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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]数据存储器件及其制造方法-CN201811087711.1有效
发明人：金洪贤;高升必;申贤哲;李吉镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。
数据存储器件及其制造方法

[发明专利]包括不同类型的存储器单元的集成电路器件-CN201810466873.X有效
发明人： 李吉镐;高宽协;金泓秀;林濬熙;田昌勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。
包括不同类型存储器单元集成电路器件

[发明专利]制造存储器件的方法-CN202211693867.0在审
发明人：严鏋镇;李佳元;高昇必;李吉镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种制造存储器件的方法包括：在彼此之上顺序形成第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层；通过图案化第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层来形成磁隧道结结构；通过蚀刻覆盖磁隧道结结构的侧壁的再沉积金属的一部分来形成侧壁金属层；执行氧化操作，该氧化操作包括氧化侧壁金属层的暴露表面以提供氧化的侧壁金属层；以及执行照射操作，该照射操作包括朝向氧化的侧壁金属层照射离子束。通过交替地执行氧化操作和照射操作两次或更多次来形成覆盖磁隧道结结构的侧壁的侧壁绝缘层。
制造存储器件方法

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201810586433.8有效
发明人：宋胤宗;李吉镐;郑大恩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备-CN202111091288.4在审
发明人：金相国;梁在鹤;宋胤宗;李吉镐;金俊会 -专利权人：首尔大学校产学协力团;三星电子株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种核磁化翻转方法包括通过向第一磁性斯格明子施加第一交流(AC)磁场将所述第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理，并且然后通过向斯格明子纹理施加第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子。第一磁性斯格明子可以在半球形壳体上形成，该半球形壳体可以通过以下方式形成：(i)制备具有多个突起的膜，以及(ii)在所述膜上堆叠包括铂(Pt)、镍(Ni)、或钯(Pd)中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。第一AC磁场和第二AC磁场可以具有不同频率。
明子磁化翻转方法使用数据存储设备

[发明专利]半导体器件-CN201810603206.1有效
发明人： 李吉镐;高宽协;朴日穆;林浚熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，其包括第一导线、与第一导线交叉的第二导线以及在第一导线和第二导线之间的交叉点处的存储单元。每个存储单元包括磁隧道结图案、与磁隧道结图案串联连接的双向开关图案以及在磁隧道结图案和双向开关图案之间的导电图案。
半导体器件

[发明专利]内部具有磁隧道结存储单元的非易失性存储设备-CN202210025567.9在审
发明人： 李吉镐;高宽协;金容才;裵虔熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：磁存储设备包括在衬底的第一区域上具有第一模制绝缘膜的衬底和在该衬底上的第一结构。第一结构包括下电极、下电极上的磁隧道结(MTJ)结构、以及MTJ结构上的上电极。设置封盖膜，该封盖膜在第一模制绝缘膜和第一结构的侧壁上延伸。在第一结构和封盖膜上设置第一蚀刻停止层。设置第二模制绝缘膜，该第二模制绝缘膜至少部分地填充封盖膜和第一蚀刻停止层之间的空间。设置第一金属结构，该第一金属结构延伸穿过第一蚀刻停止层的一部分和第二模制绝缘膜的一部分，并且电耦合到MTJ结构。
内部具有隧道结存单元非易失性存储设备

[发明专利]包括可变电阻存储器件的半导体器件-CN201810557716.X有效
发明人： 李吉镐;宋胤宗;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和逻辑区域；在存储单元区域上的可变电阻存储器件；在逻辑区域上的逻辑器件；第一水平位线，其在存储单元区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到可变电阻存储器件；第二水平位线，其在逻辑区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到逻辑器件；以及垂直位线，其电连接到第一水平位线和第二水平位线并垂直于衬底的表面延伸。
包括可变电阻存储器件半导体器件

[发明专利]嵌入式器件-CN202110189862.3在审
发明人： 李吉镐;高宽协;金禹珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：嵌入式器件包括：第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在第一区域中的第一绝缘层中的下电极接触；第一结构，在第二绝缘层中并接触下电极接触，第一结构具有下电极、磁隧道结和上部电极；第一金属布线结构，穿过在第二区域中的第一和第二绝缘层；在第二绝缘层上的第三绝缘层；位线结构，穿过在第一区域中的第三绝缘层和第二绝缘层，位线结构具有第一高度并接触上电极；以及第二金属布线结构，穿过在第二区域中的第三绝缘层，第二金属布线结构接触第一金属布线结构并具有低于第一高度的第二高度。
嵌入式器件

[发明专利]磁阻随机存取存储器件和嵌入式装置-CN202011061324.8在审
发明人：金禹珍;金容才;李吉镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了一种磁阻随机存取存储器件和一种嵌入式装置。所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，位于衬底上；下电极接触，穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极。
磁阻随机存取存储器嵌入式装置

[发明专利]磁存储器件-CN202010939718.2在审
发明人： 李吉镐;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括：在基板上的磁隧道结图案；第一导电图案，在基板和磁隧道结图案之间；下接触插塞，在第一导电图案和基板之间并设置在磁隧道结图案的相应侧；以及分别在下接触插塞上的第二导电图案。第二导电图案将下接触插塞连接到第一导电图案。第二导电图案包括铁磁材料。
磁存储器

[发明专利]磁存储器装置-CN201910863772.0在审
发明人： 李吉镐;高宽协;宋胤宗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。
磁存储器装置

[发明专利]半导体器件-CN201910806621.1在审
发明人：金容才;李吉镐;郑大恩;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件可以包括衬底上的导电结构、导电结构上的接触插塞以及接触插塞上的磁隧道结结构。接触插塞的下表面的面积可以大于其上表面的面积，并且接触插塞可以包括至少部分地覆盖导电结构的上表面的覆盖图案、覆盖图案上的导电图案以及导电图案上的非晶含金属图案。
半导体器件

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201910618600.7在审
发明人： 李吉镐;高宽协;金容才;宋胤宗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括：包括单元区和外围电路区的基板；第一层间绝缘层，覆盖基板的单元区和外围电路区；在第一层间绝缘层中的互连线；外围导线和外围导电接触，在外围电路区上的第一层间绝缘层上，外围导电接触在外围导线与互连线中的相应一条互连线之间；底电极接触，在单元区上的第一层间绝缘层上并且连接到互连线中的相应一条互连线；以及在底电极接触上的数据存储图案，其中外围导线处于底电极接触的顶表面与底电极接触的底表面之间的高度处。
互连线绝缘层底电极第一层外围电路区外围导线单元区导电接触外围数据存储图案磁存储器件覆盖基板顶表面基板

[发明专利]半导体器件-CN201810600478.6在审
发明人： 李吉镐;高宽协;林濬熙;金泓秀;田昌勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括第一存储器区段以及第二存储器区段。第一存储器区段设置在衬底上。第二存储器区段垂直堆叠在第一存储器区段上。第一存储器区段设置在衬底与第二存储器区段之间。第一存储器区段包括闪存单元结构，且第二存储器区段包括可变电阻存储单元结构。闪存单元结构包括：至少一个单元串，包括串联连接到彼此的多个第一存储单元；以及位线，位于衬底上且连接到至少一个单元串。位线在垂直方向上夹置在至少一个单元串与第二存储器区段之间且连接到第二存储器区段。
第二存储器存储器区段半导体器件衬底闪存单元结构位线可变电阻存储单元垂直堆叠存储单元上夹

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