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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包括NAND串的存储器设备及操作存储器设备的方法-CN201810722252.3有效
  • 金完东;金兑炫;南尚完;朴商秀;郑宰镛 - 三星电子株式会社
  • 2018-06-29 - 2023-10-03 - G11C16/08
  • 为了操作包括多个NAND串的存储器设备，当选择的字线的电压增加时，使多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得未选择的NAND串的沟道电压升高。当选择的字线的电压降低时，使未选择的NAND串的沟道电压放电。当选择的字线的电压增加时，可以通过使未选择的NAND串浮置以使得未选择的NAND串的沟道电压的升高与选择的字线的电压的增加一起发生来降低负载，当选择的字线的电压降低时，可以通过在选择的字线的电压降低时使未选择的NAND串的升高的沟道电压放电来降低负载。通过这样降低选择的字线的负载，可以缩短电压建立时间并提高存储器设备的操作速度。
  • 包括nand存储器设备操作方法
  • [发明专利]非易失性存储器设备及包括其的存储设备-CN201711203890.6有效
  • 朴商秀 - 三星电子株式会社
  • 2017-11-27 - 2023-06-27 - G11C16/34
  • 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元的单元阵列；电压生成器，配置为向选择的存储器单元的字线提供编程电压或验证电压；页缓冲器，配置为通过位线传送要编程在选择的存储器单元中的写入数据，并且基于验证电压感测选择的存储器单元是否被编程为目标状态；以及控制逻辑，配置为控制电压生成器，使得在编程操作期间以循环为单元将编程电压和验证电压提供给字线，控制逻辑包括循环状态电路，其被配置为从页缓冲器的感测结果检测与目标状态关联的状态通过循环的值，并且基于该值来确定编程操作是否成功，每个状态通过循环是这样的编程循环，其后对应于与其关联的目标状态的存储器单元的编程状态已提升到与其关联的目标状态。
  • 非易失性存储器设备包括存储
  • [发明专利]非易失性存储器件及其操作方法-CN202211386405.4在审
  • 沈烔教;朴商秀 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-07 - 2023-05-19 - G11C16/26
  • 公开了一种非易失性存储器件及其操作方法。所述非易失性存储器件包括第一片、第二片、地址替换电路和地址译码器，所述第一片包括多个存储块，所述第二片包括多个存储块，所述地址替换电路从外部控制器接收第一输入地址，所述第一输入地址对应于所述第一片的多个存储块中的第一存储块并且基于所述第一输入地址和坏块信息输出替换地址，所述地址译码器基于所述替换地址控制与所述第二片的多个存储块之中的第二存储块连接的字线，所述字线对应于所述替换地址。所述第一片的所述第一存储块为坏块。
  • 非易失性存储器及其操作方法
  • [发明专利]包括不对称的地选择线的存储器装置-CN202211433556.0在审
  • 曹诚敏;朴商秀;刘忠昊 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-16 - 2023-05-19 - G11C16/08
  • 一种存储器装置包括：衬底；第一单元串、第二单元串和第三单元串，它们均连接至第一位线，并且在垂直于衬底的顶表面的方向上形成；第一上地选择线，其连接至第一单元串并且被配置为接收第一地选择信号；第二上地选择线，其与第一上地选择线分离，连接至第二单元串和第三单元串，并且被配置为接收与第一地选择信号不同的第二地选择信号；第一下地选择线，其连接至第一单元串和第二单元串，并且被配置为接收第三地选择信号；以及第二下地选择线，其与第一下地选择线分离，连接至第三单元串，并且被配置为接收与第三地选择信号不同的第四地选择信号。
  • 包括不对称选择存储器装置
  • [发明专利]图像传感器-CN202211378569.2在审
  • 崔赫洵;朴商秀;沈喜成;安待健;崔珉准 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-04 - 2023-05-09 - H01L27/146
  • 提供一种图像传感器。该图像传感器包括：衬底，其包括多个单位像素，每个单位像素包括光电转换元件；第一沟槽，其以格子形状形成在所述衬底中以隔离多个单位像素；多个第一电容器结构，其在第一沟槽中沿着第一沟槽的侧壁延伸，并且各自包括第一电极、第二电极以及第一电极与所述第二电极之间的第一电介质层；以及第一电容器隔离图案，其位于第一沟槽的格子点处，以隔离多个第一电容器结构。
