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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201910114096.7在审
发明人：王慧琳;刘盈成;施易安;李怡慧;翁宸毅;谢晋阳;曾奕铭;张境尹;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一金属氧化物半导体晶体管设于一基底上，一层间介电层设于该金属氧化物半导体晶体管上，以及一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于该层间介电层上，其中MTJ上表面包含一倒V形且MTJ上表面是电连接至金属氧化物半导体晶体管的一源极/漏极区域。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法-CN201910030836.9在审
发明人： 李怡慧;曾奕铭;刘盈成;施易安;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取记忆体存储器结构及其制作方法，该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层，一接触洞设置于介电层中，一接触插塞填入接触洞并且凸出于介电层，其中接触插塞包含一下部元件和一上部元件，下部元件填入接触洞并且为矩形，上部元件位于接触洞之外，上部元件包含一顶边和一底边，顶边和底边互相平行，底边较顶边接近接触洞，底边大于顶边，以及一磁阻式随机存取存储器位于接触插塞上方并且接触接触插塞。
磁阻随机存取存储器结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201410430805.X有效
发明人：林静龄;黄志森;洪庆文;吴家荣;张宗宏;李怡慧;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底、一第一金属栅极设于基底上、一第一硬掩模设于第一金属栅极上、一层间介电层设于第一金属栅极上并环绕该第一金属栅极以及一图案化的金属层镶嵌于层间介电层中，其中图案化的金属层的上表面低于第一硬掩模的上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201510445767.X有效
发明人：林昭宏;许智凯;冯立伟;蔡世鸿;林建廷;郑志祥;洪庆文;吴家荣;李怡慧;刘盈成;吴奕宽;黄志森;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该具有金属栅极的半导体元件包含有一基底、一第一n型FET元件、以及一第二n型FET元件。该第一n型FET元件包含有一第一n型金属栅极，该第一n型金属栅极包含有一第三底部阻障层以及一n型功函数金属层，且该n型功函数金属层直接接触该第三底部阻障层。该第二n型FET元件包含有一第二n型金属栅极，该第二n型金属栅极包含有一第二底部阻障层、该n型功函数金属层、以及一第三p型功函数金属层，且该第三p型功函数金属层夹设于该第二底部阻障层与该n型功函数金属层之间。该第三p型功函数金属层与该第三底部阻障层包含相同材料。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201410474214.2有效
发明人：林静龄;黄志森;洪庆文;吴家荣;张宗宏;李怡慧;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件制作方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一金属栅极以及一层间介电层环绕该金属栅极。然后去除部分金属栅极以形成一开口，并形成一掩模层填满开口于层间介电层上并同时形成一孔洞(void)于开口内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]电子封装-CN201910387824.1在审
发明人：林岷臻;李怡慧;周哲雅;陈南诚 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子封装。该电子封装包括矩形的封装基板和芯片封装。该芯片封装包括第一高速接口电路裸晶，安装在封装基板的上表面上，其中芯片封装与封装基板具有同轴配置，且芯片封装相对于封装基板具有角度偏移。根据本发明的电子封装，可以减轻信号扭曲和改善信号延迟，提高芯片封装的电性能。
芯片封装封装基板电子封装高速接口电路改善信号减轻信号角度偏移同轴配置电性能上表面裸晶延迟扭曲

[发明专利]晶片的加工方法-CN201510640532.6有效
发明人：山下阳平;古田健次;李怡慧 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片的加工方法，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面上保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带，将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序；以及改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。
晶片加工方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610065037.1在审
发明人：洪庆文;刘盈成;吴家荣;李怡慧;黄志森 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，然后形成一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构于基底上，形成一第一外延层于第一鳍状结构上以及一第二外延层于第二鳍状结构上，接着形成一遮盖层于第一外延层及第二外延层上，其中第一外延层及第二外延层之间的一距离介于遮盖层厚度的二倍至遮盖层厚度的四倍。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种聚苯颗粒发泡水泥保温板助剂及其应用-CN201610365418.1在审
发明人：周莉;王晓蓉;刘国洪;李怡慧 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C04B24/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚苯颗粒发泡水泥保温板助剂及其应用，其由粘结剂、偶联剂、稳泡剂及发泡剂按重量份数比制备而成，本发明集多功能为一体的液体助剂作用于聚苯颗粒表面，使其可以与无机水泥浆体类粘结，并具有稳定发泡作用。将此液体助剂直接喷洒于聚苯颗粒表面，而后与水泥浆体混合，此工艺简单，节省成本，具有实际生产意义。
一种颗粒发泡水泥保温助剂及其应用

