入式栅电极部分的半导体器件-CN201810087764.7有效
发明人：郑铉澔;李正允;权台纯;闵庚石;成金重;林青美;池雅凜;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。
包括凹入式栅电极部分半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710684495.8有效
发明人：洪承秀;李正允;闵庚石;朴胜周;成金重;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件及制造其的方法-CN201711191152.4有效
发明人：李正韩;李善佶;姜明一;李正允;李承勋;李炫姃;金善昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面，第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面，第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。
集成电路器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111110486.0在审
发明人：朴钟淳;朴钟撤;李馥英;李正允;李亨求;郑然镀;丁海建 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810289668.0有效
发明人：权台纯;李正允;池雅凛;闵庚石;成金重 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710017972.5有效
发明人：金辅淳;金炫知;李正允;朴起宽;朴商德;吴怜默;李庸硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610943366.1有效
发明人：李庸硕;李正允;朴起宽;慎居明;金炫知;朴商德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
半导体装置

[发明专利]具有包括多段的源极/漏极区的集成电路器件-CN201510063625.7有效
发明人：郑荣钟;李正允;金东贤;李馥英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。
具有包括漏极区集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN202010258547.7在审
发明人：洪承秀;李正允;成金重;李镇远;郑铉澔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个有源区；位于所述多个有源区之间的器件隔离层，使得所述多个有源区的上部从所述器件隔离层突出；在所述衬底上分别在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且与所述多个有源区相交的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极在所述第二方向上与所述第二栅电极间隔开；位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第一栅极分隔层；以及在所述第一栅极分隔层下方并且位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第二栅极分隔层，所述第二栅极分隔层在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸到所述器件隔离层中。
半导体器件

[发明专利]具有多沟道的半导体器件-CN201610903349.5有效
发明人： 李正允;梁光容;慎居明;郑显秀;李庸硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上的隔离图案，所述隔离图案具有在衬底上的下部绝缘图案，以及覆盖所述下部绝缘图案的侧表面的间隔物；穿过所述隔离图案以接触衬底的垂直结构，所述垂直结构具有在衬底上的第一半导体层，第一半导体层的下端在比所述隔离图案的下表面更低的高度，在第一半导体层上的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第三半导体层；以及与垂直结构交叉且在所述隔离图案上方延伸的栅电极。
具有沟道半导体器件

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