  • 图像传感器
  • [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202210072528.4在审
  • 朴商秀;金宽植;金昶和;金太䪸;林奎显 - 三星电子株式会社
  • 2022-01-21 - 2022-07-29 - H01L27/146
  • 提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离部分，其设置在衬底中，并且被配置为将单位像素彼此隔离。像素隔离部分包括：第一填充绝缘图案，其从第一表面朝着第二表面延伸，并且具有空气间隙区，第一填充绝缘图案包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；导电结构，其包括第一侧壁上的第一部分、第二侧壁上的第二部分和将第一部分和第二部分连接的连接部分；以及绝缘衬垫，其设置在第一部分与衬底之间，并且设置在第二部分与衬底之间。
  • 图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]非易失性存储设备及其操作方法-CN201610645104.7有效
  • 李知尚;朴商秀;沈烔教 - 三星电子株式会社
  • 2016-08-09 - 2022-05-24 - G11C7/10
  • 一种具有存储单元阵列和页缓冲器电路的非易失性存储设备，所述存储单元阵列包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元(M2，N2)，所述页缓冲器电路包括分别耦合至第一位线至第N位线、并分别生成第一输出数据至第N输出数据的第一页缓冲器至第N页缓冲器。第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线进行放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据(K≤N，L1，P≤M)。如果第一锁存器的读数据中的误差可校正，则第K页缓冲器输出第一输出数据。
  • 非易失性存储设备及其操作方法
  • [发明专利]非易失性存储器设备、包括其的存储装置和操作其的方法-CN201610951508.9有效
  • 沈烔敎;朴商秀 - 三星电子株式会社
  • 2016-11-02 - 2022-03-01 - G11C16/16
  • 一种非易失性存储器设备可以包括存储单元阵列、地址译码器电路、页面缓冲器电路以及控制逻辑电路。擦除操作包括迭代地执行擦除循环，该擦除循环包括：擦除部分，在其中擦除电压被施加到所选择的存储器块的存储单元；以及擦除验证部分，在其中使用擦除验证电压来验证所选择的存储器块的存储单元。如果在擦除验证部分中所选择的存储器块的存储单元被确定为擦除通过，则控制逻辑电路可监视所选择的存储器块的存储单元。如果所监视的结果指示所选择的存储器块的存储单元处于异常状态，则控制逻辑电路向所选择的存储器块的存储单元施加额外的擦除电压。
  • 非易失性存储器设备包括存储装置操作方法
  • [发明专利]非易失性存储器件、其操作方法及存储设备-CN201711426789.7有效
  • 金完东;朴商秀;朴世桓;南尚完 - 三星电子株式会社
  • 2017-12-25 - 2022-03-01 - G11C8/08
  • 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
  • 非易失性存储器操作方法存储设备
  • [发明专利]存储装置和操作存储装置的方法-CN201610974364.9有效
  • 朴商秀;沈炯教 - 三星电子株式会社
  • 2016-11-04 - 2021-05-04 - G11C8/06
  • 本申请提供了存储装置和操作存储装置的方法。存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路。存储单元阵列包括多个存储单元，而且所述多个存储单元被划分为第一存储器组和第二存储器组。第一页缓冲器组耦合至第一存储器组并且包括多个第一页缓冲器。第二页缓冲器组耦合至第二存储器组并且包括多个第二页缓冲器。第一页缓冲器组针对储存在第一页缓冲器组中的数据执行第一数据处理操作，并储存第一数据处理操作的结果。第二页缓冲器组针对储存在第二页缓冲器组中的数据执行第二数据处理操作，并储存第二数据处理操作的结果。第一数据处理操作和第二数据处理操作基本上同时执行。
  • 存储装置操作方法
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