[发明专利]半导体封装-CN201510765560.0在审
发明人：谢东宪;李怡慧 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装。该半导体封装包括引线框架，该引线框架构包括芯片踏板、支撑杆、至少两个电源引脚、电源条和压模材料。支撑杆与芯片踏板连接，且从芯片踏板向外方向延伸。至少两个电源引脚与芯片踏板、支撑杆分离，且具有靠近芯片踏板的第一端和从芯片踏板向外延伸的第二端。电源条与所述至少两个电源引脚连接，且具有支撑部分。压模材料封装该引线框架，使该支撑部分暴露出来。采用本发明，可以提高设计的灵活性。
半导体封装

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201410562847.9在审
发明人：洪庆文;张宗宏;李怡慧;黄志森;陈意维;许家彰;黄信富;吴俊元;邹世芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一介电层、一钛层、一氮化钛层以及一金属。介电层设置于一基底上，其中介电层具有一通孔。钛层覆盖通孔，其中钛层具有小于1500Mpa(兆帕)的拉伸应力。氮化钛层顺应地覆盖钛层。金属填满通孔。本发明还提出一种半导体制作工艺，用以形成此半导体结构。此半导体制作工艺，包含有下述步骤。首先，形成一介电层于一基底上，其中介电层具有一通孔。接着，形成一钛层，顺应地覆盖通孔，其中钛层具有小于500Mpa的压缩应力。接续，形成一氮化钛层，顺应地覆盖钛层。而后，填入一金属于通孔中。
半导体结构及其制作工艺

[实用新型]储槽全圆周轨道式的升降工作平台-CN201320496810.1有效
发明人： 李怡慧;李信纬 -专利权人：洪绮君;李怡慧
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： E04G3/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种储槽全圆周轨道式的升降工作平台，一下轨道，使用复数个下磁吸盘且吸附于储槽底下的四周围表面，又该下轨道的底下方接设有复数个千斤顶；一上轨道，使用复数个上磁吸盘且吸附于石化储槽上方的四周围表面；另具有一上轮座及一下轮座的中心柱分别接设于上轨道、下轨道；另设有一工作平台，接设于该中心柱上并受该中心柱贯穿；及一升降机构组，接设于该中心柱、工作平台之间，使该工作平台得向该中心柱作相对垂直移动；经由上述结构，以提高安全架设且架设成本低廉。
储槽全圆周轨道升降工作平台

[发明专利]有源元件、像素结构、驱动电路以及显示面板-CN201110263639.5有效
发明人：林志宏;蔡五柳;魏全生;张哲嘉;刘圣超;陈昱丞;李怡慧;陈茂松 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提出一种有源元件、像素结构、驱动电路以及显示面板。该像素结构包括扫描线、数据线、有源元件、第一绝缘层、像素电极、电容电极以及第二绝缘层。有源元件包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中扫描线与栅极电性连接，源极与数据线电性连接。第一绝缘层设置在栅极与沟道之间。像素电极与漏极电性连接。电容电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖第一绝缘层以及电容电极，且位于电容电极与漏极之间。
有源元件像素结构驱动电路以及显示面板

[发明专利]有源元件、像素结构以及显示面板-CN201010293365.X无效
发明人：陈昱丞;李怡慧;林志宏;陈茂松 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提出一种有源元件、像素结构以及显示面板。此像素结构包括扫描线、数据线、有源元件、栅极绝缘层、像素电极、电容电极以及电容介电层。有源元件包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中扫描线与栅极电性连接，源极与数据线电性连接。栅极绝缘层设置在栅极与沟道之间。像素电极与漏极电性连接。电容电极位于栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间。电容介电层位于电容电极与漏极之间。
有源元件像素结构以及显示面板

[发明专利]一种液晶显示器的像素结构及其制造方法-CN201010206714.X有效
发明人：林祥麟;林敬桓;石志鸿;黄伟明;林志宏;陈昱丞;李怡慧;王参群 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-06-12 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明是关于一种液晶显示器的像素结构及其制造方法。在一个具体实施方式中，像素结构包含形成于基板上的扫描线和形成于基板上的数据线，并以此定义像素区。开关形成于基板上的像素区之内。遮蔽电极形成于开关之上。一平面有机层形成于数据线与像素区之上，并且未与遮蔽电极重叠。像素电极具有第一部份和延伸自第一部份的第二部份，形成于像素区内的遮蔽电极与平面有机层之上，其中像素电极的第一部份与遮蔽电极重叠，以定义出其间的储存电容器，并且第二部份覆盖平面有机层，而未与数据线重叠。
一种液晶显示器像素结构及其制造方法