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- [发明专利]一种单壁碳纳米管PN结同位素电池及其制备方法-CN201310247435.1有效
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张锦文;李梦歌
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北京大学
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2013-06-20
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2013-09-25
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G21H1/06
- 本发明公开了一种单壁碳纳米管PN结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能单元包括衬底I、背电极、图形化的绝缘层和位于绝缘层上的金属电极对,以及定向排列在金属电极对间与衬底I接触的半导体性单壁碳纳米管;所述单壁碳纳米管的两端分别与两个金属电极形成欧姆接触,中间部分与衬底I接触形成PN结;辐射源包括衬底II和放射性同位素膜;所述辐射源和换能单元面对面对准封接在一起,二者接触的部位间电学隔离,所述放射性同位素膜和单壁碳纳米管位于封接形成的空腔内,所述衬底I上表面中的一个金属电极和背电极构成电池电极。该同位素电池具有体积小、结构简单,易于实现的特点,且转换效率较高,可以长时间工作于各种复杂的环境。
- 一种单壁碳纳米pn同位素电池及其制备方法
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