“李呈焕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置和包括其的数据存储系统-CN202310246985.5在审
发明人： 李呈焕;权裕珍;刘在洪;赵显敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括在半导体衬底上的堆叠结构。该堆叠结构包括第一栅极堆叠组和第二栅极堆叠组，第一栅极堆叠组包括多个间隔开的第一栅电极，第二栅极堆叠组包括多个间隔开的第二栅电极。第二栅极堆叠组在第一栅极堆叠组上延伸，使得第一栅极堆叠组在第二栅极堆叠组与衬底之间延伸。提供多个有源沟道结构，该多个有源沟道结构竖直地穿透第二栅极堆叠组作为上沟道结构并且竖直地穿透第一栅极堆叠组作为下沟道结构。提供竖直地穿透第二栅极堆叠组但不穿透第一栅极堆叠组的多个伪沟道结构。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法和包括其的电子系统-CN202211677224.7在审
发明人： 李呈焕;李璿婴;郑錫和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：提供一种半导体装置和电子系统。半导体装置包括：单元衬底，其包括单元阵列区和围绕单元阵列区的延伸区；模制结构，其包括顺序堆叠在单元衬底上的栅电极；沟道结构，其设置在单元阵列区上并与栅电极交叉；位线，其连接到沟道结构中的至少一些；块隔离区，其切割模制结构；源极层，其设置在单元衬底和模制结构之间，并连接到沟道结构中的每一个的侧表面；支撑层，其在单元衬底和源极层的上表面上设置在源极层和模制结构之间。支撑层包括单元衬底的上表面上的支撑结构。支撑结构包括围绕单元阵列区的外围部分和设置在延伸区上的网格部分。
半导体存储器装置及其制造方法包括电子系统

[发明专利]非易失性存储器件和包括其的非易失性存储系统-CN202210805150.4在审
发明人： 李呈焕;林珍洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的非易失性存储系统。该非易失性存储器件包括：第一堆叠，其中第一导电图案和第一电介质层在第一方向上交替堆叠在基板上；第二堆叠，其中第二导电图案和第二电介质层与基板相反地在第一方向上交替堆叠在第一堆叠上；在第一方向上穿透第一堆叠的第一监测沟道结构；以及在第一方向上穿透第二堆叠并且在第一监测沟道结构上的第二监测沟道结构。第一监测沟道结构的与基板相反的顶部的宽度小于第二监测沟道结构的与第一监测沟道结构的顶部相邻的底部的宽度。
非易失性存储器包括非易失性存储系统

[发明专利]非易失性存储器装置-CN202210779852.X在审
发明人： 李呈焕;赵显敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供一种具有改进的可靠性的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：衬底；包括堆叠在衬底上的多条字线的模制结构；被配置为切割模制结构的第一字线切割区；与第一字线切割区间隔开第一距离并且设置在模制结构和衬底中的第一沟道结构；以及与第一字线切割区间隔开第二距离并且设置在模制结构和衬底中的第二沟道结构，其中，第二距离大于第一距离，第一沟道结构的第一宽度不同于第二沟道结构的第二宽度，并且第一沟道结构的第一长度不同于第二沟道结构的第二长度。
非易失性存储器装置

[发明专利]包括氮化物间隔件的半导体装置-CN202210286849.4在审
发明人：金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了包括氮化物间隔件的半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电极结构，设置在基底上同时沿第一方向延伸，电极结构包括沿第二方向堆叠的多个电极，第二方向是基底的垂直方向；位线，设置在电极结构上；垂直结构，沿第二方向延伸穿过电极结构并与基底接触，垂直结构中的每个包括电连接到位线的垂直半导体图案和围绕垂直半导体图案的侧壁的数据存储图案；共源极塞，在垂直结构设置在共源极塞之间的条件下沿第二方向延伸穿过电极结构并与基底接触；以及间隔件，分别设置为围绕共源极塞的侧壁，间隔件中的每个包括分别具有不同氮化物(N)浓度的区域。
包括氮化物间隔半导体装置

[发明专利]贯穿过孔结构和包括该贯穿过孔结构的半导体装置-CN202111150853.X在审
发明人：金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了贯穿过孔结构以及包括该贯穿过孔结构的半导体装置。该贯穿过孔结构包括贯穿过孔和盖图案。贯穿过孔包括在竖直方向上延伸的金属图案以及在金属图案的侧壁和下表面上的阻挡图案。盖图案接触贯穿过孔的上表面。盖图案的边缘部分的最下表面不高于盖图案的中心部分的最下表面。
贯穿结构包括半导体装置

[发明专利]集成电路装置和包括其的电子系统-CN202210140881.1在审
发明人：金知勇;李呈焕;朴焕悦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：提供了一种集成电路装置和电子系统。所述集成电路装置包括：半导体衬底，其具有单元区和位于单元区外部的虚设区；多个栅电极和多个绝缘层，它们位于单元区中，在平行于半导体衬底的主表面的第一方向和第二方向上延伸，并且在垂直于半导体衬底的主表面的第三方向上交替地堆叠，第一方向和第二方向彼此交叉；以及多个虚设模制层和多个虚设绝缘层，它们在虚设区中在第三方向上交替地堆叠，其中，多个虚设模制层中的上虚设模制层的碳浓度小于多个虚设模制层中的下虚设模制层的碳浓度，下虚设模制层在上虚设模制层与半导体衬底的主表面之间。
集成电路装置包括电子系统

[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的电子系统-CN202110563451.6在审
发明人：金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；多个栅极线，在衬底的存储单元区域中在竖直方向上彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；阶梯状连接单元，在连接区域中，该阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域包括第一金属并且一体地连接到多个栅极线中的相应栅极线；多个接触结构，与阶梯状连接单元竖直地重叠，每个接触结构连接到多个导电焊盘区域中的分别对应的导电焊盘区域并且包括第二金属；以及至少一个金属硅化物层，在至少一个接触结构与分别对应的导电焊盘区域之间。
半导体器件以及包括电子系统

[发明专利]使用蚀刻停止层的存储器装置-CN201710804253.8有效
发明人：李正吉;金知勇;李呈焕;边大锡;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
使用蚀刻停止存储器装置

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN202011555812.4在审
发明人：崔裕真;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：衬底；模结构，包括在所述衬底上沿第一方向交替堆叠的第一绝缘图案和多个栅电极；以及字线切割区，所述字线切割区沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且切割所述模结构，其中，所述字线切割区包括公共源极线，并且所述公共源极线包括沿所述第二方向延伸的第二绝缘图案、以及沿所述第二方向延伸并且与所述第二绝缘图案和沿所述第二方向的截面接触的导电图案。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910752389.8在审
发明人：金英宇;权俊瑛;李呈焕;成政泰;申智敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201811450312.7在审
发明人：金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：包括凹槽的衬底，所述凹槽位于隔离区域下方并且具有包括多个阶梯部分的侧部；多个栅极电极，在所述衬底上彼此间隔开，并且在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠；沟道结构，在第一组多个栅极电极之间穿过；以及隔离区域，在第二组多个栅极电极之间穿过，所述隔离区域从衬底的上表面延伸并具有倾斜的侧向表面。
衬底隔离区域栅极电极半导体器件上表面穿过侧向表面沟道结构堆叠垂直延伸

[发明专利]三维半导体器件-CN201810865994.1在审
发明人： 李呈焕;金知勇;尹石重;李知泫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。
焊盘区域三维半导体器件栅电极垂直

[发明专利]半导体器件-CN201810534936.0在审
发明人：具利恩;郑在皓;梁宇成;李呈焕;卢仁洙;李璿婴 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。
焊盘区域存储器单元区域半导体器件源极结构分离源彼此平行缓冲区域平面形状衬底减小半导体延伸

1
共 14 条